Тэхналогіі
Полевые Р ДМОП транзисторы
-
Характеристика процесса:
Кол-во фотолитографий, шт. 7-9
Проектная норма, мкм 3.0
Подложка: КДБ 0,005
эпитаксиальный слой:
толщина, мкм 13–34
удельное сопротивление, Ом*см (2-21)
подзатворный окисел, нм 42,5-80
Межслойный диэлектрик СТФСС(БФСС)Пассивация: НТФСС
-
Применение, элементная база:
MOSFET
Маломощные Мощные
Vtn=0,8–2,0 В Vtn=2,0–4,0 В
Uпр= 50–240 В Uпр= 60–100В
Pmax=1,0 Вт Pmax=150 Вт
Полевые N ДМОП транзисторы
-
Характеристика процесса:
Кол-во фотолитографий, шт. 7-9
Проектная норма, мкм 3.0
Подложка: КЭС 0,01
эпитаксиальный слой:
толщина, мкм 9-42
удельное сопротивление, Омxсм (0,7-16)
подзатворный окисел, нм 42,5-80
Межслойный диэлектрик СТФСС(БФСС)
Пассивация: НТФСС -
Применение, элементная база:
MOSFET
Маломощные Мощные
Vtn=0,6–3,0 В Vtn=2,0–4,0 В
Uпр= 50–200 В Uпр= 50–600В
Pmax=1,0 Вт Pmax=200 Вт
Мощные полевые МОП транзисторы,Uмакс= 60-900 В пл. 150 мм
-
Характеристика процесса:
Кол-во фотолитографий, шт. 8
Проектная норма, мкм 2.0
Подложка: КЭС 0,015 / КЭМ 0,003
эпитаксиальный слой:
толщина, мкм 8-75
удельное сопротивление, Ом*см 0,67-31,5
подзатворный окисел, нм 60-100
Межслойный диэлектрик СТО + БФСС
Пассивация ПХО+ПХ SI3N4 -
Применение, элементная база:
MOSFET
NMOS: Vtn=2÷4 В
Uмакс= 60÷900 В
БиКДМОП, с изоляцией LOCOS 1 ПКК 1 металл, NMOП/PMOП транзисторы
-
Характеристика процесса:
Кол-во фотолитографий, шт. 15
Проектная норма, мкм 2.5
Подложка: КДБ 80
Изоляция: LOCOS
Глубина P-кармана, мкм 6.5
Глубина N-кармана, мкм 4.5
Глубина базы NДMOП, мкм 2.4
Подзатворный SiO2, Å 600
Межслойный диэлектрик
СТФСС, мкм 0,6
Длина канала: NMOS/PMOS, мкм 2.0
контакты, мкм 2.0х2.0
шаг металл 1, мкм 8
шаг металл 2, мкм 10 -
Применение, элементная база:
Низковольтные транзисторы
NMOП: Vtn= 1.8 B , Usd >16 В
PMOП: Vtp= 1.5 B , Usd >16 В
NPN: h21э = 100-300
Резисторы в слое:
ПКК 1 = 20-30 Ом/кв.
