Мощные полевые МОП транзисторы,Uмакс= 60-900 В пл. 150 мм

Галоўная

Прадукцыя

Тэхналогіі

ДМАП

Мощные полевые МОП транзисторы,Uмакс= 60-900 В пл. 150 мм

Тэхнічныя характарыстыкі
Набыццё і тэхнічная падтрымка

Параметр	Значэнне
Характеристика процесса	Кол-во фотолитографий, шт. 8 Проектная норма, мкм 2.0 Подложка: КЭС 0,015 / КЭМ 0,003 эпитаксиальный слой: толщина, мкм 8-75 удельное сопротивление, Ом*см 0,67-31,5 подзатворный окисел, нм 60-100 Межслойный диэлектрик СТО + БФСС Пассивация ПХО+ПХ SI₃N₄
Применение, элементная база	MOSFET NMOS: Vtn=2÷4 В Uмакс= 60÷900 В

Параметр

Значэнне

Характеристика процесса

Кол-во фотолитографий, шт.                    8

Проектная норма, мкм                           2.0

Подложка:               КЭС 0,015 / КЭМ 0,003

эпитаксиальный слой:

толщина, мкм                                        8-75

удельное сопротивление, Ом*см 0,67-31,5

подзатворный окисел, нм              60-100

Межслойный диэлектрик   СТО + БФСС

Пассивация                       ПХО+ПХ SI₃N₄

Применение, элементная база

MOSFET

NMOS: Vtn=2÷4 В
Uмакс= 60÷900 В

Заказаць

Парадак, кошт і тэрміны выканання заказаў на пастаўку дробнасерыйных тавараў дадаткова ўзгадняюцца Спажыўцом са службамі маркетынгу і збыту ААТ «ІНТЭГРАЛ» - кіруючай кампаніі холдынга «ІНТЭГРАЛ»

Маркетынг , Аддзел продажаў
Тэл.: .....(+375 17) 272 3729
......(+375 17) 353 2257
Факс:......(+375 17) 353 2257
Адрас электроннай пошты: export@integral.by