МЕНЮ Высокія тэхналогіі для лепшага жыцця
BY
Выбраць мову
CN RU EN
5 В, 1.6 мкм КМОП, 2 ПКК,1 металл, ЭСППЗУ пл. 150 мм

5 В, 1.6 мкм КМОП, 2 ПКК,1 металл, ЭСППЗУ пл. 150 мм

Параметр Значэнне
Характеристика процесса Количество фотолитографий, шт.     17

Проектная норма, мкм                      1.6

Подложка: КДБ-12                  2 кармана

Глубина N/P-кармана, мкм                5/6

Подзатворный SiO2, Å                      425

Туннельный SiO2, Å                            77

Межсл. диэлектрик-1: Si3N4, Å         350

Межсл. диэлектрик-2: БФСС, Å       7000

Встроенные транзисторы

Длина канала: NMOS/PMOS

низковольтные транзисторы, мкм      2.4

высоковольтные транзисторы, мкм    3.6

шаг ПКК1, мкм                                      3.2

шаг ПКК2, мкм                                      4.2

контакты, мкм                                    ø1.2

шаг по металлу, мкм                            4.4
Применение, элементная база ЭСППЗУ средней степени интеграции
с Епит от 2,4 В до 6 В

NMOS: Vtn=(0,65±0,25)В

Usd >=12 В

PMOS: Vtр=-(0,8±0,2)В    Usd <=-12 В

HV-NMOS: Vtn=(0,45±0,15)В Usd317В

HV-PMOS: Vtp=-(0,8±0,2)В Usd <=-16 В
Парадак, кошт і тэрміны выканання заказаў на пастаўку дробнасерыйных тавараў дадаткова ўзгадняюцца Спажыўцом са службамі маркетынгу і збыту ААТ «ІНТЭГРАЛ» - кіруючай кампаніі холдынга «ІНТЭГРАЛ»

Маркетынг , Аддзел продажаў
Тэл.: .....(+375 17) 272 3729
       ......(+375 17) 353 2257
Факс:......(+375 17) 353 2257
Адрас электроннай пошты: export@integral.by

Задать вопрос