МЕНЮ Высокія тэхналогіі для лепшага жыцця
BY
Выбраць мову
CN RU EN
БиКДМОП, с изоляцией LOCOS 1 ПКК 1 металл, NMOП/PMOП транзисторы

БиКДМОП, с изоляцией LOCOS 1 ПКК 1 металл, NMOП/PMOП транзисторы

Параметр Значэнне
Характеристика процесса Кол-во фотолитографий, шт.      15

Проектная норма, мкм              2.5

Подложка:                           КДБ 80

Изоляция:                           LOCOS

Глубина P-кармана, мкм           6.5

Глубина N-кармана, мкм           4.5

Глубина базы NДMOП, мкм       2.4

Подзатворный SiO2, Å              600

Межслойный диэлектрик
СТФСС, мкм                               0,6

Длина канала: NMOS/PMOS, мкм 2.0

контакты, мкм                       2.0х2.0

шаг металл 1, мкм                         8

шаг металл 2, мкм                       10
Применение, элементная база Низковольтные транзисторы

NMOП: Vtn= 1.8 B , Usd >16 В

PMOП: Vtp= 1.5 B , Usd >16 В

NPN: h21э = 100-300

Резисторы в слое:

ПКК 1 = 20-30 Ом/кв.

 

Высоковольтные транзисторы

NДMOП: Vtn= 1.0-1.8 B , Usd>=500 В

PДMOП: Vtp= 0.7-2.0 B , Usd >=700 В
Парадак, кошт і тэрміны выканання заказаў на пастаўку дробнасерыйных тавараў дадаткова ўзгадняюцца Спажыўцом са службамі маркетынгу і збыту ААТ «ІНТЭГРАЛ» - кіруючай кампаніі холдынга «ІНТЭГРАЛ»

Маркетынг , Аддзел продажаў
Тэл.: .....(+375 17) 272 3729
       ......(+375 17) 353 2257
Факс:......(+375 17) 353 2257
Адрас электроннай пошты: export@integral.by

Задать вопрос