• Характеристика процесса: Количество фотолитографий, шт.        11
  
  Проектные нормы, мкм                       1.2
  
  Подложка:                                       КДБ12
  
  Глубина N/P-кармана, мкм                  5/6
  
  Подзатворный SiO₂, Å                 250-300
  
  Межслойный диэлектрик: БФСС
  
  Длина канала: NMOS/PMOS, мкм   1.4/1.6
  
  шаг ПКК, мкм                                      2.8
  
  контакты, мкм                                1.6х1.6
  
  шаг металл 1, мкм                               3.4
  
  шаг металл 2, мкм                               3.0
• Применение, элементная база: КМОП БМК
  
  NMOS: Vtn= 0.7B, Ic>11.5мА. Uпр>12 В
  
  PMOS: Vtp= 0.8B, Ic>4.5мА, Uпр>12В