МЕНЮ Высокія тэхналогіі для лепшага жыцця
BY
Выбраць мову
CN RU EN

15 В с изоляцией p-n переходом

Параметр Значэнне
Характеристика процесса Количество фотолитографий, шт                              10-13
Проектная норма, мкм                                                2.0
Подложка:                                                     460КДБ10 (111)
Скрытые слои:                                     6КЭС20/1.95КДБ210
Эпитаксиальный слой:                                           8КЭФ4.5
Изоляция:                                                          p-n переход
Глубина p-базы, мкм                                                   2.4
Глубина N+эмиттера, мкм                                          1.7
Размер эмиттера, мкм                                                 6
Расстояние между транзисторами, мкм                     6
Коммутация:  контакты 1, мкм                                     4
шаг 1 металл, мкм                                                       13
Применение, элементная база Цифроаналоговые ИС малой и средней степени интеграции с Еп до 18 В
Вертикальный NPN:
Вn=150 Uce=28 В
Горизонтальный РNP:
Вр=35 Uсе=45 В
Вертикальный РNP:
Вр=35 Uсе=45 В
Конденсатор: Ме-n+эмиттер.
Резисторы в слое ПКК
Парадак, кошт і тэрміны выканання заказаў на пастаўку дробнасерыйных тавараў дадаткова ўзгадняюцца Спажыўцом са службамі маркетынгу і збыту ААТ «ІНТЭГРАЛ» - кіруючай кампаніі холдынга «ІНТЭГРАЛ»

Маркетынг , Аддзел продажаў
Тэл.: .....(+375 17) 272 3729
       ......(+375 17) 353 2257
Факс:......(+375 17) 353 2257
Адрас электроннай пошты: export@integral.by

Задать вопрос