Высоковольтные транзисторы
NДMOП: Vtn= 1.0-1.8 B , Usd>=500 В
PДMOП: Vtp= 0.7-2.0 B , Usd >=700 В
90 В, с изоляцией p-n переходом 1 ПКК 1 металл, NMOП/PMOП низковольтные транзисторы, NДMOП/PДMOП высоковольтные горизонтальные транзисторы, мощный вертикальный NДMOП транзистор, биполярные вертикальные NPN и горизонтальные PNP транзисторы
-
Характеристика процесса:
Кол-во фотолитографий, шт. 19
Проектная норма, мкм 3.0
Подложка:460КДБ12 (100)
Скрытые слои: 20КЭС6/250КДБ2.0
Эпитаксиальный слой 10КЭФ1.5
Изоляция: p-n переход
Глубина P-кармана, мкм 6.5
Глубина базы NДMOП, мкм 2.5
Подзатворный SiO2, Å 750
Глубина p-базы NPN, мкм 2.5
Глубина N+эмиттера, мкм 0.5
Межслойный диэлектрик
БФСС, мкм 0,8
Длина канала по затвору:
N/PMOП, мкм ø 4
шаг ПКК, мкм 7
контакты, мкм 2
шаг по металлу, мкм 8
-
Применение, элементная база:
Аналоговые ИС малой и средней степени интеграции с Еп до 90 ВВертикальный NPN:
Вп=50 Uсе=20 ВГоризонтальный PNP:
Вр=25 Uсе=20 В
LNДMOП: Vtn= 2.0 B,Usd >90 В
LPДMOП: Vtp= -1.4 B,Usd >90 В
NMOП: Vtn= 1.2 B , Usd >18 В
PMOП: Vtp= 1.5 B , Usd >18 ВVNДMOП: Vtn= 2.0 B,
Usd >70 ВРезисторы в слое:
База NДMOП, Р-сток, ПКК.Емкости: ПКК-Si (SiO2 750 Å)
ПКК-Al (SiO2 8000 Å)
БиКДМОП 600 В с изоляцией p-n переходом 1 ПКК 1 металл
-
Характеристика процесса:
Кол-во фотолитографий, шт. 15
Проектная норма, мкм 3.0
Подложка: 460КДБ60 (100)
Изоляция: p-n переход
Глубина базы NДMOП, мкм 2.5
Подзатворный SiO2, Å 750
Межслойный диэлектрик
БФСС, мкм 0,8 -
Применение, элементная база:
ИМС управления импульсным источником питания
Низковольтный NPN:
h21э не менее 50, Uсе не менее 30 В
Горизонтальный PNP:
h21э=2,2-30 Uсе=25-60 В
NДMOП: Vtn=1.2-3.0 В, Usd330 В
PMOП низковольтный:
Vtp=0.8-2.0 B, Usd318 В
PMOП высоковольтный:
Vtp=0.8-2.0 B , Usd322 В
NMOП низковольтный:
Vtn=0.8-2.0 B , Usd318 В
NMOП высоковольтный:
Vtn=0.8-2.0 B , Usd3600 В
200 В, с изоляцией p-n переходом 1 ПКК 1 металл, NДMOП/PДMOП высоковольтные транзисторы
-
Характеристика процесса:
Кол-во фотолитографий, шт. 19
Средняя проектная норма, мкм 4.0
Подложка: 460КДБ12 (100)
Скрытые слои: 30КЭС5,5/300КДБ2.0
Эпитаксиальный слой 27КЭФ8.0
Изоляция: p-n переход
Глубина P-кармана, мкм 6.5
Глубина базы NДMOП, мкм 3.0
Подзатворный SiO2, Å 900
Глубина p-базы NPN, мкм 2.5
Глубина N+эмиттера, мкм 0.8
Межслойный диэлектрик СTФСС 0,55мкм+SIPOS 0.1мкм+ СTФСС 1,1мкм
Длина канала по затвору:
N/PДMOП, мкм 6
шаг ПКК, мкм 8
контакты, мкм 4
шаг по металлу, мкм 12 -
Применение, элементная база:
Аналоговые ИС малой степени интеграции с Еп до 210 В
Вертикальный NPN:
Вп=70 Uсе=50 В
NДMOП: Vtn= 2.0 B,
Usd >200 В
PДMOП: Vtp= -1.0 B,
Usd >200 В
NMOS: Vtn= 1.5 B , Usd >20 В
Резисторы в слое:
База NPN, Р-сток, ПКК.
