ДМАП
Полевые Р ДМОП транзисторы
-
Характеристика процесса:
Кол-во фотолитографий, шт. 7-9
Проектная норма, мкм 3.0
Подложка: КДБ 0,005
эпитаксиальный слой:
толщина, мкм 13–34
удельное сопротивление, Ом*см (2-21)
подзатворный окисел, нм 42,5-80
Межслойный диэлектрик СТФСС(БФСС)Пассивация: НТФСС
-
Применение, элементная база:
MOSFET
Маломощные Мощные
Vtn=0,8–2,0 В Vtn=2,0–4,0 В
Uпр= 50–240 В Uпр= 60–100В
Pmax=1,0 Вт Pmax=150 Вт
Полевые N ДМОП транзисторы
-
Характеристика процесса:
Кол-во фотолитографий, шт. 7-9
Проектная норма, мкм 3.0
Подложка: КЭС 0,01
эпитаксиальный слой:
толщина, мкм 9-42
удельное сопротивление, Омxсм (0,7-16)
подзатворный окисел, нм 42,5-80
Межслойный диэлектрик СТФСС(БФСС)
Пассивация: НТФСС -
Применение, элементная база:
MOSFET
Маломощные Мощные
Vtn=0,6–3,0 В Vtn=2,0–4,0 В
Uпр= 50–200 В Uпр= 50–600В
Pmax=1,0 Вт Pmax=200 Вт
Мощные полевые МОП транзисторы,Uмакс= 60-900 В пл. 150 мм
-
Характеристика процесса:
Кол-во фотолитографий, шт. 8
Проектная норма, мкм 2.0
Подложка: КЭС 0,015 / КЭМ 0,003
эпитаксиальный слой:
толщина, мкм 8-75
удельное сопротивление, Ом*см 0,67-31,5
подзатворный окисел, нм 60-100
Межслойный диэлектрик СТО + БФСС
Пассивация ПХО+ПХ SI3N4 -
Применение, элементная база:
MOSFET
NMOS: Vtn=2÷4 В
Uмакс= 60÷900 В