5 В, 1.2 мкм КМОП, 2 ПКК, 2 металла, ЭСППЗУ пл. 150 мм

Галоўная

Прадукцыя

Тэхналогіі

КМАП

5 В, 1.2 мкм КМОП, 2 ПКК, 2 металла, ЭСППЗУ пл. 150 мм

Тэхнічныя характарыстыкі
Набыццё і тэхнічная падтрымка

Параметр	Значэнне
Характеристика процесса	Количество фотолитографий, шт. 23 (с метками) Проектная норма, мкм 1.2 Подложка: КДБ-12, 2 кармана Глубина N/P-кармана, мкм 5/6 Подзатворный SiO2: низковольтные транзисторы, Å 250 высоковольтные транзисторы, Å 350 Туннельный SiO2, Å 77 Межсл. диэлектрик-1:Si3N4, Å 350 Межсл. диэлектрик-2: БФСС, Å 7000 Межуровневый диэлектрик: ПХО+SOG+ПХО Длина канала: низковольтные NMOS/PMOS, мкм 1.4/1.6 высоковольтные NMOS/PMOS, мкм 2.6/2.6 N и P LDD- стоки, Встроенные транзисторы, шаг ПКК1, мкм 3.2 шаг по ПКК2 без контакта, мкм 2.4 шаг по ПКК2 с контактом, мкм 4,6 контакты-1, мкм ø 1.2 шаг по металлу 1 без контакта, мкм 3.2 шаг по металлу 2 с контактом, мкм 4,4 контакты 2, мкм ø 1.4 шаг по металлу 2 без контакта, мкм 4.4 шаг по металлу 2 с контактом, мкм 4,8
Применение, элементная база	ЭСППЗУ большой степени интеграции с Еп от 2,4 В до 6 В LV NMOS: Vtn=(0.4-0,8)В Usd?12 В LV PMOS: Vtр=-(0.5-0,9)В Usd <=-12 В HV- NMOS: Vtn=(0,3-0,6)В Usd?17 В HV- РMOS: Vtр=-(0,6-1,0)В Usd <=-15 В

Параметр

Значэнне

Характеристика процесса

Количество фотолитографий, шт.       23

(с метками)

Проектная норма, мкм                        1.2

Подложка: КДБ-12, 2 кармана

Глубина N/P-кармана, мкм                  5/6

Подзатворный SiO2:

низковольтные транзисторы, Å          250

высоковольтные транзисторы, Å       350

Туннельный SiO2, Å                             77

Межсл. диэлектрик-1:Si3N4, Å            350

Межсл. диэлектрик-2: БФСС, Å        7000

Межуровневый диэлектрик: ПХО+SOG+ПХО

Длина канала:

низковольтные NMOS/PMOS, мкм 1.4/1.6

высоковольтные NMOS/PMOS, мкм 2.6/2.6

N и P LDD- стоки, Встроенные транзисторы,

шаг ПКК1, мкм                                   3.2

шаг по ПКК2 без контакта, мкм          2.4

шаг по ПКК2 с контактом, мкм           4,6

контакты-1, мкм                               ø 1.2

шаг по металлу 1 без контакта, мкм 3.2

шаг по металлу 2 с контактом, мкм   4,4

контакты 2, мкм                                ø 1.4

шаг по металлу 2 без контакта, мкм 4.4

шаг по металлу 2 с контактом, мкм   4,8

Применение, элементная база

ЭСППЗУ большой степени интеграции
с Еп от 2,4 В до 6 В

LV NMOS: Vtn=(0.4-0,8)В Usd?12 В

LV PMOS: Vtр=-(0.5-0,9)В Usd <=-12 В

HV- NMOS: Vtn=(0,3-0,6)В Usd?17 В

HV- РMOS: Vtр=-(0,6-1,0)В Usd <=-15 В

Заказаць

Парадак, кошт і тэрміны выканання заказаў на пастаўку дробнасерыйных тавараў дадаткова ўзгадняюцца Спажыўцом са службамі маркетынгу і збыту ААТ «ІНТЭГРАЛ» - кіруючай кампаніі холдынга «ІНТЭГРАЛ»

Маркетынг , Аддзел продажаў
Тэл.: .....(+375 17) 272 3729
......(+375 17) 353 2257
Факс:......(+375 17) 353 2257
Адрас электроннай пошты: export@integral.by