Емкости: ПКК-Si (SiO2 900 Å)
ПКК-Al (SiO2 1600 Å)
КМОП, 0.35 мкм, 1ПКК, 2 металла пл. 200 мм
-
Характеристика процесса:
Кол-во фотолитографий, шт. 15
Проектная норма, мкм 0.35
Подложка: 725КДБ0,015(100)
Эпитаксиальный слой: 15КДБ12
2 ретроградных кармана
Межслойный диэлектрик:
SACVD SiO2 + ПХ ТЭОС, мкм 1,05 мкм
Подзатворный SiO2, Å 70
длина канала
NMOS/PMOS, мкм 0.35
N&P LDD- стоки
Силицид титана
металл I Ti/AlCu / Ti /TiN
шаг ПКК, мкм 0.8
контакты 1 (заполнены W), мкм ø 0.5
шаг по металлу 1, мкм 0.95
металл 2 Ti/AlCu
контакты 2 (заполнены W), мкм ø 0.5
шаг по металлу 2, мкм 1.1 -
Применение, элементная база:
Цифровые ИМС, спецстойкие,
Епит = 3 В
NMOS:
Vtn=0.6 В, Usd >5 В
PMOS:
Vtр=-0.6 В, Usd >5 B
0,35 мкм; 2 ПКК; 2 металла; КМОП, ЭСППЗУ; пл. 200 мм
-
Характеристика процесса:
Количество фотолитографий, шт. 27
(с метками)
Проектная норма, мкм 1.2
Подложка: : Эпитаксиальная структура
КДБ(6-15) на КДБ 0,007-0,020(100)
2 кармана
Глубина N/P-кармана, мкм 3,0/1,3
Подзатворный SiO2:
низковольтные транзисторы, Å 120
высоковольтные транзисторы, Å 250
Туннельный SiO2, Å 75
Межсл. диэлектрик-1:Si3N4, Å 250
Длина канала:
низковольтные NMOS/PMOS, мкм 0.5/0.5
высоковольтные NMOS/PMOS, мкм 2.1/1.0
N и P LDD- стоки, Встроенные транзисторы,
шаг ПКК1, мкм 2.5
шаг по ПКК2 без контакта, мкм 1.1
Силицид
контакты 1 (заполнены W), мкм 0.5
Межслойный диэлектрик 2:
SACVD SiO2 + ПХ ТЭОС, мкм 1,05
металл I Ti/AlCu / Ti /TiN
шаг по металлу 1, мкм 1.0
Межуровневый диэлектрик SACVD SiO2+ПХО ТЭОС, мкм 0.95
контакты 2 (заполнены W), мкмø 0.5
металл 2 Ti/AlCu
шаг по металлу 2, мкм 1.1 - Применение, элементная база: ЭСППЗУ большой степени интеграции с Еп 5 В LV NMOS: Vtn=(0.5-0,7)В Usd³12 В LV PMOS: Vtр=-(0.6-0,8)В Usd ≤-12 В HV- NMOS: Vtn=(0,4-0,7)В Usd³17 В HV- РMOS: Vtр=-(0,6-0,9)В Usd ≤-15 В
0.5 мкм КМОП, 2 ПКК, 3 металла пл. 200 мм
-
Характеристика процесса:
Кол-во фотолитографий, шт. 17
Проектная норма, мкм 0.5
Подложка: Эпитаксиальная структура
КДБ(6-15) на КДБ 0,007-0,020(100)
2 кармана,
Глубина в активной области, мкм 1,0
Подзатворный SiO2, Å 120
шаг ПКК, мкм 1.0
длина канала
NMOS/PMOS, мкм 0.6/0.6
N и P LDD- стоки
ПКК резистор
Конденсаторы ПКК1 – ПКК2
Конденсаторный диэлектрик СТО, Å 300
Силицид
контакты 1 (заполнены W), мкм 0.5
Межслойный диэлектрик:
SACVD SiO2 + ПХ ТЭОС, мкм 1,05
металл I, 2 Ti/AlCu / Ti /TiN
шаг по металлу 1, мкм 1.0
шаг по металлу 2, мкм 1.1
металл 3 /Ti/AlCu
контакты 2, 3 (заполнены W), мкмø 0.6
шаг по металлу 3, мкм 1.2 - Применение, элементная база: Схемы контроллеров напряжения питания Епит от 2,7 до 5,5 В NMOS: Vtn=0.6 В, Usd >7 В PMOS: Vtр=-0.6 В, Usd >7 B
