МЕНЮ Высокія тэхналогіі для лепшага жыцця
BY
Выбраць мову
CN RU EN
3-5 В, 0.5 мкм КМОП, 2 ПКК, 3 металла пл. 200 мм

3-5 В, 0.5 мкм КМОП, 2 ПКК, 3 металла пл. 200 мм

Параметр Значэнне
Характеристика процесса Кол-во фотолитографий, шт.       18

Проектная норма, мкм                 0.5

Подложка: Эпитаксиальная структура
КДБ(6-15) на КДБ 0,007-0,020(100)

N карман,

Глубина в активной области, мкм  1,0

Подзатворный SiO2, Å                 120

шаг ПКК, мкм                                 1.5

длина канала

NMOS/PMOS, мкм                   0.6/0.6

N и P  LDD- стоки

ПКК резистор

Конденсаторы ПКК1 – ПКК2

Конденсаторный диэлектрик СТО, Å  300

Силицид

контакты 1 (заполнены W), мкм       0.6

Межслойный диэлектрик:
SACVD SiO2 + ПХ ТЭОС, мкм       1,05

металл I, 2                        Ti/AlCu / Ti /TiN

шаг по металлу 1, мкм                    1.6

шаг по металлу 2, мкм                    1.7

металл 3                                  /Ti/AlCu

контакты 2, 3 (заполнены W), мкмø 0.7

шаг по металлу 3, мкм                    2.2
Применение, элементная база Часовые ИС с  Епит от 2 до 5.5 В

NMOS: Vtn=0.6 В, Usd >7 В
PMOS: Vtр=-0.6 В, Usd >7 B
Парадак, кошт і тэрміны выканання заказаў на пастаўку дробнасерыйных тавараў дадаткова ўзгадняюцца Спажыўцом са службамі маркетынгу і збыту ААТ «ІНТЭГРАЛ» - кіруючай кампаніі холдынга «ІНТЭГРАЛ»

Маркетынг , Аддзел продажаў
Тэл.: .....(+375 17) 272 3729
       ......(+375 17) 353 2257
Факс:......(+375 17) 353 2257
Адрас электроннай пошты: export@integral.by

Задать вопрос