• Характеристика процесса: Количество фотолитографий, шт.       23
  
  (с метками)
  
  Проектная норма, мкм                        1.2
  
  Подложка: КДБ-12,  2 кармана
  
  Глубина N/P-кармана, мкм                  5/6
  
  Подзатворный SiO2:
  
  низковольтные транзисторы, Å          250
  
  высоковольтные транзисторы, Å       350
  
  Туннельный SiO2, Å                             77
  
  Межсл. диэлектрик-1:Si3N4, Å            350
  
  Межсл. диэлектрик-2: БФСС, Å        7000
  
  Межуровневый диэлектрик: ПХО+SOG+ПХО
  
  Длина канала:
  
  низковольтные NMOS/PMOS, мкм  1.4/1.6
  
  высоковольтные NMOS/PMOS, мкм 2.6/2.6
  
  N и P LDD- стоки, Встроенные транзисторы,
  
  шаг ПКК1, мкм                                     3.2
  
  шаг по ПКК2 без контакта, мкм          2.4
  
  шаг по ПКК2 с контактом, мкм           4,6
  
  контакты-1, мкм                               ø 1.2
  
  шаг по металлу 1 без контакта, мкм  3.2
  
  шаг по металлу 2 с контактом, мкм   4,4
  
  контакты 2, мкм                                ø 1.4
  
  шаг по металлу 2 без контакта, мкм  4.4
  
  шаг по металлу 2 с контактом, мкм   4,8
• Применение, элементная база: ЭСППЗУ большой степени интеграции
  с Еп от 2,4 В до 6 В
  
   
  
  LV NMOS: Vtn=(0.4-0,8)В Usd?12 В
  
  LV PMOS: Vtр=-(0.5-0,9)В Usd <=-12 В
  
  HV- NMOS: Vtn=(0,3-0,6)В Usd?17 В
  
  HV- РMOS: Vtр=-(0,6-1,0)В Usd <=-15 В