МЕНЮ Высокія тэхналогіі для лепшага жыцця
BY
Выбраць мову
CN RU EN
0.5 мкм КМОП, 2 ПКК, 3 металла пл. 200 мм

0.5 мкм КМОП, 2 ПКК, 3 металла пл. 200 мм

Параметр Значэнне
Характеристика процесса Кол-во фотолитографий, шт.             17

Проектная норма, мкм                      0.5

Подложка: Эпитаксиальная структура
КДБ(6-15) на КДБ 0,007-0,020(100)
2 кармана,

Глубина в активной области, мкм     1,0

Подзатворный SiO2, Å                      120

шаг ПКК, мкм                                      1.0

длина канала
NMOS/PMOS, мкм                        0.6/0.6

N и P  LDD- стоки

ПКК резистор

Конденсаторы ПКК1 – ПКК2

Конденсаторный диэлектрик СТО, Å  300

Силицид

контакты 1 (заполнены W), мкм        0.5

Межслойный диэлектрик:

SACVD SiO2 + ПХ ТЭОС, мкм          1,05

металл I, 2                          Ti/AlCu / Ti /TiN

шаг по металлу 1, мкм                       1.0

шаг по металлу 2, мкм                       1.1
металл 3                                      /Ti/AlCu

контакты 2, 3 (заполнены W), мкмø  0.6

шаг по металлу 3, мкм                       1.2
Применение, элементная база Схемы контроллеров напряжения питания
Епит от 2,7 до 5,5 В

NMOS: Vtn=0.6 В, Usd >7 В
PMOS: Vtр=-0.6 В, Usd >7 B
Парадак, кошт і тэрміны выканання заказаў на пастаўку дробнасерыйных тавараў дадаткова ўзгадняюцца Спажыўцом са службамі маркетынгу і збыту ААТ «ІНТЭГРАЛ» - кіруючай кампаніі холдынга «ІНТЭГРАЛ»

Маркетынг , Аддзел продажаў
Тэл.: .....(+375 17) 272 3729
       ......(+375 17) 353 2257
Факс:......(+375 17) 353 2257
Адрас электроннай пошты: export@integral.by

Задать вопрос