90 В, с изоляцией p-n переходом 1 ПКК 1 металл, NMOП/PMOП низковольтные транзисторы, NДMOП/PДMOП высоковольтные горизонтальные транзисторы, мощный вертикальный NДMOП транзистор, биполярные вертикальные NPN и горизонтальные PNP транзисторы

90 В, с изоляцией p-n переходом 1 ПКК 1 металл, NMOП/PMOП низковольтные транзисторы, NДMOП/PДMOП высоковольтные горизонтальные транзисторы, мощный вертикальный NДMOП транзистор, биполярные вертикальные NPN и горизонтальные PNP транзисторы

Тэхнічныя характарыстыкі
Набыццё і тэхнічная падтрымка

Параметр	Значэнне
Характеристика процесса	Кол-во фотолитографий, шт. 19 Проектная норма, мкм 3.0 Подложка:460КДБ12 (100) Скрытые слои: 20КЭС6/250КДБ2.0 Эпитаксиальный слой 10КЭФ1.5 Изоляция: p-n переход Глубина P-кармана, мкм 6.5 Глубина базы NДMOП, мкм 2.5 Подзатворный SiO2, Å 750 Глубина p-базы NPN, мкм 2.5 Глубина N+эмиттера, мкм 0.5 Межслойный диэлектрик БФСС, мкм 0,8 Длина канала по затвору: N/PMOП, мкм ø 4 шаг ПКК, мкм 7 контакты, мкм 2 шаг по металлу, мкм 8
Применение, элементная база	Аналоговые ИС малой и средней степени интеграции с Еп до 90 В Вертикальный NPN: Вп=50 Uсе=20 В Горизонтальный PNP: Вр=25 Uсе=20 В LNДMOП: Vtn= 2.0 B, Usd >90 В LPДMOП: Vtp= -1.4 B, Usd >90 В NMOП: Vtn= 1.2 B , Usd >18 В PMOП: Vtp= 1.5 B , Usd >18 В VNДMOП: Vtn= 2.0 B, Usd >70 В Резисторы в слое: База NДMOП, Р-сток, ПКК. Емкости: ПКК-Si (SiO2 750 Å) ПКК-Al (SiO2 8000 Å)

Параметр

Значэнне

Характеристика процесса

Кол-во фотолитографий, шт.   19

Проектная норма, мкм    3.0

Подложка:460КДБ12 (100)

Скрытые слои: 20КЭС6/250КДБ2.0

Эпитаксиальный слой 10КЭФ1.5

Изоляция:                  p-n переход

Глубина P-кармана, мкм         6.5

Глубина базы NДMOП, мкм   2.5

Подзатворный SiO2, Å 750

Глубина p-базы NPN, мкм       2.5

Глубина N+эмиттера, мкм       0.5

Межслойный диэлектрик
БФСС, мкм                                0,8

Длина канала по затвору:
N/PMOП, мкм                         ø 4

шаг ПКК, мкм                              7

контакты, мкм                             2

шаг по металлу, мкм                   8

Применение, элементная база

Аналоговые ИС малой и средней степени интеграции с Еп до 90 В

Вертикальный NPN:

Вп=50 Uсе=20 В

Горизонтальный PNP:

Вр=25 Uсе=20 В

LNДMOП: Vtn= 2.0 B,

Usd >90 В

LPДMOП: Vtp= -1.4 B,

Usd >90 В

NMOП: Vtn= 1.2 B , Usd >18 В

PMOП: Vtp= 1.5 B , Usd >18 В

VNДMOП: Vtn= 2.0 B,

Usd >70 В

Резисторы в слое:

База NДMOП, Р-сток, ПКК.

Емкости: ПКК-Si (SiO2 750 Å)

ПКК-Al (SiO2 8000 Å)

Заказаць

Парадак, кошт і тэрміны выканання заказаў на пастаўку дробнасерыйных тавараў дадаткова ўзгадняюцца Спажыўцом са службамі маркетынгу і збыту ААТ «ІНТЭГРАЛ» - кіруючай кампаніі холдынга «ІНТЭГРАЛ»

Маркетынг , Аддзел продажаў
Тэл.: .....(+375 17) 272 3729
......(+375 17) 353 2257
Факс:......(+375 17) 353 2257
Адрас электроннай пошты: export@integral.by