Запамінальныя прылады
IZ7013
- Функцыянальнае прызначэнне: 8-ми разрядный с масочным ПЗУ и драйвером ЖКИ на (2/3/4)х34 сегмента
- Тып корпуса: б/к
IZ7012
- Функцыянальнае прызначэнне: 8-ми разрядный с FLASH памятью и драйвером ЖКИ на (2/3/4)х34 сегмента
- Тып корпуса: б/к
КР537РУ25В
- Тып корпуса: 239.24-2
- Диапазон температур: -10 +70 °С
- Организация, бит: 2048 х 8
- Ток потребления Iсс, мА,не более: 50
- Ток потребления в режиме хранения Iccs, мкА, не более: 0,01
КР537РУ25Б
- Прататып: HM65161-5
- Тып корпуса: 239.24-2
- Диапазон температур: -10 +70 °С
- Организация, бит: 2048 х 8
- Ток потребления Iсс, мА,не более: 50
- Ток потребления в режиме хранения Iccs, мкА, не более: 0,01
КР537РУ25А
- Прататып: CY6116-55C
- Тып корпуса: 239.24-2
- Диапазон температур: -10 +70 °С
- Организация, бит: 2048 х 8
- Ток потребления Iсс, мА,не более: 50
- Ток потребления в режиме хранения Iccs, мкА, не более: 0,01
КР537РУ14Б
- Прататып: HM3-6504B-5
- Тып корпуса: 2107.18-1
- Диапазон температур: -10 +70 °С
- Организация, бит: 4096 х 1
- Ток потребления Iсс, мА,не более: 35
- Ток потребления в режиме хранения Iccs, мкА, не более: 0,005
КР537РУ14А
- Прататып: HM3-6504S-5
- Тып корпуса: 2107.18-1
- Диапазон температур: -10 +70 °С
- Организация, бит: 4096 х 1
- Ток потребления Iсс, мА,не более: 35
- Ток потребления в режиме хранения Iccs, мкА, не более: 0,005
КР537РУ13А
- Прататып: MCM6548-85
- Тып корпуса: 2107.18-1
- Диапазон температур: -10 +70 °С
- Организация, бит: 1024 х 4
- Ток потребления Iсс, мА,не более: 50
- Ток потребления в режиме хранения Iccs, мкА, не более: 0,005
КР537РУ13
- Прататып: HM3-6514-5
- Тып корпуса: 2107.18-1
- Диапазон температур: -10 +70 °С
- Организация, бит: 1024 х 4
- Ток потребления Iсс, мА,не более: 50
- Ток потребления в режиме хранения Iccs, мкА, не более: 0,005
КР537РУ10Б
- Прататып: TC5517CP-20
- Тып корпуса: 239.24-2
- Диапазон температур: -10 +70 °С
- Организация, бит: 2048 х 8
- Ток потребления Iсс, мА,не более: 70
- Ток потребления в режиме хранения Iccs, мкА, не более: 1
КА537РУ10
- Прататып: HM3-6516-5
- Тып корпуса: 239.24-2
- Диапазон температур: -10 +70 °С
- Организация, бит: 2048 х 8
- Ток потребления Iсс, мА,не более: 60
- Ток потребления в режиме хранения Iccs, мкА, не более: 0,4
КР537РУ3Б
- Прататып: HM3-6504B-5
- Тып корпуса: 2107.18-1
- Диапазон температур: -10 +70 °С
- Организация, бит: 4096 х 1
- Ток потребления Iсс, мА,не более: 5
- Ток потребления в режиме хранения Iccs, мкА, не более: 0,001
КР537РУ3А
- Прататып: HM6504-5
- Тып корпуса: 2107.18-1
- Диапазон температур: -10 +70 °С
- Организация, бит: 4096 х 1
- Ток потребления Iсс, мА,не более: 5
- Ток потребления в режиме хранения Iccs, мкА, не более: 0,001
IN93AA46CD
- Прататып: 93AA46C
- Тып корпуса: 4303Ю.8-А
- Напряжение питания, В: 1,8 - 5,5
- Организация, бит: 1K (128х8 или 64х16)
- Ток потребления Iсс, мА,не более: 0,5/3
- Ток потребления в режиме хранения Iccs, мкА, не более: 5 или 1
- Частота, МГц: 1
IN93AA46CN
- Прататып: 93AA46C
- Тып корпуса: 2101.8-А
- Напряжение питания, В: 1,8 - 5,5
- Организация, бит: 1K (128х8 или 64х16)
- Ток потребления Iсс, мА,не более: 0,5/3
- Ток потребления в режиме хранения Iccs, мкА, не более: 5 или 1
- Частота, МГц: 1
IN93AA46BD
- Прататып: 93AA46B
- Тып корпуса: 4303Ю.8-А
- Напряжение питания, В: 1,8 - 5,5
- Организация, бит: 1K (64х16)
- Ток потребления Iсс, мА,не более: 0,5/3
- Ток потребления в режиме хранения Iccs, мкА, не более: 1
- Частота, МГц: 1
IN93AA46BN
- Прататып: 93AA46B