3-5 В, 0.5 мкм КМОП, 2 ПКК, 3 металла пл. 200 мм
-
Характеристика процесса:
Кол-во фотолитографий, шт. 18
Проектная норма, мкм 0.5
Подложка: Эпитаксиальная структура
КДБ(6-15) на КДБ 0,007-0,020(100)
N карман,
Глубина в активной области, мкм 1,0
Подзатворный SiO2, Å 120
шаг ПКК, мкм 1.5
длина канала
NMOS/PMOS, мкм 0.6/0.6
N и P LDD- стоки
ПКК резистор
Конденсаторы ПКК1 – ПКК2
Конденсаторный диэлектрик СТО, Å 300
Силицид
контакты 1 (заполнены W), мкм 0.6
Межслойный диэлектрик:
SACVD SiO2 + ПХ ТЭОС, мкм 1,05
металл I, 2 Ti/AlCu / Ti /TiN
шаг по металлу 1, мкм 1.6
шаг по металлу 2, мкм 1.7
металл 3 /Ti/AlCu
контакты 2, 3 (заполнены W), мкмø 0.7
шаг по металлу 3, мкм 2.2 -
Применение, элементная база:
Часовые ИС с Епит от 2 до 5.5 В
NMOS: Vtn=0.6 В, Usd >7 В
PMOS: Vtр=-0.6 В, Usd >7 B
1.2 мкм КМОП ППЗУ, 2ПКК, 2Ме,Пережигаемая перемычка
-
Характеристика процесса:
Количество фотолитографий, шт. 11
Проектные нормы, мкм 1.2
Подложка: КДБ12
Глубина N/P-кармана, мкм 5/6
Подзатворный SiO2, Å 250-300
Межслойный диэлектрик: БФСС
Длина канала:NMOS/PMOS, мкм 2.0
контакты, мкм 2.0х2.0
шаг металл 1, мкм 8
шаг металл 2, мкм 10 -
Применение, элементная база:
КМОП БМК
NMOS: Vtn=1.0B, Ic>10мА. Uпр>12 В
PMOS: Vtp= 1.0B, Ic>4.0мА, Uпр>12В
1.2 мкм КМОП, 1ПКК, 2Ме
-
Характеристика процесса:
Количество фотолитографий, шт. 11
Проектные нормы, мкм 1.2
Подложка: КДБ12
Глубина N/P-кармана, мкм 5/6
Подзатворный SiO2, Å 250-300
Межслойный диэлектрик: БФСС
Длина канала: NMOS/PMOS, мкм 1.4/1.6
шаг ПКК, мкм 2.8
контакты, мкм 1.6х1.6
шаг металл 1, мкм 3.4
шаг металл 2, мкм 3.0 -
Применение, элементная база:
КМОП БМК
NMOS: Vtn= 0.7B, Ic>11.5мА. Uпр>12 В
PMOS: Vtp= 0.8B, Ic>4.5мА, Uпр>12В
5 В, 3 мкм КМОП, 1 ПКК, 1 металл
-
Характеристика процесса:
Количество фотолитографий, шт. 11
Проектные нормы, мкм 2.0
Подложка: КЭФ 4.5
Глубина N/P-кармана, мкм 6-8
Подзатворный SiO2, Å 425/300
Межслойный диэлектрик: БФСС
Длина канала:NMOS/PMOS, мкм 3-4
шаг ПКК, мкм 10
контакты, мкм 4*4
шаг металл, мкм 10 -
Применение, элементная база:
Логические ИС
малой и средней степени интеграции
с Еп до 5 В
NMOS: Vtn= 0.8-1.2B, Ic>4мА. Uпр>8 В
PMOS: Vtp= 0.8-1.2B, Ic>2мА, Uпр>8В
1.5 В, 3.0 мкм КМОП, 1 ПКК,1 металл, несамосовмещенный затвор
-
Характеристика процесса:
Количество фотолитографий, шт. 9
Проектные нормы, мкм 3,0 – 5,0
Подложка: КЭФ4.5
Глубина P-кармана, мкм 6-8
Подзатворный SiO2, Å 800
Межслойный диэлектрик СTФСС
Длина канала: NMOS/PMOS, мкм 3
шаг ПКК, мкм 10
контакты, мкм 5
шаг по металлу, мкм 12 -
Применение, элементная база:
Часовые ИС
малой и средней степени интеграции
с Еп до 1.5В.
