МЕНЮ Высокія тэхналогіі для лепшага жыцця
BY
Выбраць мову
CN RU EN
КМОП, 0.35 мкм, 1ПКК, 2 металла пл. 200 мм

КМОП, 0.35 мкм, 1ПКК, 2 металла пл. 200 мм

Параметр Значэнне
Характеристика процесса Кол-во фотолитографий, шт.                  15

Проектная норма, мкм                          0.35

Подложка:                      725КДБ0,015(100)

Эпитаксиальный слой:                 15КДБ12

2 ретроградных кармана

Межслойный диэлектрик:
SACVD SiO2 + ПХ ТЭОС, мкм      1,05 мкм

Подзатворный SiO2, Å                            70

длина канала
NMOS/PMOS, мкм                                0.35

N&P LDD- стоки

Силицид титана

металл I                              Ti/AlCu / Ti /TiN

шаг ПКК, мкм                                          0.8

контакты 1 (заполнены W), мкм      ø 0.5

шаг по металлу 1, мкм                         0.95

металл 2                                           Ti/AlCu

контакты 2 (заполнены W), мкм      ø 0.5

шаг по металлу 2, мкм                            1.1
Применение, элементная база Цифровые ИМС, спецстойкие,
Епит = 3 В

NMOS:
Vtn=0.6 В, Usd >5 В
PMOS:
Vtр=-0.6 В, Usd >5 B
Парадак, кошт і тэрміны выканання заказаў на пастаўку дробнасерыйных тавараў дадаткова ўзгадняюцца Спажыўцом са службамі маркетынгу і збыту ААТ «ІНТЭГРАЛ» - кіруючай кампаніі холдынга «ІНТЭГРАЛ»

Маркетынг , Аддзел продажаў
Тэл.: .....(+375 17) 272 3729
       ......(+375 17) 353 2257
Факс:......(+375 17) 353 2257
Адрас электроннай пошты: export@integral.by

Задать вопрос