1.5 В, 1.6 мкм КМОП, 1 ПКК,1 металл, низкопороговый пл. 150 мм

Галоўная

Прадукцыя

Тэхналогіі

КМАП

1.5 В, 1.6 мкм КМОП, 1 ПКК,1 металл, низкопороговый пл. 150 мм

Тэхнічныя характарыстыкі
Набыццё і тэхнічная падтрымка

Параметр	Значэнне
Характеристика процесса	Количество фотолитографий, шт. 11 Проектная норма, мкм 1.6 Подложка: КДБ12, 2 кармана Глубина N/P-кармана, мкм 5/6 Подзатворный SiO2, Å 300 Межслойный диэлектрик БФСС Длина канала: NMOS/PMOS, мкм 2.0 шаг ПКК, мкм 3.2 контакты, мкм ø 1.5 шаг металла, мкм 3.6
Применение, элементная база	Цифровые ИМС средней степени интеграции для ЭНЧ и микрокалькуляторов Eпит от 1.5 В до 3 В. NMOS: Vtn= 0.5 B , Usd >10 В PMOS: Vtp= -0.5 B, Usd >10 В

Параметр

Значэнне

Характеристика процесса

Количество фотолитографий, шт.       11

Проектная норма, мкм                        1.6

Подложка:            КДБ12, 2 кармана

Глубина N/P-кармана, мкм              5/6

Подзатворный SiO2, Å                  300

Межслойный диэлектрик    БФСС

Длина канала: NMOS/PMOS, мкм    2.0

шаг ПКК, мкм                                       3.2

контакты, мкм                                   ø 1.5

шаг металла, мкм                                3.6

Применение, элементная база

Цифровые ИМС
средней степени интеграции
для ЭНЧ и микрокалькуляторов

Eпит от 1.5 В до 3 В.

NMOS: Vtn= 0.5 B , Usd >10 В

PMOS: Vtp= -0.5 B, Usd >10 В

Заказаць

Парадак, кошт і тэрміны выканання заказаў на пастаўку дробнасерыйных тавараў дадаткова ўзгадняюцца Спажыўцом са службамі маркетынгу і збыту ААТ «ІНТЭГРАЛ» - кіруючай кампаніі холдынга «ІНТЭГРАЛ»

Маркетынг , Аддзел продажаў
Тэл.: .....(+375 17) 272 3729
......(+375 17) 353 2257
Факс:......(+375 17) 353 2257
Адрас электроннай пошты: export@integral.by