МЕНЮ Высокія тэхналогіі для лепшага жыцця
BY
Выбраць мову
CN RU EN
3-5 В, 0.8 мкм КМОП, 1 ПКК (2ПКК),2 металла пл. 150 мм

3-5 В, 0.8 мкм КМОП, 1 ПКК (2ПКК),2 металла пл. 150 мм

Параметр Значэнне
Характеристика процесса Кол-во фотолитографий, шт.        14 (16)

Проектная норма, мкм                        0.8

Подложка: КЭФ4.5 или КДБ12, 2 кармана

Глубина N/ P карманов, мкм               4/4

Межслойный диэлектрик:   БФСС

Подзатворный SiO2, Å               130 / 160

длина канала NMOS/PMOS, мкм   0.9/1.0

N и P LDD- стоки

металл I                             Ti-TiN/Al-Si/TiN

шаг ПКК, мкм                                       1.9

контакты 1, мкм                                ø 0.9

шаг по металлу 1, мкм                        2.2

металл 2                                      Al-Si/TiN

контакты 2, мкм                                ø 0.9

шаг по металлу 2, мкм                        2.4
Применение, элементная база ИС для телефонии, заказные ИС
с Eпит. от 3 В до 5 В

 NMOS: 

Vtn=0.6 В, Usd >10 В

PMOS: 

Vtр=-0.7 В, Usd >10 B
Парадак, кошт і тэрміны выканання заказаў на пастаўку дробнасерыйных тавараў дадаткова ўзгадняюцца Спажыўцом са службамі маркетынгу і збыту ААТ «ІНТЭГРАЛ» - кіруючай кампаніі холдынга «ІНТЭГРАЛ»

Маркетынг , Аддзел продажаў
Тэл.: .....(+375 17) 272 3729
       ......(+375 17) 353 2257
Факс:......(+375 17) 353 2257
Адрас электроннай пошты: export@integral.by

Задать вопрос