BY
CN
RU
EN
1.5 В, 3.0 мкм КМОП, 1 ПКК,1 металл, несамосовмещенный затвор
| Параметр | Значэнне |
|---|---|
| Характеристика процесса | Количество фотолитографий, шт. 9 Проектные нормы, мкм 3,0 – 5,0 Подложка: КЭФ4.5 Глубина P-кармана, мкм 6-8 Подзатворный SiO2, Å 800 Межслойный диэлектрик СTФСС Длина канала: NMOS/PMOS, мкм 3 шаг ПКК, мкм 10 контакты, мкм 5 шаг по металлу, мкм 12 |
| Применение, элементная база | Часовые ИС малой и средней степени интеграции с Еп до 1.5В. NMOS: Vtn= 0.7/0.5 B , Usd >8 В, Ic>4мА PMOS: Vtp= -0.7 B/-0.5, Usd >8 В, Ic>2мА |
Парадак, кошт і тэрміны выканання заказаў на пастаўку дробнасерыйных тавараў дадаткова ўзгадняюцца Спажыўцом са службамі маркетынгу і збыту ААТ «ІНТЭГРАЛ» - кіруючай кампаніі холдынга «ІНТЭГРАЛ»
Маркетынг , Аддзел продажаў
Тэл.: .....(+375 17) 272 3729
......(+375 17) 353 2257
Факс:......(+375 17) 353 2257
Адрас электроннай пошты: export@integral.by
Тэл.: .....(+375 17) 272 3729
......(+375 17) 353 2257
Факс:......(+375 17) 353 2257
Адрас электроннай пошты: export@integral.by