15 В с изоляцией p-n переходом
Параметр | Значэнне |
---|---|
Характеристика процесса | Количество фотолитографий, шт 10-13 Проектная норма, мкм 2.0 Подложка: 460КДБ10 (111) Скрытые слои: 6КЭС20/1.95КДБ210 Эпитаксиальный слой: 8КЭФ4.5 Изоляция: p-n переход Глубина p-базы, мкм 2.4 Глубина N+эмиттера, мкм 1.7 Размер эмиттера, мкм 6 Расстояние между транзисторами, мкм 6 Коммутация: контакты 1, мкм 4 шаг 1 металл, мкм 13 |
Применение, элементная база | Цифроаналоговые ИС малой и средней степени интеграции с Еп до 18 В Вертикальный NPN: Вn=150 Uce=28 В Горизонтальный РNP: Вр=35 Uсе=45 В Вертикальный РNP: Вр=35 Uсе=45 В Конденсатор: Ме-n+эмиттер. Резисторы в слое ПКК |
Парадак, кошт і тэрміны выканання заказаў на пастаўку дробнасерыйных тавараў дадаткова ўзгадняюцца Спажыўцом са службамі маркетынгу і збыту ААТ «ІНТЭГРАЛ» - кіруючай кампаніі холдынга «ІНТЭГРАЛ»
Маркетынг , Аддзел продажаў
Тэл.: .....(+375 17) 272 3729
......(+375 17) 353 2257
Факс:......(+375 17) 353 2257
Адрас электроннай пошты: export@integral.by
Тэл.: .....(+375 17) 272 3729
......(+375 17) 353 2257
Факс:......(+375 17) 353 2257
Адрас электроннай пошты: export@integral.by