1.2 мкм КМОП, 1ПКК, 2Ме

Галоўная

Прадукцыя

Тэхналогіі

КМАП

1.2 мкм КМОП, 1ПКК, 2Ме

Тэхнічныя характарыстыкі
Набыццё і тэхнічная падтрымка

Параметр	Значэнне
Характеристика процесса	Количество фотолитографий, шт. 11 Проектные нормы, мкм 1.2 Подложка: КДБ12 Глубина N/P-кармана, мкм 5/6 Подзатворный SiO₂, Å 250-300 Межслойный диэлектрик: БФСС Длина канала: NMOS/PMOS, мкм 1.4/1.6 шаг ПКК, мкм 2.8 контакты, мкм 1.6х1.6 шаг металл 1, мкм 3.4 шаг металл 2, мкм 3.0
Применение, элементная база	КМОП БМК NMOS: Vtn= 0.7B, Ic>11.5мА. Uпр>12 В PMOS: Vtp= 0.8B, Ic>4.5мА, Uпр>12В

Параметр

Значэнне

Характеристика процесса

Количество фотолитографий, шт.        11

Проектные нормы, мкм                       1.2

Подложка:                                       КДБ12

Глубина N/P-кармана, мкм                  5/6

Подзатворный SiO₂, Å                 250-300

Межслойный диэлектрик: БФСС

Длина канала: NMOS/PMOS, мкм   1.4/1.6

шаг ПКК, мкм                                      2.8

контакты, мкм                                1.6х1.6

шаг металл 1, мкм                               3.4

шаг металл 2, мкм                               3.0

Применение, элементная база

КМОП БМК

NMOS: Vtn= 0.7B, Ic>11.5мА. Uпр>12 В

PMOS: Vtp= 0.8B, Ic>4.5мА, Uпр>12В

Заказаць

Парадак, кошт і тэрміны выканання заказаў на пастаўку дробнасерыйных тавараў дадаткова ўзгадняюцца Спажыўцом са службамі маркетынгу і збыту ААТ «ІНТЭГРАЛ» - кіруючай кампаніі холдынга «ІНТЭГРАЛ»

Маркетынг , Аддзел продажаў
Тэл.: .....(+375 17) 272 3729
......(+375 17) 353 2257
Факс:......(+375 17) 353 2257
Адрас электроннай пошты: export@integral.by