КМОП, 0.35 мкм, 1ПКК, 2 металла пл. 200 мм
Параметр | Значэнне |
---|---|
Характеристика процесса | Кол-во фотолитографий, шт. 15 Проектная норма, мкм 0.35 Подложка: 725КДБ0,015(100) Эпитаксиальный слой: 15КДБ12 2 ретроградных кармана Межслойный диэлектрик: SACVD SiO2 + ПХ ТЭОС, мкм 1,05 мкм Подзатворный SiO2, Å 70 длина канала NMOS/PMOS, мкм 0.35 N&P LDD- стоки Силицид титана металл I Ti/AlCu / Ti /TiN шаг ПКК, мкм 0.8 контакты 1 (заполнены W), мкм ø 0.5 шаг по металлу 1, мкм 0.95 металл 2 Ti/AlCu контакты 2 (заполнены W), мкм ø 0.5 шаг по металлу 2, мкм 1.1 |
Применение, элементная база | Цифровые ИМС, спецстойкие, Епит = 3 В NMOS: Vtn=0.6 В, Usd >5 В PMOS: Vtр=-0.6 В, Usd >5 B |
Парадак, кошт і тэрміны выканання заказаў на пастаўку дробнасерыйных тавараў дадаткова ўзгадняюцца Спажыўцом са службамі маркетынгу і збыту ААТ «ІНТЭГРАЛ» - кіруючай кампаніі холдынга «ІНТЭГРАЛ»
Маркетынг , Аддзел продажаў
Тэл.: .....(+375 17) 272 3729
......(+375 17) 353 2257
Факс:......(+375 17) 353 2257
Адрас электроннай пошты: export@integral.by
Тэл.: .....(+375 17) 272 3729
......(+375 17) 353 2257
Факс:......(+375 17) 353 2257
Адрас электроннай пошты: export@integral.by