NMOS:
Vtn= 0.7/0.5 B , Usd >8 В, Ic>4мА
PMOS:
Vtp= -0.7 B/-0.5, Usd >8 В, Ic>2мА
3-5 В, 0.8 мкм КМОП, 1 ПКК (2ПКК),2 металла пл. 200 мм
-
Характеристика процесса:
Кол-во фотолитографий, шт. 14 (16)
Проектная норма, мкм 0.8
Подложка: КЭФ4.5 или КДБ12
2 кармана
Глубина N/ P карманов, мкм 4/4
Межслойный диэлектрик:
SACVD SiO2 + ПХ ТЭОС, мкм 1,05
Подзатворный SiO2, Å 130 / 160
длина канала
NMOS/PMOS, мкм 0.9/1.0
N и P LDD- стоки
металл I Ti/AlCu / Ti /TiN
шаг ПКК, мкм 1.9
контакты 1 (заполнены W), мкм 0.7
шаг по металлу 1, мкм 2.2
металл 2 /Ti/AlCu
контакты 2 (заполнены W), мкм ø 0.7
шаг по металлу 2, мкм 2.4 -
Применение, элементная база:
ИМС для телефонии, заказные ИМС
с Uпит от 3 до 5 В
NMOS: Vtn=0.6 В, Usd >10 В
PMOS: Vtр=-0.7 В, Usd >10 B
3-5 В, 0.8 мкм КМОП, 1 ПКК (2ПКК),2 металла пл. 150 мм
-
Характеристика процесса:
Кол-во фотолитографий, шт. 14 (16)
Проектная норма, мкм 0.8
Подложка: КЭФ4.5 или КДБ12, 2 кармана
Глубина N/ P карманов, мкм 4/4
Межслойный диэлектрик: БФСС
Подзатворный SiO2, Å 130 / 160
длина канала NMOS/PMOS, мкм 0.9/1.0
N и P LDD- стоки
металл I Ti-TiN/Al-Si/TiN
шаг ПКК, мкм 1.9
контакты 1, мкм ø 0.9
шаг по металлу 1, мкм 2.2
металл 2 Al-Si/TiN
контакты 2, мкм ø 0.9
шаг по металлу 2, мкм 2.4 -
Применение, элементная база:
ИС для телефонии, заказные ИС
с Eпит. от 3 В до 5 В
NMOS:
Vtn=0.6 В, Usd >10 В
PMOS:
Vtр=-0.7 В, Usd >10 B
5 В, 1.5 мкм КМОП,1 ПКК, 1 Металл, ПКК- резисторы пл. 150 мм
-
Характеристика процесса:
Количество фотолитографий, шт. 17
Проектная норма, мкм 1.5
Подложка: КДБ12, 2 кармана
Глубина N/P-кармана, мкм 5/6
ПKK резисторы Р-типа
Биполярный вертикальный NPNтранзистор
Подзатворный SiO2, Å 250
Межслойный диэлектрик: БФСС
длина канала NMOS/PMOS, мкм 1.7
N и P LDD- стоки
шаг ПКК, мкм 2.5
контакты, мкм ø 1.3
шаг по металлу, мкм 3.5 -
Применение, элементная база:
Схемы контроллеров напряжения питания
NMOS:
Vtn= 0.5 B , Usd >10 В
PMOS:
Vtp= 0.5 B, Usd >10 В
5 В, 1.5 мкм КМОП, 1 ПКК,1 металл. пл. 150 мм
-
Характеристика процесса:
Количество фотолитографий, шт. 16
Проектная норма, мкм 1.5
Подложка: КДБ12, 2 кармана
Глубина N/P-кармана, мкм 5/6
Межслойный диэлектрик: БФСС
Подзатворный SiO2, Å 250
Межслойный диэлектрик: БФСС
Встроенные транзисторы в ПЗУ
Скрытые контакты
длина канала NMOS/PMOS, мкм 1.5
N и P LDD- стоки
шаг ПКК, мкм 2.5
контакты, мкм ø 1.5
шаг по металлу, мкм 3.5 -
Применение, элементная база:
Цифровые ИМС. микроконтроллеры
с Епит=5 В
NMOS: Vtn= 0.6 В, Usd >10 В
PMOS: Vtр= 1.0В, Usd >13 B
1.5 В, 1.6 мкм КМОП, 1 ПКК,1 металл, низкопороговый пл. 150 мм
-
Характеристика процесса:
Количество фотолитографий, шт. 11
Проектная норма, мкм 1.6
Подложка: КДБ12, 2 кармана
Глубина N/P-кармана, мкм 5/6
Подзатворный SiO2, Å 300
Межслойный диэлектрик БФСС
Длина канала: NMOS/PMOS, мкм 2.0
шаг ПКК, мкм 3.2
контакты, мкм ø 1.5
шаг металла, мкм 3.6 -
Применение, элементная база:
Цифровые ИМС
средней степени интеграции
для ЭНЧ и микрокалькуляторов
Eпит от 1.5 В до 3 В.
