• Характеристика процесса: Кол-во фотолитографий, шт. 15
  
  Проектная норма, мкм         3.0
  
  Подложка:         460КДБ60 (100)
  
  Изоляция:               p-n переход
  
  Глубина базы NДMOП, мкм    2.5
  
  Подзатворный SiO2, Å           750
  
  Межслойный диэлектрик
  БФСС, мкм                              0,8
• Применение, элементная база: ИМС управления импульсным источником питания
  
  Низковольтный NPN:
  
  h21э не менее 50, Uсе не менее 30 В
  
  Горизонтальный PNP:
  
  h21э=2,2-30 Uсе=25-60 В
  
  NДMOП: Vtn=1.2-3.0 В, Usd³30 В
  
  PMOП низковольтный:
  
  Vtp=0.8-2.0 B, Usd³18 В
  
  PMOП высоковольтный:
  
  Vtp=0.8-2.0 B , Usd³22 В
  
  NMOП низковольтный:
  
  Vtn=0.8-2.0 B , Usd³18 В
  
  NMOП высоковольтный:
  
  Vtn=0.8-2.0 B , Usd³600 В