Полевые N ДМОП транзисторы

Галоўная

Прадукцыя

Тэхналогіі

ДМАП

Полевые N ДМОП транзисторы

Тэхнічныя характарыстыкі
Набыццё і тэхнічная падтрымка

Параметр	Значэнне
Характеристика процесса	Кол-во фотолитографий, шт. 7-9 Проектная норма, мкм 3.0 Подложка: КЭС 0,01 эпитаксиальный слой: толщина, мкм 9-42 удельное сопротивление, Омxсм (0,7-16) подзатворный окисел, нм 42,5-80 Межслойный диэлектрик СТФСС(БФСС) Пассивация: НТФСС
Применение, элементная база	MOSFET Маломощные Мощные Vtn=0,6–3,0 В Vtn=2,0–4,0 В Uпр= 50–200 В Uпр= 50–600В Pmax=1,0 Вт Pmax=200 Вт

Параметр

Значэнне

Характеристика процесса

Кол-во фотолитографий, шт.                 7-9

Проектная норма, мкм           3.0

Подложка:                                    КЭС 0,01

эпитаксиальный слой:

толщина, мкм                                      9-42

удельное сопротивление, Омxсм (0,7-16)

подзатворный окисел, нм               42,5-80

Межслойный диэлектрик    СТФСС(БФСС)

Пассивация:                                    НТФСС

Применение, элементная база

MOSFET

Маломощные     Мощные

Vtn=0,6–3,0 В       Vtn=2,0–4,0 В
Uпр= 50–200 В    Uпр= 50–600В

Pmax=1,0 Вт          Pmax=200 Вт

Заказаць

Парадак, кошт і тэрміны выканання заказаў на пастаўку дробнасерыйных тавараў дадаткова ўзгадняюцца Спажыўцом са службамі маркетынгу і збыту ААТ «ІНТЭГРАЛ» - кіруючай кампаніі холдынга «ІНТЭГРАЛ»

Маркетынг , Аддзел продажаў
Тэл.: .....(+375 17) 272 3729
......(+375 17) 353 2257
Факс:......(+375 17) 353 2257
Адрас электроннай пошты: export@integral.by