3-5 В, 0.5 мкм КМОП, 2 ПКК, 3 металла пл. 200 мм
Параметр | Значэнне |
---|---|
Характеристика процесса | Кол-во фотолитографий, шт. 18 Проектная норма, мкм 0.5 Подложка: Эпитаксиальная структура КДБ(6-15) на КДБ 0,007-0,020(100) N карман, Глубина в активной области, мкм 1,0 Подзатворный SiO2, Å 120 шаг ПКК, мкм 1.5 длина канала NMOS/PMOS, мкм 0.6/0.6 N и P LDD- стоки ПКК резистор Конденсаторы ПКК1 – ПКК2 Конденсаторный диэлектрик СТО, Å 300 Силицид контакты 1 (заполнены W), мкм 0.6 Межслойный диэлектрик: SACVD SiO2 + ПХ ТЭОС, мкм 1,05 металл I, 2 Ti/AlCu / Ti /TiN шаг по металлу 1, мкм 1.6 шаг по металлу 2, мкм 1.7 металл 3 /Ti/AlCu контакты 2, 3 (заполнены W), мкмø 0.7 шаг по металлу 3, мкм 2.2 |
Применение, элементная база | Часовые ИС с Епит от 2 до 5.5 В NMOS: Vtn=0.6 В, Usd >7 В PMOS: Vtр=-0.6 В, Usd >7 B |
Парадак, кошт і тэрміны выканання заказаў на пастаўку дробнасерыйных тавараў дадаткова ўзгадняюцца Спажыўцом са службамі маркетынгу і збыту ААТ «ІНТЭГРАЛ» - кіруючай кампаніі холдынга «ІНТЭГРАЛ»
Маркетынг , Аддзел продажаў
Тэл.: .....(+375 17) 272 3729
......(+375 17) 353 2257
Факс:......(+375 17) 353 2257
Адрас электроннай пошты: export@integral.by
Тэл.: .....(+375 17) 272 3729
......(+375 17) 353 2257
Факс:......(+375 17) 353 2257
Адрас электроннай пошты: export@integral.by