Тэхналогіі

Полевые Р ДМОП транзисторы

  • Характеристика процесса: Кол-во фотолитографий, шт.                 7-9

    Проектная норма, мкм                           3.0

    Подложка:                                    КДБ 0,005

    эпитаксиальный слой:

    толщина, мкм                                     13–34

    удельное сопротивление, Ом*см    (2-21)

    подзатворный окисел, нм                42,5-80

    Межслойный диэлектрик      СТФСС(БФСС)

    Пассивация:                                      НТФСС
  • Применение, элементная база: MOSFET

    Маломощные     Мощные

    Vtn=0,8–2,0 В       Vtn=2,0–4,0 В
    Uпр= 50–240 В    Uпр= 60–100В

    Pmax=1,0 Вт          Pmax=150 Вт

Полевые N ДМОП транзисторы

  • Характеристика процесса: Кол-во фотолитографий, шт.                 7-9

    Проектная норма, мкм                           3.0

    Подложка:                                      КЭС 0,01

    эпитаксиальный слой:

    толщина,  мкм                                      9-42

    удельное сопротивление, Омxсм  (0,7-16)

    подзатворный окисел, нм               42,5-80

    Межслойный диэлектрик    СТФСС(БФСС)

    Пассивация:                                    НТФСС
  • Применение, элементная база: MOSFET

    Маломощные     Мощные

    Vtn=0,6–3,0 В       Vtn=2,0–4,0 В
    Uпр= 50–200 В    Uпр= 50–600В

    Pmax=1,0 Вт          Pmax=200 Вт

Мощные полевые МОП транзисторы,Uмакс= 60-900 В пл. 150 мм

  • Характеристика процесса: Кол-во фотолитографий, шт.                    8

    Проектная норма, мкм                           2.0

    Подложка:               КЭС 0,015 / КЭМ 0,003

    эпитаксиальный слой:

    толщина, мкм                                        8-75

    удельное сопротивление, Ом*см 0,67-31,5

    подзатворный окисел, нм              60-100

    Межслойный диэлектрик   СТО + БФСС

    Пассивация                       ПХО+ПХ SI3N4
  • Применение, элементная база: MOSFET

    NMOS: Vtn=2÷4 В 
    Uмакс= 60÷900 В

БиКДМОП, с изоляцией LOCOS 1 ПКК 1 металл, NMOП/PMOП транзисторы

  • Характеристика процесса: Кол-во фотолитографий, шт.      15

    Проектная норма, мкм              2.5

    Подложка:                           КДБ 80

    Изоляция:                           LOCOS

    Глубина P-кармана, мкм           6.5

    Глубина N-кармана, мкм           4.5

    Глубина базы NДMOП, мкм       2.4

    Подзатворный SiO2, Å              600

    Межслойный диэлектрик
    СТФСС, мкм                               0,6

    Длина канала: NMOS/PMOS, мкм 2.0

    контакты, мкм                       2.0х2.0

    шаг металл 1, мкм                         8

    шаг металл 2, мкм                       10
  • Применение, элементная база: Низковольтные транзисторы

    NMOП: Vtn= 1.8 B , Usd >16 В

    PMOП: Vtp= 1.5 B , Usd >16 В

    NPN: h21э = 100-300

    Резисторы в слое:

    ПКК 1 = 20-30 Ом/кв.

     

    Высоковольтные транзисторы

    NДMOП: Vtn= 1.0-1.8 B , Usd>=500 В

    PДMOП: Vtp= 0.7-2.0 B , Usd >=700 В

90 В, с изоляцией p-n переходом 1 ПКК 1 металл, NMOП/PMOП низковольтные транзисторы, NДMOП/PДMOП высоковольтные горизонтальные транзисторы, мощный вертикальный NДMOП транзистор, биполярные вертикальные NPN и горизонтальные PNP транзисторы

  • Характеристика процесса: Кол-во фотолитографий, шт.   19

    Проектная норма, мкм            3.0

    Подложка:460КДБ12 (100)

