• Характеристика процесса: Кол-во фотолитографий, шт.        14 (16)
  
  Проектная норма, мкм                        0.8
  
  Подложка: КЭФ4.5 или КДБ12, 2 кармана
  
  Глубина N/ P карманов, мкм               4/4
  
  Межслойный диэлектрик:   БФСС
  
  Подзатворный SiO2, Å               130 / 160
  
  длина канала NMOS/PMOS, мкм   0.9/1.0
  
  N и P LDD- стоки
  
  металл I                             Ti-TiN/Al-Si/TiN
  
  шаг ПКК, мкм                                       1.9
  
  контакты 1, мкм                                ø 0.9
  
  шаг по металлу 1, мкм                        2.2
  
  металл 2                                      Al-Si/TiN
  
  контакты 2, мкм                                ø 0.9
  
  шаг по металлу 2, мкм                        2.4
• Применение, элементная база: ИС для телефонии, заказные ИС
  с Eпит. от 3 В до 5 В
  
   NMOS: 
  
  Vtn=0.6 В, Usd >10 В
  
  PMOS: 
  
  Vtр=-0.7 В, Usd >10 B