90 В, с изоляцией p-n переходом 1 ПКК 1 металл, NMOП/PMOП низковольтные транзисторы, NДMOП/PДMOП высоковольтные горизонтальные транзисторы, мощный вертикальный NДMOП транзистор, биполярные вертикальные NPN и горизонтальные PNP транзисторы
90 В, с изоляцией p-n переходом 1 ПКК 1 металл, NMOП/PMOП низковольтные транзисторы, NДMOП/PДMOП высоковольтные горизонтальные транзисторы, мощный вертикальный NДMOП транзистор, биполярные вертикальные NPN и горизонтальные PNP транзисторы
- Характеристика процесса: Кол-во фотолитографий, шт. 19
Проектная норма, мкм 3.0
Подложка:460КДБ12 (100)
Скрытые слои: 20КЭС6/250КДБ2.0
Эпитаксиальный слой 10КЭФ1.5
Изоляция: p-n переход
Глубина P-кармана, мкм 6.5
Глубина базы NДMOП, мкм 2.5
Подзатворный SiO2, Å 750
Глубина p-базы NPN, мкм 2.5
Глубина N+эмиттера, мкм 0.5
Межслойный диэлектрик
БФСС, мкм 0,8
Длина канала по затвору:
N/PMOП, мкм ø 4
шаг ПКК, мкм 7
контакты, мкм 2
шаг по металлу, мкм 8 - Применение, элементная база: Аналоговые ИС малой и средней степени интеграции с Еп до 90 В
Вп=50 Uсе=20 В
Вр=25 Uсе=20 В
LNДMOП: Vtn= 2.0 B,Usd >90 В
LPДMOП: Vtp= -1.4 B,Usd >90 В
NMOП: Vtn= 1.2 B , Usd >18 В
PMOП: Vtp= 1.5 B , Usd >18 В
Usd >70 В
База NДMOП, Р-сток, ПКК.
ПКК-Al (SiO2 8000 Å)