    Скрытые слои: 20КЭС6/250КДБ2.0

    Эпитаксиальный слой 10КЭФ1.5

    Изоляция:                  p-n переход

    Глубина P-кармана, мкм         6.5

    Глубина базы NДMOП, мкм     2.5

    Подзатворный SiO2, Å  750

    Глубина p-базы NPN, мкм       2.5

    Глубина N+эмиттера, мкм       0.5

    Межслойный диэлектрик      
    БФСС, мкм                                0,8

    Длина канала по затвору:
    N/PMOП, мкм                             ø 4

    шаг ПКК, мкм                                7

    контакты, мкм                               2

    шаг по металлу, мкм                       8
  • Применение, элементная база:
    Аналоговые ИС малой и средней степени интеграции с Еп до 90 В

    Вертикальный NPN:
    Вп=50 Uсе=20 В

    Горизонтальный PNP:
    Вр=25 Uсе=20 В

    LNДMOП: Vtn= 2.0 B,
    Usd >90 В

    LPДMOП: Vtp= -1.4 B,
    Usd >90 В

    NMOП: Vtn= 1.2 B , Usd >18 В

    PMOП: Vtp= 1.5 B , Usd >18 В

    VNДMOП: Vtn= 2.0 B,
    Usd >70 В

    Резисторы в слое:
    База NДMOП, Р-сток, ПКК.

    Емкости: ПКК-Si (SiO2 750 Å)

    ПКК-Al (SiO2 8000 Å)

БиКДМОП 600 В с изоляцией p-n переходом 1 ПКК 1 металл

  • Характеристика процесса: Кол-во фотолитографий, шт. 15

    Проектная норма, мкм         3.0

    Подложка:         460КДБ60 (100)

    Изоляция:               p-n переход

    Глубина базы NДMOП, мкм    2.5

    Подзатворный SiO2, Å           750

    Межслойный диэлектрик
    БФСС, мкм                              0,8
  • Применение, элементная база: ИМС управления импульсным источником питания

    Низковольтный NPN:

    h21э не менее 50, Uсе не менее 30 В

    Горизонтальный PNP:

    h21э=2,2-30 Uсе=25-60 В

    NДMOП: Vtn=1.2-3.0 В, Usd330 В

    PMOП низковольтный:

    Vtp=0.8-2.0 B, Usd318 В

    PMOП высоковольтный:

    Vtp=0.8-2.0 B , Usd322 В

    NMOП низковольтный:

    Vtn=0.8-2.0 B , Usd318 В

    NMOП высоковольтный:

    Vtn=0.8-2.0 B , Usd3600 В

200 В, с изоляцией p-n переходом 1 ПКК 1 металл, NДMOП/PДMOП высоковольтные транзисторы

  • Характеристика процесса: Кол-во фотолитографий, шт.                        19

    Средняя проектная норма, мкм                  4.0

    Подложка:                                 460КДБ12 (100)

    Скрытые слои:                30КЭС5,5/300КДБ2.0

    Эпитаксиальный слой                      27КЭФ8.0

    Изоляция:                                      p-n переход

    Глубина P-кармана, мкм                              6.5

    Глубина базы NДMOП, мкм                           3.0

    Подзатворный SiO2, Å                                   900

    Глубина p-базы NPN, мкм                              2.5

    Глубина N+эмиттера, мкм                             0.8

    Межслойный диэлектрик  СTФСС 0,55мкм+SIPOS 0.1мкм+ СTФСС 1,1мкм

    Длина канала по затвору:

    N/PДMOП, мкм                                                   6

    шаг ПКК, мкм                                                     8

    контакты, мкм                                                   4

    шаг по металлу, мкм                                        12 
  • Применение, элементная база: Аналоговые ИС малой степени интеграции с Еп до 210 В

     

    Вертикальный NPN:

    Вп=70 Uсе=50 В

    NДMOП: Vtn= 2.0 B,

    Usd >200 В

    PДMOП: Vtp= -1.0 B,

    Usd >200 В

    NMOS: Vtn= 1.5 B , Usd >20 В

     

    Резисторы в слое:

    База NPN, Р-сток, ПКК.