NMOS: Vtn= 0.5 B , Usd >10 В
PMOS: Vtp= -0.5 B, Usd >10 В
5 В, 1.2 мкм КМОП, 2 ПКК, 2 металла, ЭСППЗУ пл. 150 мм
-
Характеристика процесса:
Количество фотолитографий, шт. 23
(с метками)
Проектная норма, мкм 1.2
Подложка: КДБ-12, 2 кармана
Глубина N/P-кармана, мкм 5/6
Подзатворный SiO2:
низковольтные транзисторы, Å 250
высоковольтные транзисторы, Å 350
Туннельный SiO2, Å 77
Межсл. диэлектрик-1:Si3N4, Å 350
Межсл. диэлектрик-2: БФСС, Å 7000
Межуровневый диэлектрик: ПХО+SOG+ПХО
Длина канала:
низковольтные NMOS/PMOS, мкм 1.4/1.6
высоковольтные NMOS/PMOS, мкм 2.6/2.6
N и P LDD- стоки, Встроенные транзисторы,
шаг ПКК1, мкм 3.2
шаг по ПКК2 без контакта, мкм 2.4
шаг по ПКК2 с контактом, мкм 4,6
контакты-1, мкм ø 1.2
шаг по металлу 1 без контакта, мкм 3.2
шаг по металлу 2 с контактом, мкм 4,4
контакты 2, мкм ø 1.4
шаг по металлу 2 без контакта, мкм 4.4
шаг по металлу 2 с контактом, мкм 4,8 -
Применение, элементная база:
ЭСППЗУ большой степени интеграции
с Еп от 2,4 В до 6 В
LV NMOS: Vtn=(0.4-0,8)В Usd?12 В
LV PMOS: Vtр=-(0.5-0,9)В Usd <=-12 В
HV- NMOS: Vtn=(0,3-0,6)В Usd?17 В
HV- РMOS: Vtр=-(0,6-1,0)В Usd <=-15 В
5 В, 1.6 мкм КМОП, 2 ПКК,1 металл, ЭСППЗУ пл. 150 мм
-
Характеристика процесса:
Количество фотолитографий, шт. 17
Проектная норма, мкм 1.6
Подложка: КДБ-12 2 кармана
Глубина N/P-кармана, мкм 5/6
Подзатворный SiO2, Å 425
Туннельный SiO2, Å 77
Межсл. диэлектрик-1: Si3N4, Å 350
Межсл. диэлектрик-2: БФСС, Å 7000
Встроенные транзисторы
Длина канала: NMOS/PMOS
низковольтные транзисторы, мкм 2.4
высоковольтные транзисторы, мкм 3.6
шаг ПКК1, мкм 3.2
шаг ПКК2, мкм 4.2
контакты, мкм ø1.2
шаг по металлу, мкм 4.4 -
Применение, элементная база:
ЭСППЗУ средней степени интеграции
с Епит от 2,4 В до 6 В
NMOS: Vtn=(0,65±0,25)В
Usd >=12 В
PMOS: Vtр=-(0,8±0,2)В Usd <=-12 В
HV-NMOS: Vtn=(0,45±0,15)В Usd317В
HV-PMOS: Vtp=-(0,8±0,2)В Usd <=-16 В
5 В, 2 мкм КМОП, 1 ПКК, 1 металл
-
Характеристика процесса:
Количество фотолитографий, шт. 11
Проектная норма, мкм 2.0
Подложка: КЭФ 4.5, 2 кармана
Глубина N/P-кармана, мкм 6/7
Подзатворный SiO2, Å 425/300
Межслойный диэлектрик: БФСС
Длина канала: NMOS/PMOS, мкм 2.5
шаг ПКК, мкм 4.5
контакты, мкм 2.4*2.4
шаг металл, мкм 8.5 -
Применение, элементная база:
Логические ИС малой и средней
степени интеграции с Еп до 5 В.
