• Характеристика процесса: Количество фотолитографий, шт.          9
  
  Проектные нормы, мкм             3,0 – 5,0
  
  Подложка:                                      КЭФ4.5
  
  Глубина P-кармана, мкм                    6-8
  
  Подзатворный SiO2, Å                        800
  
  Межслойный диэлектрик              СTФСС
  
  Длина канала: NMOS/PMOS, мкм          3
  
  шаг ПКК, мкм                                         10
  
  контакты, мкм                                         5
  
  шаг по металлу, мкм                             12
• Применение, элементная база: Часовые ИС
  малой и средней степени интеграции
  с Еп до 1.5В.
  
  NMOS:
  
  Vtn= 0.7/0.5 B , Usd >8 В, Ic>4мА
  
  PMOS:
  
  Vtp= -0.7 B/-0.5, Usd >8 В, Ic>2мА