     

    Емкости: ПКК-Si (SiO2 900 Å)

    ПКК-Al (SiO2 1600 Å)

КМОП, 0.35 мкм, 1ПКК, 2 металла пл. 200 мм

  • Характеристика процесса: Кол-во фотолитографий, шт.                  15

    Проектная норма, мкм                          0.35

    Подложка:                      725КДБ0,015(100)

    Эпитаксиальный слой:                 15КДБ12

    2 ретроградных кармана

    Межслойный диэлектрик:
    SACVD SiO2 + ПХ ТЭОС, мкм      1,05 мкм

    Подзатворный SiO2, Å                            70

    длина канала
    NMOS/PMOS, мкм                                0.35

    N&P LDD- стоки

    Силицид титана

    металл I                              Ti/AlCu / Ti /TiN

    шаг ПКК, мкм                                          0.8

    контакты 1 (заполнены W), мкм      ø 0.5

    шаг по металлу 1, мкм                         0.95

    металл 2                                           Ti/AlCu

    контакты 2 (заполнены W), мкм      ø 0.5

    шаг по металлу 2, мкм                            1.1
  • Применение, элементная база: Цифровые ИМС, спецстойкие,
    Епит = 3 В

    NMOS:
    Vtn=0.6 В, Usd >5 В
    PMOS:
    Vtр=-0.6 В, Usd >5 B

0,35 мкм; 2 ПКК; 2 металла; КМОП, ЭСППЗУ; пл. 200 мм

  • Характеристика процесса: Количество фотолитографий, шт.         27
    (с метками)

    Проектная норма, мкм                           1.2

    Подложка: : Эпитаксиальная структура
    КДБ(6-15) на КДБ 0,007-0,020(100)
    2 кармана

    Глубина N/P-кармана, мкм                  3,0/1,3

    Подзатворный SiO2:

    низковольтные транзисторы, Å            120

    высоковольтные транзисторы, Å          250

    Туннельный SiO2, Å                               75

    Межсл. диэлектрик-1:Si3N4, Å              250

    Длина канала:

    низковольтные NMOS/PMOS, мкм   0.5/0.5

    высоковольтные NMOS/PMOS, мкм 2.1/1.0

    N и P LDD- стоки, Встроенные транзисторы,

    шаг ПКК1, мкм                                       2.5

    шаг по ПКК2 без контакта, мкм            1.1

    Силицид

    контакты 1 (заполнены W), мкм            0.5

    Межслойный диэлектрик 2:

    SACVD SiO2 + ПХ ТЭОС, мкм              1,05

    металл I                       Ti/AlCu / Ti /TiN

    шаг по металлу 1, мкм                           1.0

    Межуровневый диэлектрик SACVD SiO2+ПХО ТЭОС, мкм  0.95

    контакты 2 (заполнены W), мкмø         0.5

    металл 2                       Ti/AlCu

    шаг по металлу 2, мкм                          1.1   
  • Применение, элементная база: ЭСППЗУ большой степени интеграции с Еп 5 В

    LV NMOS: Vtn=(0.5-0,7)В Usd³12 В
    LV PMOS: Vtр=-(0.6-0,8)В Usd ≤-12 В
    HV- NMOS: Vtn=(0,4-0,7)В Usd³17 В
    HV- РMOS: Vtр=-(0,6-0,9)В Usd ≤-15 В

0.5 мкм КМОП, 2 ПКК, 3 металла пл. 200 мм

  • Характеристика процесса: Кол-во фотолитографий, шт.             17

    Проектная норма, мкм                      0.5

    Подложка: Эпитаксиальная структура
    КДБ(6-15) на КДБ 0,007-0,020(100)
    2 кармана,

    Глубина в активной области, мкм     1,0

    Подзатворный SiO2, Å                      120

    шаг ПКК, мкм                                      1.0

    длина канала
    NMOS/PMOS, мкм                        0.6/0.6

    N и P  LDD- стоки

    ПКК резистор

    Конденсаторы ПКК1 – ПКК2

    Конденсаторный диэлектрик СТО, Å  300

    Силицид

    контакты 1 (заполнены W), мкм        0.5

    Межслойный диэлектрик:

    SACVD SiO2 + ПХ ТЭОС, мкм          1,05

    металл I, 2                          Ti/AlCu / Ti /TiN

    шаг по металлу 1, мкм                       1.0

    шаг по металлу 2, мкм                       1.1
    металл 3                                      /Ti/AlCu

    контакты 2, 3 (заполнены W), мкмø  0.6

    шаг по металлу 3, мкм                       1.2
  • Применение, элементная база: Схемы контроллеров напряжения питания
    Епит от 2,7 до 5,5 В

    NMOS: Vtn=0.6 В, Usd >7 В
    PMOS: Vtр=-0.6 В, Usd >7 B

3-5 В, 0.5 мкм КМОП, 2 ПКК, 3 металла пл. 200 мм

  • Характеристика процесса: Кол-во фотолитографий, шт.       18

    Проектная норма, мкм                 0.5

    Подложка: Эпитаксиальная структура
    КДБ(6-15) на КДБ 0,007-0,020(100)

