5 В, 1.5 мкм КМОП, 1 ПКК,2 металла
5 В, 1.5 мкм КМОП, 1 ПКК,2 металла
- Характеристика процесса: Количество фотолитографий, шт. 14
Проектная норма, мкм 1.5
Подложка: КЭФ4.5
Глубина N/P-кармана, мкм 5/5
Межслойный диэлектрик: БФСС
Межуровневый диэлектрик: ПХО
Подзатворный SiO2, Å 245
Длина канала: NMOS/PMOS, мкм 1.4/2.0
N LDD- стоки
шаг ПКК,мкм 3.4
контакты 1, мкм 1.5*4.5
шаг металл 1, мкм 6.0
контакты 2, мкм 3.0*4.5
шаг металл 2, мкм 9.5 - Применение, элементная база: Логические ИС малой и средней
степени интеграции с Еп до 5 В
NMOS: Vtn= 0.8 B , Usd >12 В
PMOS: Vtp= -0.8 B, Usd >12 В