5 В, 1.6 мкм КМОП, 2 ПКК,1 металл, ЭСППЗУ пл. 150 мм
Параметр | Значэнне |
---|---|
Характеристика процесса | Количество фотолитографий, шт. 17 Проектная норма, мкм 1.6 Подложка: КДБ-12 2 кармана Глубина N/P-кармана, мкм 5/6 Подзатворный SiO2, Å 425 Туннельный SiO2, Å 77 Межсл. диэлектрик-1: Si3N4, Å 350 Межсл. диэлектрик-2: БФСС, Å 7000 Встроенные транзисторы Длина канала: NMOS/PMOS низковольтные транзисторы, мкм 2.4 высоковольтные транзисторы, мкм 3.6 шаг ПКК1, мкм 3.2 шаг ПКК2, мкм 4.2 контакты, мкм ø1.2 шаг по металлу, мкм 4.4 |
Применение, элементная база | ЭСППЗУ средней степени интеграции с Епит от 2,4 В до 6 В NMOS: Vtn=(0,65±0,25)В Usd >=12 В PMOS: Vtр=-(0,8±0,2)В Usd <=-12 В HV-NMOS: Vtn=(0,45±0,15)В Usd317В HV-PMOS: Vtp=-(0,8±0,2)В Usd <=-16 В |
Парадак, кошт і тэрміны выканання заказаў на пастаўку дробнасерыйных тавараў дадаткова ўзгадняюцца Спажыўцом са службамі маркетынгу і збыту ААТ «ІНТЭГРАЛ» - кіруючай кампаніі холдынга «ІНТЭГРАЛ»
Маркетынг , Аддзел продажаў
Тэл.: .....(+375 17) 272 3729
......(+375 17) 353 2257
Факс:......(+375 17) 353 2257
Адрас электроннай пошты: export@integral.by
Тэл.: .....(+375 17) 272 3729
......(+375 17) 353 2257
Факс:......(+375 17) 353 2257
Адрас электроннай пошты: export@integral.by