    N карман,

    Глубина в активной области, мкм  1,0

    Подзатворный SiO2, Å                 120

    шаг ПКК, мкм                                 1.5

    длина канала

    NMOS/PMOS, мкм                   0.6/0.6

    N и P  LDD- стоки

    ПКК резистор

    Конденсаторы ПКК1 – ПКК2

    Конденсаторный диэлектрик СТО, Å  300

    Силицид

    контакты 1 (заполнены W), мкм       0.6

    Межслойный диэлектрик:
    SACVD SiO2 + ПХ ТЭОС, мкм       1,05

    металл I, 2                        Ti/AlCu / Ti /TiN

    шаг по металлу 1, мкм                    1.6

    шаг по металлу 2, мкм                    1.7

    металл 3                                  /Ti/AlCu

    контакты 2, 3 (заполнены W), мкмø 0.7

    шаг по металлу 3, мкм                    2.2
  • Применение, элементная база: Часовые ИС с  Епит от 2 до 5.5 В

    NMOS: Vtn=0.6 В, Usd >7 В
    PMOS: Vtр=-0.6 В, Usd >7 B

1.2 мкм КМОП ППЗУ, 2ПКК, 2Ме,Пережигаемая перемычка

  • Характеристика процесса: Количество фотолитографий, шт.      11

    Проектные нормы, мкм                    1.2

    Подложка:                                  КДБ12

    Глубина N/P-кармана, мкм               5/6

    Подзатворный SiO2, Å              250-300

    Межслойный диэлектрик:             БФСС

    Длина канала:NMOS/PMOS, мкм       2.0

    контакты, мкм                              2.0х2.0

    шаг металл 1, мкм                                8

    шаг металл 2, мкм                              10
  • Применение, элементная база: КМОП БМК

    NMOS: Vtn=1.0B, Ic>10мА. Uпр>12 В

    PMOS: Vtp= 1.0B, Ic>4.0мА, Uпр>12В

1.2 мкм КМОП, 1ПКК, 2Ме

  • Характеристика процесса: Количество фотолитографий, шт.        11

    Проектные нормы, мкм                       1.2

    Подложка:                                       КДБ12

    Глубина N/P-кармана, мкм                  5/6

    Подзатворный SiO2, Å                 250-300

    Межслойный диэлектрик: БФСС

    Длина канала: NMOS/PMOS, мкм   1.4/1.6

    шаг ПКК, мкм                                      2.8

    контакты, мкм                                1.6х1.6

    шаг металл 1, мкм                               3.4

    шаг металл 2, мкм                               3.0
  • Применение, элементная база: КМОП БМК

    NMOS: Vtn= 0.7B, Ic>11.5мА. Uпр>12 В

    PMOS: Vtp= 0.8B, Ic>4.5мА, Uпр>12В

5 В, 3 мкм КМОП, 1 ПКК, 1 металл

  • Характеристика процесса: Количество фотолитографий, шт.        11

    Проектные нормы, мкм                       2.0

    Подложка:                                     КЭФ 4.5

    Глубина N/P-кармана, мкм                  6-8

    Подзатворный SiO2, Å                 425/300

    Межслойный диэлектрик:               БФСС

    Длина канала:NMOS/PMOS, мкм       3-4

    шаг ПКК, мкм                                        10

    контакты, мкм                                     4*4

    шаг металл, мкм                                  10
  • Применение, элементная база: Логические ИС
    малой и средней степени интеграции
    с Еп до 5 В

    NMOS: Vtn= 0.8-1.2B, Ic>4мА. Uпр>8 В

    PMOS: Vtp= 0.8-1.2B, Ic>2мА, Uпр>8В

1.5 В, 3.0 мкм КМОП, 1 ПКК,1 металл, несамосовмещенный затвор

  • Характеристика процесса: Количество фотолитографий, шт.          9

    Проектные нормы, мкм             3,0 – 5,0

    Подложка:                                      КЭФ4.5

    Глубина P-кармана, мкм                    6-8

    Подзатворный SiO2, Å                        800

    Межслойный диэлектрик              СTФСС

    Длина канала: NMOS/PMOS, мкм          3

    шаг ПКК, мкм                                         10

    контакты, мкм                                         5

    шаг по металлу, мкм                             12
  • Применение, элементная база: Часовые ИС
    малой и средней степени интеграции
    с Еп до 1.5В.

