МЕНЮ Высокія тэхналогіі для лепшага жыцця
BY
Выбраць мову
CN RU EN

Полевые N ДМОП транзисторы

Параметр Значэнне
Характеристика процесса Кол-во фотолитографий, шт.                 7-9

Проектная норма, мкм                           3.0

Подложка:                                      КЭС 0,01

эпитаксиальный слой:

толщина,  мкм                                      9-42

удельное сопротивление, Омxсм  (0,7-16)

подзатворный окисел, нм               42,5-80

Межслойный диэлектрик    СТФСС(БФСС)

Пассивация:                                    НТФСС
Применение, элементная база MOSFET

Маломощные     Мощные

Vtn=0,6–3,0 В       Vtn=2,0–4,0 В
Uпр= 50–200 В    Uпр= 50–600В

Pmax=1,0 Вт          Pmax=200 Вт
Парадак, кошт і тэрміны выканання заказаў на пастаўку дробнасерыйных тавараў дадаткова ўзгадняюцца Спажыўцом са службамі маркетынгу і збыту ААТ «ІНТЭГРАЛ» - кіруючай кампаніі холдынга «ІНТЭГРАЛ»

Маркетынг , Аддзел продажаў
Тэл.: .....(+375 17) 272 3729
       ......(+375 17) 353 2257
Факс:......(+375 17) 353 2257
Адрас электроннай пошты: export@integral.by

Задать вопрос