БиКДМОП, с изоляцией LOCOS 1 ПКК 1 металл, NMOП/PMOП транзисторы
БиКДМОП, с изоляцией LOCOS 1 ПКК 1 металл, NMOП/PMOП транзисторы
Параметр | Значэнне |
---|---|
Характеристика процесса | Кол-во фотолитографий, шт. 15 Проектная норма, мкм 2.5 Подложка: КДБ 80 Изоляция: LOCOS Глубина P-кармана, мкм 6.5 Глубина N-кармана, мкм 4.5 Глубина базы NДMOП, мкм 2.4 Подзатворный SiO2, Å 600 Межслойный диэлектрик СТФСС, мкм 0,6 Длина канала: NMOS/PMOS, мкм 2.0 контакты, мкм 2.0х2.0 шаг металл 1, мкм 8 шаг металл 2, мкм 10 |
Применение, элементная база | Низковольтные транзисторы NMOП: Vtn= 1.8 B , Usd >16 В PMOП: Vtp= 1.5 B , Usd >16 В NPN: h21э = 100-300 Резисторы в слое: ПКК 1 = 20-30 Ом/кв. Высоковольтные транзисторы NДMOП: Vtn= 1.0-1.8 B , Usd>=500 В PДMOП: Vtp= 0.7-2.0 B , Usd >=700 В |
Парадак, кошт і тэрміны выканання заказаў на пастаўку дробнасерыйных тавараў дадаткова ўзгадняюцца Спажыўцом са службамі маркетынгу і збыту ААТ «ІНТЭГРАЛ» - кіруючай кампаніі холдынга «ІНТЭГРАЛ»
Маркетынг , Аддзел продажаў
Тэл.: .....(+375 17) 272 3729
......(+375 17) 353 2257
Факс:......(+375 17) 353 2257
Адрас электроннай пошты: export@integral.by
Тэл.: .....(+375 17) 272 3729
......(+375 17) 353 2257
Факс:......(+375 17) 353 2257
Адрас электроннай пошты: export@integral.by