• Характеристика процесса: Кол-во фотолитографий, шт.                    8
  
  Проектная норма, мкм                           2.0
  
  Подложка:               КЭС 0,015 / КЭМ 0,003
  
  эпитаксиальный слой:
  
  толщина, мкм                                        8-75
  
  удельное сопротивление, Ом*см 0,67-31,5
  
  подзатворный окисел, нм              60-100
  
  Межслойный диэлектрик   СТО + БФСС
  
  Пассивация                       ПХО+ПХ SI₃N₄
• Применение, элементная база: MOSFET
  
  NMOS: Vtn=2÷4 В 
  Uмакс= 60÷900 В