    NMOS:

    Vtn= 0.7/0.5 B , Usd >8 В, Ic>4мА

    PMOS:

    Vtp= -0.7 B/-0.5, Usd >8 В, Ic>2мА

3-5 В, 0.8 мкм КМОП, 1 ПКК (2ПКК),2 металла пл. 200 мм

  • Характеристика процесса: Кол-во фотолитографий, шт.    14 (16)

    Проектная норма, мкм                  0.8

    Подложка:           КЭФ4.5 или КДБ12

    2 кармана

    Глубина N/ P карманов, мкм          4/4

    Межслойный диэлектрик:

    SACVD SiO2 + ПХ ТЭОС, мкм       1,05

    Подзатворный SiO2, Å           130 / 160

    длина канала

    NMOS/PMOS, мкм                     0.9/1.0

    N и P  LDD- стоки

    металл I                         Ti/AlCu / Ti /TiN

    шаг ПКК, мкм                                     1.9

    контакты 1 (заполнены W), мкм       0.7

    шаг по металлу 1, мкм                     2.2

    металл 2                                  /Ti/AlCu

    контакты 2 (заполнены W), мкм ø    0.7

    шаг по металлу 2, мкм                     2.4
  • Применение, элементная база: ИМС для телефонии, заказные ИМС
    с  Uпит от 3 до 5 В

     NMOS: Vtn=0.6 В, Usd >10 В

    PMOS: Vtр=-0.7 В, Usd >10 B

3-5 В, 0.8 мкм КМОП, 1 ПКК (2ПКК),2 металла пл. 150 мм

  • Характеристика процесса: Кол-во фотолитографий, шт.        14 (16)

    Проектная норма, мкм                        0.8

    Подложка: КЭФ4.5 или КДБ12, 2 кармана

    Глубина N/ P карманов, мкм               4/4

    Межслойный диэлектрик:   БФСС

    Подзатворный SiO2, Å               130 / 160

    длина канала NMOS/PMOS, мкм   0.9/1.0

    N и P LDD- стоки

    металл I                             Ti-TiN/Al-Si/TiN

    шаг ПКК, мкм                                       1.9

    контакты 1, мкм                                ø 0.9

    шаг по металлу 1, мкм                        2.2

    металл 2                                      Al-Si/TiN

    контакты 2, мкм                                ø 0.9

    шаг по металлу 2, мкм                        2.4
  • Применение, элементная база: ИС для телефонии, заказные ИС
    с Eпит. от 3 В до 5 В

     NMOS: 

    Vtn=0.6 В, Usd >10 В

    PMOS: 

    Vtр=-0.7 В, Usd >10 B

5 В, 1.5 мкм КМОП,1 ПКК, 1 Металл, ПКК- резисторы пл. 150 мм

  • Характеристика процесса: Количество фотолитографий, шт.        17

    Проектная норма, мкм                        1.5

    Подложка:                    КДБ12, 2 кармана

    Глубина N/P-кармана, мкм                  5/6

    ПKK резисторы Р-типа

    Биполярный вертикальный NPNтранзистор

    Подзатворный SiO2, Å                        250

    Межслойный диэлектрик:               БФСС

    длина канала NMOS/PMOS, мкм         1.7

    N и P LDD- стоки

    шаг ПКК, мкм                                        2.5

    контакты, мкм                                   ø 1.3

    шаг по металлу, мкм                            3.5
  • Применение, элементная база: Схемы контроллеров напряжения питания

    NMOS:

    Vtn= 0.5 B , Usd >10 В

    PMOS:

    Vtp= 0.5 B, Usd >10 В

5 В, 1.5 мкм КМОП, 1 ПКК,1 металл. пл. 150 мм

  • Характеристика процесса: Количество фотолитографий, шт.        16

    Проектная норма, мкм                        1.5

    Подложка:        КДБ12,   2 кармана

    Глубина N/P-кармана, мкм                  5/6

    Межслойный диэлектрик:        БФСС

    Подзатворный SiO2, Å                        250

    Межслойный диэлектрик:        БФСС

    Встроенные транзисторы в ПЗУ

    Скрытые контакты

    длина канала NMOS/PMOS, мкм        1.5

    N и P LDD- стоки

    шаг ПКК, мкм                                       2.5

    контакты, мкм                                   ø 1.5

    шаг по металлу, мкм                           3.5
  • Применение, элементная база: Цифровые ИМС. микроконтроллеры
     с Епит=5 В

