БiКДМАП

БиКДМОП, с изоляцией LOCOS 1 ПКК 1 металл, NMOП/PMOП транзисторы

  • Характеристика процесса: Кол-во фотолитографий, шт.      15

    Проектная норма, мкм              2.5

    Подложка:                           КДБ 80

    Изоляция:                           LOCOS

    Глубина P-кармана, мкм           6.5

    Глубина N-кармана, мкм           4.5

    Глубина базы NДMOП, мкм       2.4

    Подзатворный SiO2, Å              600

    Межслойный диэлектрик
    СТФСС, мкм                               0,6

    Длина канала: NMOS/PMOS, мкм 2.0

    контакты, мкм                       2.0х2.0

    шаг металл 1, мкм                         8

    шаг металл 2, мкм                       10
  • Применение, элементная база: Низковольтные транзисторы

    NMOП: Vtn= 1.8 B , Usd >16 В

    PMOП: Vtp= 1.5 B , Usd >16 В

    NPN: h21э = 100-300

    Резисторы в слое:

    ПКК 1 = 20-30 Ом/кв.

     

    Высоковольтные транзисторы

    NДMOП: Vtn= 1.0-1.8 B , Usd>=500 В

    PДMOП: Vtp= 0.7-2.0 B , Usd >=700 В

90 В, с изоляцией p-n переходом 1 ПКК 1 металл, NMOП/PMOП низковольтные транзисторы, NДMOП/PДMOП высоковольтные горизонтальные транзисторы, мощный вертикальный NДMOП транзистор, биполярные вертикальные NPN и горизонтальные PNP транзисторы

  • Характеристика процесса: Кол-во фотолитографий, шт.   19

    Проектная норма, мкм            3.0

    Подложка:460КДБ12 (100)

    Скрытые слои: 20КЭС6/250КДБ2.0

    Эпитаксиальный слой 10КЭФ1.5

    Изоляция:                  p-n переход

    Глубина P-кармана, мкм         6.5

    Глубина базы NДMOП, мкм     2.5

    Подзатворный SiO2, Å  750

    Глубина p-базы NPN, мкм       2.5

    Глубина N+эмиттера, мкм       0.5

    Межслойный диэлектрик      
    БФСС, мкм                                0,8

    Длина канала по затвору:
    N/PMOП, мкм                             ø 4

    шаг ПКК, мкм                                7

    контакты, мкм                               2

    шаг по металлу, мкм                       8
  • Применение, элементная база:
    Аналоговые ИС малой и средней степени интеграции с Еп до 90 В

    Вертикальный NPN:
    Вп=50 Uсе=20 В

    Горизонтальный PNP:
    Вр=25 Uсе=20 В

    LNДMOП: Vtn= 2.0 B,
    Usd >90 В

    LPДMOП: Vtp= -1.4 B,
    Usd >90 В

    NMOП: Vtn= 1.2 B , Usd >18 В

    PMOП: Vtp= 1.5 B , Usd >18 В

    VNДMOП: Vtn= 2.0 B,
    Usd >70 В

    Резисторы в слое:
    База NДMOП, Р-сток, ПКК.

    Емкости: ПКК-Si (SiO2 750 Å)

    ПКК-Al (SiO2 8000 Å)


БиКДМОП 600 В с изоляцией p-n переходом 1 ПКК 1 металл

  • Характеристика процесса: Кол-во фотолитографий, шт. 15

    Проектная норма, мкм         3.0

    Подложка:         460КДБ60 (100)

    Изоляция:               p-n переход

    Глубина базы NДMOП, мкм    2.5

    Подзатворный SiO2, Å           750

    Межслойный диэлектрик
    БФСС, мкм                              0,8
  • Применение, элементная база: ИМС управления импульсным источником питания

    Низковольтный NPN:

    h21э не менее 50, Uсе не менее 30 В

    Горизонтальный PNP:

    h21э=2,2-30 Uсе=25-60 В

    NДMOП: Vtn=1.2-3.0 В, Usd330 В

    PMOП низковольтный:

    Vtp=0.8-2.0 B, Usd318 В

    PMOП высоковольтный:

    Vtp=0.8-2.0 B , Usd322 В

    NMOП низковольтный:

    Vtn=0.8-2.0 B , Usd318 В

    NMOП высоковольтный:

    Vtn=0.8-2.0 B , Usd3600 В