200 В, с изоляцией p-n переходом 1 ПКК 1 металл, NДMOП/PДMOП высоковольтные транзисторы

Галоўная

Прадукцыя

Тэхналогіі

БiМАП

200 В, с изоляцией p-n переходом 1 ПКК 1 металл, NДMOП/PДMOП высоковольтные транзисторы

Тэхнічныя характарыстыкі
Набыццё і тэхнічная падтрымка

Параметр	Значэнне
Характеристика процесса	Кол-во фотолитографий, шт. 19 Средняя проектная норма, мкм 4.0 Подложка: 460КДБ12 (100) Скрытые слои: 30КЭС5,5/300КДБ2.0 Эпитаксиальный слой 27КЭФ8.0 Изоляция: p-n переход Глубина P-кармана, мкм 6.5 Глубина базы NДMOП, мкм 3.0 Подзатворный SiO2, Å 900 Глубина p-базы NPN, мкм 2.5 Глубина N+эмиттера, мкм 0.8 Межслойный диэлектрик СTФСС 0,55мкм+SIPOS 0.1мкм+ СTФСС 1,1мкм Длина канала по затвору: N/PДMOП, мкм 6 шаг ПКК, мкм 8 контакты, мкм 4 шаг по металлу, мкм 12
Применение, элементная база	Аналоговые ИС малой степени интеграции с Еп до 210 В Вертикальный NPN: Вп=70 Uсе=50 В NДMOП: Vtn= 2.0 B, Usd >200 В PДMOП: Vtp= -1.0 B, Usd >200 В NMOS: Vtn= 1.5 B , Usd >20 В Резисторы в слое: База NPN, Р-сток, ПКК. Емкости: ПКК-Si (SiO₂ 900 Å) ПКК-Al (SiO2 1600 Å)

Параметр

Значэнне

Характеристика процесса

Кол-во фотолитографий, шт.                        19

Средняя проектная норма, мкм              4.0

Подложка:                               460КДБ12 (100)

Скрытые слои:              30КЭС5,5/300КДБ2.0

Эпитаксиальный слой                    27КЭФ8.0

Изоляция:                p-n переход

Глубина P-кармана, мкм                            6.5

Глубина базы NДMOП, мкм                     3.0

Подзатворный SiO2, Å                                   900

Глубина p-базы NPN, мкм                          2.5

Глубина N+эмиттера, мкм                             0.8

Межслойный диэлектрик СTФСС 0,55мкм+SIPOS 0.1мкм+ СTФСС 1,1мкм

Длина канала по затвору:

N/PДMOП, мкм                                                   6

шаг ПКК, мкм                                                     8

контакты, мкм                                                   4

шаг по металлу, мкм                                        12

Применение, элементная база

Аналоговые ИС малой степени интеграции с Еп до 210 В

Вертикальный NPN:

Вп=70 Uсе=50 В

NДMOП: Vtn= 2.0 B,

Usd >200 В

PДMOП: Vtp= -1.0 B,

Usd >200 В

NMOS: Vtn= 1.5 B , Usd >20 В

Резисторы в слое:

База NPN, Р-сток, ПКК.

Емкости: ПКК-Si (SiO₂ 900 Å)

ПКК-Al (SiO2 1600 Å)

Заказаць

Парадак, кошт і тэрміны выканання заказаў на пастаўку дробнасерыйных тавараў дадаткова ўзгадняюцца Спажыўцом са службамі маркетынгу і збыту ААТ «ІНТЭГРАЛ» - кіруючай кампаніі холдынга «ІНТЭГРАЛ»

Маркетынг , Аддзел продажаў
Тэл.: .....(+375 17) 272 3729
......(+375 17) 353 2257
Факс:......(+375 17) 353 2257
Адрас электроннай пошты: export@integral.by