    NMOS: Vtn= 0.6 В, Usd >10 В

    PMOS: Vtр= 1.0В, Usd >13 B

1.5 В, 1.6 мкм КМОП, 1 ПКК,1 металл, низкопороговый пл. 150 мм

  • Характеристика процесса: Количество фотолитографий, шт.       11

    Проектная норма, мкм                        1.6

    Подложка:            КДБ12, 2 кармана

    Глубина N/P-кармана, мкм                  5/6

    Подзатворный SiO2, Å                        300

    Межслойный диэлектрик                БФСС

    Длина канала: NMOS/PMOS, мкм      2.0

    шаг ПКК, мкм                                       3.2

    контакты, мкм                                   ø 1.5

    шаг металла, мкм                                3.6
  • Применение, элементная база: Цифровые ИМС
    средней степени интеграции
    для ЭНЧ и микрокалькуляторов 

    Eпит от 1.5 В до 3 В.

     NMOS: Vtn= 0.5 B , Usd >10 В

    PMOS: Vtp= -0.5 B, Usd >10 В

5 В, 1.2 мкм КМОП, 2 ПКК, 2 металла, ЭСППЗУ пл. 150 мм

  • Характеристика процесса: Количество фотолитографий, шт.       23

    (с метками)

    Проектная норма, мкм                        1.2

    Подложка: КДБ-12,  2 кармана

    Глубина N/P-кармана, мкм                  5/6

    Подзатворный SiO2:

    низковольтные транзисторы, Å          250

    высоковольтные транзисторы, Å       350

    Туннельный SiO2, Å                             77

    Межсл. диэлектрик-1:Si3N4, Å            350

    Межсл. диэлектрик-2: БФСС, Å        7000

    Межуровневый диэлектрик: ПХО+SOG+ПХО

    Длина канала:

    низковольтные NMOS/PMOS, мкм  1.4/1.6

    высоковольтные NMOS/PMOS, мкм 2.6/2.6

    N и P LDD- стоки, Встроенные транзисторы,

    шаг ПКК1, мкм                                     3.2

    шаг по ПКК2 без контакта, мкм          2.4

    шаг по ПКК2 с контактом, мкм           4,6

    контакты-1, мкм                               ø 1.2

    шаг по металлу 1 без контакта, мкм  3.2

    шаг по металлу 2 с контактом, мкм   4,4

    контакты 2, мкм                                ø 1.4

    шаг по металлу 2 без контакта, мкм  4.4

    шаг по металлу 2 с контактом, мкм   4,8
  • Применение, элементная база: ЭСППЗУ большой степени интеграции
    с Еп от 2,4 В до 6 В

     

    LV NMOS: Vtn=(0.4-0,8)В Usd?12 В

    LV PMOS: Vtр=-(0.5-0,9)В Usd <=-12 В

    HV- NMOS: Vtn=(0,3-0,6)В Usd?17 В

    HV- РMOS: Vtр=-(0,6-1,0)В Usd <=-15 В

5 В, 1.6 мкм КМОП, 2 ПКК,1 металл, ЭСППЗУ пл. 150 мм

  • Характеристика процесса: Количество фотолитографий, шт.     17

    Проектная норма, мкм                      1.6

    Подложка: КДБ-12                  2 кармана

    Глубина N/P-кармана, мкм                5/6

    Подзатворный SiO2, Å                      425

    Туннельный SiO2, Å                            77

    Межсл. диэлектрик-1: Si3N4, Å         350

    Межсл. диэлектрик-2: БФСС, Å       7000

    Встроенные транзисторы

    Длина канала: NMOS/PMOS

    низковольтные транзисторы, мкм      2.4

    высоковольтные транзисторы, мкм    3.6

    шаг ПКК1, мкм                                      3.2

    шаг ПКК2, мкм                                      4.2

    контакты, мкм                                    ø1.2

    шаг по металлу, мкм                            4.4
  • Применение, элементная база: ЭСППЗУ средней степени интеграции
    с Епит от 2,4 В до 6 В

