5 В, 1.5 мкм КМОП, 1 ПКК,1 металл. пл. 150 мм

Галоўная

Прадукцыя

Тэхналогіі

КМАП

5 В, 1.5 мкм КМОП, 1 ПКК,1 металл. пл. 150 мм

Тэхнічныя характарыстыкі
Набыццё і тэхнічная падтрымка

Параметр	Значэнне
Характеристика процесса	Количество фотолитографий, шт. 16 Проектная норма, мкм 1.5 Подложка: КДБ12, 2 кармана Глубина N/P-кармана, мкм 5/6 Межслойный диэлектрик: БФСС Подзатворный SiO2, Å 250 Межслойный диэлектрик: БФСС Встроенные транзисторы в ПЗУ Скрытые контакты длина канала NMOS/PMOS, мкм 1.5 N и P LDD- стоки шаг ПКК, мкм 2.5 контакты, мкм ø 1.5 шаг по металлу, мкм 3.5
Применение, элементная база	Цифровые ИМС. микроконтроллеры с Епит=5 В NMOS: Vtn= 0.6 В, Usd >10 В PMOS: Vtр= 1.0В, Usd >13 B

Параметр

Значэнне

Характеристика процесса

Количество фотолитографий, шт.        16

Проектная норма, мкм                        1.5

Подложка:        КДБ12,   2 кармана

Глубина N/P-кармана, мкм                  5/6

Межслойный диэлектрик:        БФСС

Подзатворный SiO2, Å                        250

Межслойный диэлектрик:        БФСС

Встроенные транзисторы в ПЗУ

Скрытые контакты

длина канала NMOS/PMOS, мкм        1.5

N и P LDD- стоки

шаг ПКК, мкм                                     2.5

контакты, мкм                             ø 1.5

шаг по металлу, мкм                           3.5

Применение, элементная база

Цифровые ИМС. микроконтроллеры
с Епит=5 В

NMOS: Vtn= 0.6 В, Usd >10 В

PMOS: Vtр= 1.0В, Usd >13 B

Заказаць

Парадак, кошт і тэрміны выканання заказаў на пастаўку дробнасерыйных тавараў дадаткова ўзгадняюцца Спажыўцом са службамі маркетынгу і збыту ААТ «ІНТЭГРАЛ» - кіруючай кампаніі холдынга «ІНТЭГРАЛ»

Маркетынг , Аддзел продажаў
Тэл.: .....(+375 17) 272 3729
......(+375 17) 353 2257
Факс:......(+375 17) 353 2257
Адрас электроннай пошты: export@integral.by