20 В с изоляцией p-n переходом

Галоўная

Прадукцыя

Тэхналогіі

Біпалярныя

20 В с изоляцией p-n переходом

Тэхнічныя характарыстыкі
Набыццё і тэхнічная падтрымка

Параметр	Значэнне
Характеристика процесса	Количество фотолитографий, шт. 13 Проектная норма, мкм 2.0 Подложка: 460КДБ10 (111) Скрытые слои: 5КЭС17/1.6КДБ510 Эпитаксиальный слой: 10КЭФ1,25 Изоляция: p-n переход Глубина p-базы, мкм 2.4 Глубина N+эмиттера, мкм 1.7 Размер эмиттера, мкм 6 Расстояние между транзисторами, мкм 6 Коммутация: контакты 1, мкм 4 шаг 1 металл, мкм 13.0 контакты 2, мкм 4*4 шаг 2 металл, мкм 12.0
Применение, элементная база	Цифроаналоговые ИС малой и средней степени интеграции с Еп до 18 В Вертикальный NPN: Вn=150 Uce=28 В Горизонтальный РNP: Вр=35 Uсе=45 В Вертикальный РNP: Вр=35 Uсе=45 В I2L вентиль Емкости: Э-Б; К-Б; Ме-+; Ме1-Ме2. Резисторы в слоях: Изоляция; База; Резистор.

Параметр

Значэнне

Характеристика процесса

Количество фотолитографий, шт.                                 13
Проектная норма, мкм                                       2.0
Подложка:                                                      460КДБ10 (111)
Скрытые слои:                                        5КЭС17/1.6КДБ510
Эпитаксиальный слой:                                        10КЭФ1,25
Изоляция:                                                            p-n переход
Глубина p-базы, мкм                                                     2.4
Глубина N+эмиттера, мкм                                            1.7
Размер эмиттера, мкм                                                   6
Расстояние между транзисторами, мкм                       6
Коммутация: контакты 1, мкм                                        4
шаг 1 металл, мкм                                                          13.0
контакты 2, мкм                                                               4*4
шаг 2 металл, мкм                                                          12.0

Применение, элементная база

Цифроаналоговые ИС малой и средней

степени интеграции с Еп до 18 В
Вертикальный NPN:
Вn=150 Uce=28 В
Горизонтальный РNP:
Вр=35 Uсе=45 В
Вертикальный РNP:
Вр=35 Uсе=45 В
I2L вентиль
Емкости: Э-Б; К-Б; Ме-+;
Ме1-Ме2.
Резисторы в слоях:
Изоляция; База; Резистор.

Заказаць

Парадак, кошт і тэрміны выканання заказаў на пастаўку дробнасерыйных тавараў дадаткова ўзгадняюцца Спажыўцом са службамі маркетынгу і збыту ААТ «ІНТЭГРАЛ» - кіруючай кампаніі холдынга «ІНТЭГРАЛ»

Маркетынг , Аддзел продажаў
Тэл.: .....(+375 17) 272 3729
......(+375 17) 353 2257
Факс:......(+375 17) 353 2257
Адрас электроннай пошты: export@integral.by