БиКДМОП 600 В с изоляцией p-n переходом 1 ПКК 1 металл

Галоўная

Прадукцыя

Тэхналогіі

БiКДМАП

БиКДМОП 600 В с изоляцией p-n переходом 1 ПКК 1 металл

Тэхнічныя характарыстыкі
Набыццё і тэхнічная падтрымка

Параметр	Значэнне
Характеристика процесса	Кол-во фотолитографий, шт. 15 Проектная норма, мкм 3.0 Подложка: 460КДБ60 (100) Изоляция: p-n переход Глубина базы NДMOП, мкм 2.5 Подзатворный SiO2, Å 750 Межслойный диэлектрик БФСС, мкм 0,8
Применение, элементная база	ИМС управления импульсным источником питания Низковольтный NPN: h21э не менее 50, Uсе не менее 30 В Горизонтальный PNP: h21э=2,2-30 Uсе=25-60 В NДMOП: Vtn=1.2-3.0 В, Usd³30 В PMOП низковольтный: Vtp=0.8-2.0 B, Usd³18 В PMOП высоковольтный: Vtp=0.8-2.0 B , Usd³22 В NMOП низковольтный: Vtn=0.8-2.0 B , Usd³18 В NMOП высоковольтный: Vtn=0.8-2.0 B , Usd³600 В

Параметр

Значэнне

Характеристика процесса

Кол-во фотолитографий, шт. 15

Проектная норма, мкм         3.0

Подложка:         460КДБ60 (100)

Изоляция:               p-n переход

Глубина базы NДMOП, мкм    2.5

Подзатворный SiO2, Å     750

Межслойный диэлектрик
БФСС, мкм                            0,8

Применение, элементная база

ИМС управления импульсным источником питания

Низковольтный NPN:

h21э не менее 50, Uсе не менее 30 В

Горизонтальный PNP:

h21э=2,2-30 Uсе=25-60 В

NДMOП: Vtn=1.2-3.0 В, Usd³30 В

PMOП низковольтный:

Vtp=0.8-2.0 B, Usd³18 В

PMOП высоковольтный:

Vtp=0.8-2.0 B , Usd³22 В

NMOП низковольтный:

Vtn=0.8-2.0 B , Usd³18 В

NMOП высоковольтный:

Vtn=0.8-2.0 B , Usd³600 В

Заказаць

Парадак, кошт і тэрміны выканання заказаў на пастаўку дробнасерыйных тавараў дадаткова ўзгадняюцца Спажыўцом са службамі маркетынгу і збыту ААТ «ІНТЭГРАЛ» - кіруючай кампаніі холдынга «ІНТЭГРАЛ»

Маркетынг , Аддзел продажаў
Тэл.: .....(+375 17) 272 3729
......(+375 17) 353 2257
Факс:......(+375 17) 353 2257
Адрас электроннай пошты: export@integral.by