• Характеристика процесса: Кол-во фотолитографий, шт.                 7-9
  
  Проектная норма, мкм                           3.0
  
  Подложка:                                      КЭС 0,01
  
  эпитаксиальный слой:
  
  толщина,  мкм                                      9-42
  
  удельное сопротивление, Омxсм  (0,7-16)
  
  подзатворный окисел, нм               42,5-80
  
  Межслойный диэлектрик    СТФСС(БФСС)
  
  Пассивация:                                    НТФСС
• Применение, элементная база: MOSFET
  
  Маломощные     Мощные
  
  Vtn=0,6–3,0 В       Vtn=2,0–4,0 В
  Uпр= 50–200 В    Uпр= 50–600В
  
  Pmax=1,0 Вт          Pmax=200 Вт