BY
CN
RU
EN
5 В, 1.5 мкм КМОП, 1 ПКК,2 металла
| Параметр | Значэнне |
|---|---|
| Характеристика процесса | Количество фотолитографий, шт. 14 Проектная норма, мкм 1.5 Подложка: КЭФ4.5 Глубина N/P-кармана, мкм 5/5 Межслойный диэлектрик: БФСС Межуровневый диэлектрик: ПХО Подзатворный SiO2, Å 245 Длина канала: NMOS/PMOS, мкм 1.4/2.0 N LDD- стоки шаг ПКК,мкм 3.4 контакты 1, мкм 1.5*4.5 шаг металл 1, мкм 6.0 контакты 2, мкм 3.0*4.5 шаг металл 2, мкм 9.5 |
| Применение, элементная база | Логические ИС малой и средней степени интеграции с Еп до 5 В NMOS: Vtn= 0.8 B , Usd >12 В PMOS: Vtp= -0.8 B, Usd >12 В |
Парадак, кошт і тэрміны выканання заказаў на пастаўку дробнасерыйных тавараў дадаткова ўзгадняюцца Спажыўцом са службамі маркетынгу і збыту ААТ «ІНТЭГРАЛ» - кіруючай кампаніі холдынга «ІНТЭГРАЛ»
Маркетынг , Аддзел продажаў
Тэл.: .....(+375 17) 272 3729
......(+375 17) 353 2257
Факс:......(+375 17) 353 2257
Адрас электроннай пошты: export@integral.by
Тэл.: .....(+375 17) 272 3729
......(+375 17) 353 2257
Факс:......(+375 17) 353 2257
Адрас электроннай пошты: export@integral.by