БiКДМАП

БиКДМОП, с изоляцией LOCOS 1 ПКК 1 металл, NMOП/PMOП транзисторы

Характеристика процесса: Кол-во фотолитографий, шт.      15

Проектная норма, мкм    2.5

Подложка:                           КДБ 80

Изоляция:                           LOCOS

Глубина P-кармана, мкм           6.5

Глубина N-кармана, мкм           4.5

Глубина базы NДMOП, мкм       2.4

Подзатворный SiO2, Å              600

Межслойный диэлектрик
СТФСС, мкм                               0,6

Длина канала: NMOS/PMOS, мкм 2.0

контакты, мкм                       2.0х2.0

шаг металл 1, мкм                         8

шаг металл 2, мкм                       10
Применение, элементная база: Низковольтные транзисторы

NMOП: Vtn= 1.8 B , Usd >16 В

PMOП: Vtp= 1.5 B , Usd >16 В

NPN: h21э = 100-300

Резисторы в слое:

ПКК 1 = 20-30 Ом/кв.

Высоковольтные транзисторы

NДMOП: Vtn= 1.0-1.8 B , Usd>=500 В

PДMOП: Vtp= 0.7-2.0 B , Usd >=700 В

90 В, с изоляцией p-n переходом 1 ПКК 1 металл, NMOП/PMOП низковольтные транзисторы, NДMOП/PДMOП высоковольтные горизонтальные транзисторы, мощный вертикальный NДMOП транзистор, биполярные вертикальные NPN и горизонтальные PNP транзисторы

Характеристика процесса: Кол-во фотолитографий, шт.   19

Проектная норма, мкм    3.0

Подложка:460КДБ12 (100)

Скрытые слои: 20КЭС6/250КДБ2.0

Эпитаксиальный слой 10КЭФ1.5

Изоляция:                  p-n переход

Глубина P-кармана, мкм         6.5

Глубина базы NДMOП, мкм   2.5

Подзатворный SiO2, Å 750

Глубина p-базы NPN, мкм       2.5

Глубина N+эмиттера, мкм       0.5

Межслойный диэлектрик
БФСС, мкм                                0,8

Длина канала по затвору:
N/PMOП, мкм                         ø 4

шаг ПКК, мкм                              7

контакты, мкм                             2

шаг по металлу, мкм                   8
Применение, элементная база:
Аналоговые ИС малой и средней степени интеграции с Еп до 90 В

Вертикальный NPN:

Вп=50 Uсе=20 В

Горизонтальный PNP:

Вр=25 Uсе=20 В

LNДMOП: Vtn= 2.0 B,

Usd >90 В

LPДMOП: Vtp= -1.4 B,

Usd >90 В

NMOП: Vtn= 1.2 B , Usd >18 В

PMOП: Vtp= 1.5 B , Usd >18 В

VNДMOП: Vtn= 2.0 B,

Usd >70 В

Резисторы в слое:

База NДMOП, Р-сток, ПКК.

Емкости: ПКК-Si (SiO2 750 Å)

ПКК-Al (SiO2 8000 Å)

БиКДМОП 600 В с изоляцией p-n переходом 1 ПКК 1 металл

Характеристика процесса: Кол-во фотолитографий, шт. 15

Проектная норма, мкм         3.0

Подложка:         460КДБ60 (100)

Изоляция:               p-n переход

Глубина базы NДMOП, мкм    2.5

Подзатворный SiO2, Å     750

Межслойный диэлектрик
БФСС, мкм                            0,8
Применение, элементная база: ИМС управления импульсным источником питания

Низковольтный NPN:

h21э не менее 50, Uсе не менее 30 В

Горизонтальный PNP:

h21э=2,2-30 Uсе=25-60 В

NДMOП: Vtn=1.2-3.0 В, Usd³30 В

PMOП низковольтный:

Vtp=0.8-2.0 B, Usd³18 В

PMOП высоковольтный:

Vtp=0.8-2.0 B , Usd³22 В

NMOП низковольтный:

Vtn=0.8-2.0 B , Usd³18 В

NMOП высоковольтный:

Vtn=0.8-2.0 B , Usd³600 В