5 В, 1.5 мкм КМОП, 1 ПКК,2 металла

Галоўная

Прадукцыя

Тэхналогіі

КМАП

5 В, 1.5 мкм КМОП, 1 ПКК,2 металла

Тэхнічныя характарыстыкі
Набыццё і тэхнічная падтрымка

Параметр	Значэнне
Характеристика процесса	Количество фотолитографий, шт. 14 Проектная норма, мкм 1.5 Подложка: КЭФ4.5 Глубина N/P-кармана, мкм 5/5 Межслойный диэлектрик: БФСС Межуровневый диэлектрик: ПХО Подзатворный SiO₂, Å 245 Длина канала: NMOS/PMOS, мкм 1.4/2.0 N LDD- стоки шаг ПКК,мкм 3.4 контакты 1, мкм 1.54.5 шаг металл 1, мкм 6.0 контакты 2, мкм 3.04.5 шаг металл 2, мкм 9.5
Применение, элементная база	Логические ИС малой и средней степени интеграции с Еп до 5 В NMOS: Vtn= 0.8 B , Usd >12 В PMOS: Vtp= -0.8 B, Usd >12 В

Параметр

Значэнне

Характеристика процесса

Количество фотолитографий, шт.        14

Проектная норма, мкм                        1.5

Подложка:                                      КЭФ4.5

Глубина N/P-кармана, мкм                  5/5

Межслойный диэлектрик:               БФСС

Межуровневый диэлектрик:             ПХО

Подзатворный SiO₂, Å                        245

Длина канала: NMOS/PMOS, мкм 1.4/2.0

N LDD- стоки

шаг ПКК,мкм                                       3.4

контакты 1, мкм                           1.5*4.5

шаг металл 1, мкм                              6.0

контакты 2, мкм                            3.0*4.5

шаг металл 2, мкм                              9.5

Применение, элементная база

Логические ИС малой и средней
степени интеграции с Еп до 5 В
NMOS: Vtn= 0.8 B , Usd >12 В
PMOS: Vtp= -0.8 B, Usd >12 В

Заказаць

Парадак, кошт і тэрміны выканання заказаў на пастаўку дробнасерыйных тавараў дадаткова ўзгадняюцца Спажыўцом са службамі маркетынгу і збыту ААТ «ІНТЭГРАЛ» - кіруючай кампаніі холдынга «ІНТЭГРАЛ»

Маркетынг , Аддзел продажаў
Тэл.: .....(+375 17) 272 3729
......(+375 17) 353 2257
Факс:......(+375 17) 353 2257
Адрас электроннай пошты: export@integral.by