    NMOS: Vtn=(0,65±0,25)В

    Usd >=12 В

    PMOS: Vtр=-(0,8±0,2)В    Usd <=-12 В

    HV-NMOS: Vtn=(0,45±0,15)В Usd317В

    HV-PMOS: Vtp=-(0,8±0,2)В Usd <=-16 В

5 В, 2 мкм КМОП, 1 ПКК, 1 металл

  • Характеристика процесса: Количество фотолитографий, шт.        11

    Проектная норма, мкм                        2.0

    Подложка:         КЭФ 4.5,  2 кармана

    Глубина N/P-кармана, мкм                 6/7

    Подзатворный SiO2, Å                 425/300

    Межслойный диэлектрик:               БФСС

    Длина канала: NMOS/PMOS, мкм       2.5

    шаг ПКК, мкм                                        4.5

    контакты, мкм                                2.4*2.4

    шаг металл, мкм                                  8.5
  • Применение, элементная база: Логические ИС малой и средней
    степени интеграции с Еп до 5 В.
    NMOS:
    Vtn= 0.6/0.5 B , Usd >12 В
    PMOS:
    Vtp= -0.7 B/-0.5, Usd >14 В

5 В, 1.5 мкм КМОП, 1 ПКК,2 металла

  • Характеристика процесса: Количество фотолитографий, шт.        14

    Проектная норма, мкм                        1.5

    Подложка:                                      КЭФ4.5

    Глубина N/P-кармана, мкм                  5/5

    Межслойный диэлектрик:               БФСС

    Межуровневый диэлектрик:               ПХО

    Подзатворный SiO2, Å                        245

    Длина канала: NMOS/PMOS, мкм 1.4/2.0

    N LDD- стоки

    шаг ПКК,мкм                                       3.4

    контакты 1, мкм                           1.5*4.5

    шаг металл 1, мкм                              6.0

    контакты 2, мкм                            3.0*4.5

    шаг металл 2, мкм                              9.5
  • Применение, элементная база: Логические ИС малой и средней
    степени интеграции с Еп до 5 В
    NMOS: Vtn= 0.8 B , Usd >12 В
    PMOS: Vtp= -0.8 B, Usd >12 В

15 В,5.0 мкм КМОП, 1 ПКК, 1 металл, несамосовмещенный затвор

  • Характеристика процесса:
    Количество фотолитографий, шт.        9

    Проектная норма, мкм                        5,0

    Подложка:                    460 КЭФ4.5 (100)

    Глубина  P-кармана, мкм                    10

    Подзатворный SiO2, Å                        950

    Межслойный диэлектрик              СTФСС

    Длина канала: NMOS/PMOS, мкм       5/6

    шаг ПКК, мкм                                      5.5

    контакты, мкм                                     ø 2

    шаг по металлу, мкм                              8
  • Применение, элементная база: Логические ИС малой и средней
    степени интеграции с Еп до 20В.
    NMOS: Vtn= 1.1 B, Usd >27 В
    PMOS: Vtp= -1.0 B, Usd>29 В

60 В с изоляцией p-n переходом “Bp30-60”

  • Характеристика процесса: Количество фотолитографий, шт 13-15
    Проектная норма, мкм                   2.0
    Подложка:                     460КДБ10 (111)
    Скрытые слои:   7.5КЭС13/1.95КДБ210
    Эпитаксиальный слой:        15.5КЭФ6.5
    Изоляция:                           p-n переход
    Глубина p-базы, мкм                        2.0
    Глубина N+эмиттера, мкм               1.7
    Размер эмиттера, мкм                     9*9
    Расстояние между
    транзисторами, мкм                            4
    Коммутация:
    контакты 1, мкм                                3*3
    шаг 1 металл, мкм                            9.0
    контакты 2, мкм                               4*4
    шаг 2 металл, мкм                          14.0
  • Применение, элементная база: Цифроаналоговые ИС малой и средней степени интеграции с Еп до 60В
    Вертикальный NPN транзистор:
    Вn=150 Uce=70 В
    Горизонтальный РNP транзистор:
    Вр=65 Uсе=70 В
    Вертикальный РNP транзистор:
    Вр=60 Uсе=70 В
    Емкости: Э-Б; К-Б; Ме-n+;
    Ме1-Ме2.
    Резисторы в слоях:
    Изоляция; База; Резистор.

