Полевые N ДМОП транзисторы
Параметр | Значэнне |
---|---|
Характеристика процесса | Кол-во фотолитографий, шт. 7-9 Проектная норма, мкм 3.0 Подложка: КЭС 0,01 эпитаксиальный слой: толщина, мкм 9-42 удельное сопротивление, Омxсм (0,7-16) подзатворный окисел, нм 42,5-80 Межслойный диэлектрик СТФСС(БФСС) Пассивация: НТФСС |
Применение, элементная база | MOSFET Маломощные Мощные Vtn=0,6–3,0 В Vtn=2,0–4,0 В Uпр= 50–200 В Uпр= 50–600В Pmax=1,0 Вт Pmax=200 Вт |
Парадак, кошт і тэрміны выканання заказаў на пастаўку дробнасерыйных тавараў дадаткова ўзгадняюцца Спажыўцом са службамі маркетынгу і збыту ААТ «ІНТЭГРАЛ» - кіруючай кампаніі холдынга «ІНТЭГРАЛ»
Маркетынг , Аддзел продажаў
Тэл.: .....(+375 17) 272 3729
......(+375 17) 353 2257
Факс:......(+375 17) 353 2257
Адрас электроннай пошты: export@integral.by
Тэл.: .....(+375 17) 272 3729
......(+375 17) 353 2257
Факс:......(+375 17) 353 2257
Адрас электроннай пошты: export@integral.by