Полевые Р ДМОП транзисторы

Галоўная

Прадукцыя

Тэхналогіі

ДМАП

Полевые Р ДМОП транзисторы

Тэхнічныя характарыстыкі
Набыццё і тэхнічная падтрымка

Параметр	Значэнне
Характеристика процесса	Кол-во фотолитографий, шт. 7-9 Проектная норма, мкм 3.0 Подложка: КДБ 0,005 эпитаксиальный слой: толщина, мкм 13–34 удельное сопротивление, Ом*см (2-21) подзатворный окисел, нм 42,5-80 Межслойный диэлектрик СТФСС(БФСС) Пассивация: НТФСС
Применение, элементная база	MOSFET Маломощные Мощные Vtn=0,8–2,0 В Vtn=2,0–4,0 В Uпр= 50–240 В Uпр= 60–100В Pmax=1,0 Вт Pmax=150 Вт

Параметр

Значэнне

Характеристика процесса

Кол-во фотолитографий, шт.                 7-9

Проектная норма, мкм               3.0

Подложка:                                    КДБ 0,005

эпитаксиальный слой:

толщина, мкм                                     13–34

удельное сопротивление, Ом*см    (2-21)

подзатворный окисел, нм                42,5-80

Межслойный диэлектрик СТФСС(БФСС)

Пассивация: НТФСС

Применение, элементная база

MOSFET

Маломощные     Мощные

Vtn=0,8–2,0 В       Vtn=2,0–4,0 В
Uпр= 50–240 В    Uпр= 60–100В

Pmax=1,0 Вт          Pmax=150 Вт

Заказаць

Парадак, кошт і тэрміны выканання заказаў на пастаўку дробнасерыйных тавараў дадаткова ўзгадняюцца Спажыўцом са службамі маркетынгу і збыту ААТ «ІНТЭГРАЛ» - кіруючай кампаніі холдынга «ІНТЭГРАЛ»

Маркетынг , Аддзел продажаў
Тэл.: .....(+375 17) 272 3729
......(+375 17) 353 2257
Факс:......(+375 17) 353 2257
Адрас электроннай пошты: export@integral.by