40 В комплементарный с изоляцией p-n переходом “Bp30С-40”

  • Характеристика процесса: Количество фотолитографий, шт 11-17
    Проектная норма, мкм      2.0
    Подложка:                   460КДБ10 (111)
    Скрытые слои:  7.5КЭС13/1.95КДБ350
    Эпитаксиальный слой:        14КЭФ4.0
    Изоляция:                 p-n переход
    Глубина p-базы, мкм                        2.0
    Глубина N+эмиттера, мкм               1.7
    Размер эмиттера, мкм                     9*9
    Расстояние между
    транзисторами, мкм                            4
    Коммутация:
    контакты 1, мкм                                3*3
    шаг 1 металл, мкм                            9.0
    контакты 2, мкм                               4*4
    шаг 2 металл, мкм                          14.0
  • Применение, элементная база: Цифроаналоговые ИС малой и средней степени интеграции с Еп до 40В
    Вертикальный NPN транзистор:
    Вn=150 Uce=48 В
    Горизонтальный РNP транзистор:
    Вр=65 Uсе=60 В
    Вертикальный РNP транзистор:
    Вр=60 Uсе=60 В
    Вертикальный РNP с изолированным коллектором:
    Вр=80 Uсе=50 В
    Емкости: Э-Б; К-Б; Ме-n+;
    Ме1-Ме2.
    Резисторы в слоях: Изоляция; База; Резистор.

20 В с изоляцией p-n переходом

  • Характеристика процесса: Количество фотолитографий, шт.                                 13
    Проектная норма, мкм                                                   2.0
    Подложка:                                                      460КДБ10 (111)
    Скрытые слои:                                        5КЭС17/1.6КДБ510
    Эпитаксиальный слой:                                        10КЭФ1,25
    Изоляция:                                                            p-n переход
    Глубина p-базы, мкм                                                     2.4
    Глубина N+эмиттера, мкм                                            1.7
    Размер эмиттера, мкм                                                   6
    Расстояние между транзисторами, мкм                       6
    Коммутация: контакты 1, мкм                                        4
    шаг 1 металл, мкм                                                          13.0
    контакты 2, мкм                                                               4*4
    шаг 2 металл, мкм                                                          12.0
  • Применение, элементная база:

    Цифроаналоговые ИС малой и средней

    степени интеграции с Еп до 18 В
    Вертикальный NPN:
    Вn=150 Uce=28 В
    Горизонтальный РNP:
    Вр=35 Uсе=45 В
    Вертикальный РNP:
    Вр=35 Uсе=45 В
    I2L вентиль
    Емкости: Э-Б; К-Б; Ме-+;
    Ме1-Ме2.
    Резисторы в слоях:
    Изоляция; База; Резистор.


15 В с изоляцией p-n переходом

  • Характеристика процесса: Количество фотолитографий, шт                              10-13
    Проектная норма, мкм                                                2.0
    Подложка:                                                     460КДБ10 (111)
    Скрытые слои:                                     6КЭС20/1.95КДБ210
    Эпитаксиальный слой:                                           8КЭФ4.5
    Изоляция:                                                          p-n переход
    Глубина p-базы, мкм                                                   2.4
    Глубина N+эмиттера, мкм                                          1.7
    Размер эмиттера, мкм                                                 6
    Расстояние между транзисторами, мкм                     6
    Коммутация:  контакты 1, мкм                                     4
    шаг 1 металл, мкм                                                       13
  • Применение, элементная база: Цифроаналоговые ИС малой и средней степени интеграции с Еп до 18 В
    Вертикальный NPN:
    Вn=150 Uce=28 В
    Горизонтальный РNP:
    Вр=35 Uсе=45 В
    Вертикальный РNP:
    Вр=35 Uсе=45 В
    Конденсатор: Ме-n+эмиттер.
    Резисторы в слое ПКК

Диоды Шоттки с Мо барьером

  • Характеристика процесса: Количество фотолитографий, шт.              4
    размер мм        1                   0. 76х0.76 - 4х4
    Подложка:                     460КЭМ0.0035 (111)
    Эпитаксиальный слой:      4.5КЭФ(0.6-0.8)
    Изоляция:   p-n переход с полевым окислом
    Металлизация  Аl + Mo-Ti-Ni-Ag
  • Применение, элементная база: Кремниевые быстро действующие 
    диоды для импульсных 
    источников питания.
    U обр.В        40 – 150
    I обр.мка     < 250
    Iпр. мах. А    1 - 30