NMOS:
Vtn= 0.6/0.5 B , Usd >12 В
PMOS:
Vtp= -0.7 B/-0.5, Usd >14 В
5 В, 1.5 мкм КМОП, 1 ПКК,2 металла
-
Характеристика процесса:
Количество фотолитографий, шт. 14
Проектная норма, мкм 1.5
Подложка: КЭФ4.5
Глубина N/P-кармана, мкм 5/5
Межслойный диэлектрик: БФСС
Межуровневый диэлектрик: ПХО
Подзатворный SiO2, Å 245
Длина канала: NMOS/PMOS, мкм 1.4/2.0
N LDD- стоки
шаг ПКК,мкм 3.4
контакты 1, мкм 1.5*4.5
шаг металл 1, мкм 6.0
контакты 2, мкм 3.0*4.5
шаг металл 2, мкм 9.5 -
Применение, элементная база:
Логические ИС малой и средней
степени интеграции с Еп до 5 В
NMOS: Vtn= 0.8 B , Usd >12 В
PMOS: Vtp= -0.8 B, Usd >12 В
15 В,5.0 мкм КМОП, 1 ПКК, 1 металл, несамосовмещенный затвор
-
Характеристика процесса:
Количество фотолитографий, шт. 9
Проектная норма, мкм 5,0
Подложка: 460 КЭФ4.5 (100)
Глубина P-кармана, мкм 10
Подзатворный SiO2, Å 950
Межслойный диэлектрик СTФСС
Длина канала: NMOS/PMOS, мкм 5/6
шаг ПКК, мкм 5.5
контакты, мкм ø 2шаг по металлу, мкм 8
-
Применение, элементная база:
Логические ИС малой и средней
степени интеграции с Еп до 20В.
NMOS: Vtn= 1.1 B, Usd >27 В
PMOS: Vtp= -1.0 B, Usd>29 В
60 В с изоляцией p-n переходом “Bp30-60”
-
Характеристика процесса:
Количество фотолитографий, шт 13-15
Проектная норма, мкм 2.0
Подложка: 460КДБ10 (111)
Скрытые слои: 7.5КЭС13/1.95КДБ210
Эпитаксиальный слой: 15.5КЭФ6.5
Изоляция: p-n переход
Глубина p-базы, мкм 2.0
Глубина N+эмиттера, мкм 1.7
Размер эмиттера, мкм 9*9
Расстояние между
транзисторами, мкм 4
Коммутация:
контакты 1, мкм 3*3
шаг 1 металл, мкм 9.0
контакты 2, мкм 4*4
шаг 2 металл, мкм 14.0 -
Применение, элементная база:
Цифроаналоговые ИС малой и средней степени интеграции с Еп до 60В
Вертикальный NPN транзистор:
Вn=150 Uce=70 В
Горизонтальный РNP транзистор:
Вр=65 Uсе=70 В
Вертикальный РNP транзистор:
Вр=60 Uсе=70 В
Емкости: Э-Б; К-Б; Ме-n+;
Ме1-Ме2.
Резисторы в слоях:
Изоляция; База; Резистор.
