ДМАП

Полевые Р ДМОП транзисторы

  • Характеристика процесса: Кол-во фотолитографий, шт.                 7-9

    Проектная норма, мкм                           3.0

    Подложка:                                    КДБ 0,005

    эпитаксиальный слой:

    толщина, мкм                                     13–34

    удельное сопротивление, Ом*см    (2-21)

    подзатворный окисел, нм                42,5-80

    Межслойный диэлектрик      СТФСС(БФСС)

    Пассивация:                                      НТФСС
  • Применение, элементная база: MOSFET

    Маломощные     Мощные

    Vtn=0,8–2,0 В       Vtn=2,0–4,0 В
    Uпр= 50–240 В    Uпр= 60–100В

    Pmax=1,0 Вт          Pmax=150 Вт

Полевые N ДМОП транзисторы

  • Характеристика процесса: Кол-во фотолитографий, шт.                 7-9

    Проектная норма, мкм                           3.0

    Подложка:                                      КЭС 0,01

    эпитаксиальный слой:

    толщина,  мкм                                      9-42

    удельное сопротивление, Омxсм  (0,7-16)

    подзатворный окисел, нм               42,5-80

    Межслойный диэлектрик    СТФСС(БФСС)

    Пассивация:                                    НТФСС
  • Применение, элементная база: MOSFET

    Маломощные     Мощные

    Vtn=0,6–3,0 В       Vtn=2,0–4,0 В
    Uпр= 50–200 В    Uпр= 50–600В

    Pmax=1,0 Вт          Pmax=200 Вт

Мощные полевые МОП транзисторы,Uмакс= 60-900 В пл. 150 мм

  • Характеристика процесса: Кол-во фотолитографий, шт.                    8

    Проектная норма, мкм                           2.0

    Подложка:               КЭС 0,015 / КЭМ 0,003

    эпитаксиальный слой:

    толщина, мкм                                        8-75

    удельное сопротивление, Ом*см 0,67-31,5

    подзатворный окисел, нм              60-100

    Межслойный диэлектрик   СТО + БФСС

    Пассивация                       ПХО+ПХ SI3N4
  • Применение, элементная база: MOSFET

    NMOS: Vtn=2÷4 В 
    Uмакс= 60÷900 В