- Тып корпуса: 2101.8-А
- Напряжение питания, В: 1,8 - 5,5
- Организация, бит: 1K (64х16)
- Ток потребления Iсс, мА,не более: 0,5/3
- Ток потребления в режиме хранения Iccs, мкА, не более: 1
- Частота, МГц: 1
IN93AA46AD
- Прататып: 93AA46A
- Тып корпуса: 4303Ю.8-А
- Напряжение питания, В: 1,8 - 5,5
- Организация, бит: 1K (128х8)
- Ток потребления Iсс, мА,не более: 0,5/3
- Ток потребления в режиме хранения Iccs, мкА, не более: 5
- Частота, МГц: 1
IN93AA46AN
- Прататып: 93AA46A
- Тып корпуса: 2101.8-А
- Напряжение питания, В: 1,8 - 5,5
- Организация, бит: 1K (128х8)
- Ток потребления Iсс, мА,не более: 0,5/3
- Ток потребления в режиме хранения Iccs, мкА, не более: 5
- Частота, МГц: 1
INF8594EN
- Прататып: PCF8594E-2P
- Тып корпуса: 2101.8-А
- Напряжение питания, В: 4,5-5,5
- Организация, бит: 4K (512х8)
- Ток потребления Iсс, мА,не более: 0,2/2,5
- Ток потребления в режиме хранения Iccs, мкА, не более: 10
- Частота, кГц: 100
INF8582EN-2
- Прататып: PCF8582E-2P
- Тып корпуса: 2101.8-A
- Напряжение питания, В: 4,5-5,5
- Организация, бит: 2K (256x8)
- Ток потребления Iсс, мА,не более: 1,6/2,5
- Ток потребления в режиме хранения Iccs, мкА, не более: 10
- Частота, кГц: 100
IN24LC16BD
- Прататып: 24LC16B-I/SN
- Тып корпуса: 4303Ю.8-А
- Напряжение питания, В: 2,5-5,5
- Организация, бит: 16K (2048x8)
- Ток потребления Iсс, мА,не более: 1,0/3,0
- Ток потребления в режиме хранения Iccs, мкА, не более: 100
- Частота, кГц: 100/400
IN24LС16BN
- Прататып: 24LС16B-I/P
- Тып корпуса: 2101.8-А
- Напряжение питания, В: 2,5-5,5
- Организация, бит: 16K (2048x8)
- Ток потребления Iсс, мА,не более: 1,0/3,0
- Ток потребления в режиме хранения Iccs, мкА, не более: 100
- Частота, кГц: 100/400
IN24LC08BD
- Прататып: 24LC08B-I/SN
- Тып корпуса: 4303Ю.8-А
- Напряжение питания, В: 2,5-5,5
- Организация, бит: 8K (1024x8)
- Ток потребления Iсс, мА,не более: 1,0/3,0
- Ток потребления в режиме хранения Iccs, мкА, не более: 100
- Частота, кГц: 100/400
IN24LC08BN
- Прататып: 24LC08B-I/P
- Тып корпуса: 2101.8-А
- Напряжение питания, В: 2,5-5,5
- Организация, бит: 8K (1024x8)
- Ток потребления Iсс, мА,не более: 1,0/3,0
- Ток потребления в режиме хранения Iccs, мкА, не более: 100
- Частота, кГц: 100/400
IN24LC04BD
- Прататып: 24LC04B-I/SN
- Тып корпуса: 4303Ю.8-А
- Напряжение питания, В: 2,5-5,5
- Организация, бит: 4K (512x8)
- Ток потребления Iсс, мА,не более: 1,0/3,0
- Ток потребления в режиме хранения Iccs, мкА, не более: 100
- Частота, кГц: 100/400
IN24LC04BN
- Прататып: 24LC04B-I/P
- Тып корпуса: 2101.8-А
- Напряжение питания, В: 2,5-5,5
- Организация, бит: 4K (512х8)
- Ток потребления Iсс, мА,не более: 1,0/3,0
- Ток потребления в режиме хранения Iccs, мкА, не более: 100
- Частота, кГц: 100/400
IN24LC02D
- Прататып: 24LC02-I/SN
- Тып корпуса: 4303Ю.8-А
- Напряжение питания, В: 2,5-5,5
- Организация, бит: 2K (256x8)
- Ток потребления Iсс, мА,не более: 1,0/3,0
- Ток потребления в режиме хранения Iccs, мкА, не более: 100
- Частота, кГц: 100/400
IN24LC02N
- Прататып: 24LC02-I/P
- Тып корпуса: 2101.8-А
- Напряжение питания, В: 2,5-5,5
- Организация, бит: 2K (256x8)
- Ток потребления Iсс, мА,не более: 1,0/3,0
- Ток потребления в режиме хранения Iccs, мкА, не более: 100
- Частота, кГц: 100/400
IN24LC02BD
- Прататып: 24LC02B-I/SN
- Тып корпуса: 4303Ю.8-А
- Напряжение питания, В: 2,5-5,5
- Организация, бит: 2K (256x8)
- Ток потребления Iсс, мА,не более: 1,0/3,0
- Ток потребления в режиме хранения Iccs, мкА, не более: 100
- Частота, кГц: 100/400