40 В комплементарный с изоляцией p-n переходом “Bp30С-40”
-
Характеристика процесса:
Количество фотолитографий, шт 11-17
Проектная норма, мкм 2.0
Подложка: 460КДБ10 (111)
Скрытые слои: 7.5КЭС13/1.95КДБ350
Эпитаксиальный слой: 14КЭФ4.0
Изоляция: p-n переход
Глубина p-базы, мкм 2.0
Глубина N+эмиттера, мкм 1.7
Размер эмиттера, мкм 9*9
Расстояние между
транзисторами, мкм 4
Коммутация:
контакты 1, мкм 3*3
шаг 1 металл, мкм 9.0
контакты 2, мкм 4*4
шаг 2 металл, мкм 14.0 -
Применение, элементная база:
Цифроаналоговые ИС малой и средней степени интеграции с Еп до 40В
Вертикальный NPN транзистор:
Вn=150 Uce=48 В
Горизонтальный РNP транзистор:
Вр=65 Uсе=60 В
Вертикальный РNP транзистор:
Вр=60 Uсе=60 В
Вертикальный РNP с изолированным коллектором:
Вр=80 Uсе=50 В
Емкости: Э-Б; К-Б; Ме-n+;
Ме1-Ме2.
Резисторы в слоях: Изоляция; База; Резистор.
20 В с изоляцией p-n переходом
-
Характеристика процесса:
Количество фотолитографий, шт. 13
Проектная норма, мкм 2.0
Подложка: 460КДБ10 (111)
Скрытые слои: 5КЭС17/1.6КДБ510
Эпитаксиальный слой: 10КЭФ1,25
Изоляция: p-n переход
Глубина p-базы, мкм 2.4
Глубина N+эмиттера, мкм 1.7
Размер эмиттера, мкм 6
Расстояние между транзисторами, мкм 6
Коммутация: контакты 1, мкм 4
шаг 1 металл, мкм 13.0
контакты 2, мкм 4*4
шаг 2 металл, мкм 12.0 -
Применение, элементная база:
Цифроаналоговые ИС малой и средней
степени интеграции с Еп до 18 В
Вертикальный NPN:
Вn=150 Uce=28 В
Горизонтальный РNP:
Вр=35 Uсе=45 В
Вертикальный РNP:
Вр=35 Uсе=45 В
I2L вентиль
Емкости: Э-Б; К-Б; Ме-+;
Ме1-Ме2.
Резисторы в слоях:
Изоляция; База; Резистор.
15 В с изоляцией p-n переходом
-
Характеристика процесса:
Количество фотолитографий, шт 10-13
Проектная норма, мкм 2.0
Подложка: 460КДБ10 (111)
Скрытые слои: 6КЭС20/1.95КДБ210
Эпитаксиальный слой: 8КЭФ4.5
Изоляция: p-n переход
Глубина p-базы, мкм 2.4
Глубина N+эмиттера, мкм 1.7
Размер эмиттера, мкм 6
Расстояние между транзисторами, мкм 6
Коммутация: контакты 1, мкм 4
шаг 1 металл, мкм 13 -
Применение, элементная база:
Цифроаналоговые ИС малой и средней степени интеграции с Еп до 18 В
Вертикальный NPN:
Вn=150 Uce=28 В
Горизонтальный РNP:
Вр=35 Uсе=45 В
Вертикальный РNP:
Вр=35 Uсе=45 В
Конденсатор: Ме-n+эмиттер.
Резисторы в слое ПКК
Диоды Шоттки с Мо барьером
-
Характеристика процесса:
Количество фотолитографий, шт. 4
размер мм 1 0. 76х0.76 - 4х4
Подложка: 460КЭМ0.0035 (111)
Эпитаксиальный слой: 4.5КЭФ(0.6-0.8)
Изоляция: p-n переход с полевым окислом
Металлизация Аl + Mo-Ti-Ni-Ag -
Применение, элементная база:
Кремниевые быстро действующие
диоды для импульсных
источников питания.
U обр.В 40 – 150
I обр.мка < 250
Iпр. мах. А 1 - 30