1.5 В, 3.0 мкм КМОП, 1 ПКК,1 металл, несамосовмещенный затвор

Галоўная

Прадукцыя

Тэхналогіі

КМАП

1.5 В, 3.0 мкм КМОП, 1 ПКК,1 металл, несамосовмещенный затвор

Тэхнічныя характарыстыкі
Набыццё і тэхнічная падтрымка

Параметр	Значэнне
Характеристика процесса	Количество фотолитографий, шт. 9 Проектные нормы, мкм 3,0 – 5,0 Подложка: КЭФ4.5 Глубина P-кармана, мкм 6-8 Подзатворный SiO2, Å 800 Межслойный диэлектрик СTФСС Длина канала: NMOS/PMOS, мкм 3 шаг ПКК, мкм 10 контакты, мкм 5 шаг по металлу, мкм 12
Применение, элементная база	Часовые ИС малой и средней степени интеграции с Еп до 1.5В. NMOS: Vtn= 0.7/0.5 B , Usd >8 В, Ic>4мА PMOS: Vtp= -0.7 B/-0.5, Usd >8 В, Ic>2мА

Параметр

Значэнне

Характеристика процесса

Количество фотолитографий, шт.          9

Проектные нормы, мкм             3,0 – 5,0

Подложка:                                      КЭФ4.5

Глубина P-кармана, мкм                    6-8

Подзатворный SiO2, Å                        800

Межслойный диэлектрик              СTФСС

Длина канала: NMOS/PMOS, мкм        3

шаг ПКК, мкм                                         10

контакты, мкм                                         5

шаг по металлу, мкм                             12

Применение, элементная база

Часовые ИС
малой и средней степени интеграции
с Еп до 1.5В.

NMOS:

Vtn= 0.7/0.5 B , Usd >8 В, Ic>4мА

PMOS:

Vtp= -0.7 B/-0.5, Usd >8 В, Ic>2мА

Заказаць

Парадак, кошт і тэрміны выканання заказаў на пастаўку дробнасерыйных тавараў дадаткова ўзгадняюцца Спажыўцом са службамі маркетынгу і збыту ААТ «ІНТЭГРАЛ» - кіруючай кампаніі холдынга «ІНТЭГРАЛ»

Маркетынг , Аддзел продажаў
Тэл.: .....(+375 17) 272 3729
......(+375 17) 353 2257
Факс:......(+375 17) 353 2257
Адрас электроннай пошты: export@integral.by