5 В, 1.5 мкм КМОП, 1 ПКК,1 металл. пл. 150 мм
Параметр | Значэнне |
---|---|
Характеристика процесса | Количество фотолитографий, шт. 16 Проектная норма, мкм 1.5 Подложка: КДБ12, 2 кармана Глубина N/P-кармана, мкм 5/6 Межслойный диэлектрик: БФСС Подзатворный SiO2, Å 250 Межслойный диэлектрик: БФСС Встроенные транзисторы в ПЗУ Скрытые контакты длина канала NMOS/PMOS, мкм 1.5 N и P LDD- стоки шаг ПКК, мкм 2.5 контакты, мкм ø 1.5 шаг по металлу, мкм 3.5 |
Применение, элементная база | Цифровые ИМС. микроконтроллеры с Епит=5 В NMOS: Vtn= 0.6 В, Usd >10 В PMOS: Vtр= 1.0В, Usd >13 B |
Парадак, кошт і тэрміны выканання заказаў на пастаўку дробнасерыйных тавараў дадаткова ўзгадняюцца Спажыўцом са службамі маркетынгу і збыту ААТ «ІНТЭГРАЛ» - кіруючай кампаніі холдынга «ІНТЭГРАЛ»
Маркетынг , Аддзел продажаў
Тэл.: .....(+375 17) 272 3729
......(+375 17) 353 2257
Факс:......(+375 17) 353 2257
Адрас электроннай пошты: export@integral.by
Тэл.: .....(+375 17) 272 3729
......(+375 17) 353 2257
Факс:......(+375 17) 353 2257
Адрас электроннай пошты: export@integral.by