15 В,5.0 мкм КМОП, 1 ПКК, 1 металл, несамосовмещенный затвор

Галоўная

Прадукцыя

Тэхналогіі

КМАП

15 В,5.0 мкм КМОП, 1 ПКК, 1 металл, несамосовмещенный затвор

Тэхнічныя характарыстыкі
Набыццё і тэхнічная падтрымка

Параметр	Значэнне
Характеристика процесса	Количество фотолитографий, шт. 9 Проектная норма, мкм 5,0 Подложка: 460 КЭФ4.5 (100) Глубина P-кармана, мкм 10 Подзатворный SiO2, Å 950 Межслойный диэлектрик СTФСС Длина канала: NMOS/PMOS, мкм 5/6 шаг ПКК, мкм 5.5 контакты, мкм ø 2 шаг по металлу, мкм 8
Применение, элементная база	Логические ИС малой и средней степени интеграции с Еп до 20В. NMOS: Vtn= 1.1 B, Usd >27 В PMOS: Vtp= -1.0 B, Usd>29 В

Параметр

Значэнне

Характеристика процесса

Количество фотолитографий, шт. 9

Проектная норма, мкм 5,0

Подложка: 460 КЭФ4.5 (100)

Глубина P-кармана, мкм 10

Подзатворный SiO2, Å 950

Межслойный диэлектрик СTФСС

Длина канала: NMOS/PMOS, мкм 5/6

шаг ПКК, мкм 5.5

контакты, мкм ø 2

шаг по металлу, мкм 8

Применение, элементная база

Логические ИС малой и средней
степени интеграции с Еп до 20В.
NMOS: Vtn= 1.1 B, Usd >27 В
PMOS: Vtp= -1.0 B, Usd>29 В

Заказаць

Парадак, кошт і тэрміны выканання заказаў на пастаўку дробнасерыйных тавараў дадаткова ўзгадняюцца Спажыўцом са службамі маркетынгу і збыту ААТ «ІНТЭГРАЛ» - кіруючай кампаніі холдынга «ІНТЭГРАЛ»

Маркетынг , Аддзел продажаў
Тэл.: .....(+375 17) 272 3729
......(+375 17) 353 2257
Факс:......(+375 17) 353 2257
Адрас электроннай пошты: export@integral.by