МЕНЮ Высокія тэхналогіі для лепшага жыцця
BY
Выбраць мову
CN RU EN

Диоды Шоттки с Мо барьером

Параметр Значэнне
Характеристика процесса Количество фотолитографий, шт.              4
размер мм        1                   0. 76х0.76 - 4х4
Подложка:                     460КЭМ0.0035 (111)
Эпитаксиальный слой:      4.5КЭФ(0.6-0.8)
Изоляция:   p-n переход с полевым окислом
Металлизация  Аl + Mo-Ti-Ni-Ag
Применение, элементная база Кремниевые быстро действующие 
диоды для импульсных 
источников питания.
U обр.В        40 – 150
I обр.мка     < 250
Iпр. мах. А    1 - 30
Парадак, кошт і тэрміны выканання заказаў на пастаўку дробнасерыйных тавараў дадаткова ўзгадняюцца Спажыўцом са службамі маркетынгу і збыту ААТ «ІНТЭГРАЛ» - кіруючай кампаніі холдынга «ІНТЭГРАЛ»

Маркетынг , Аддзел продажаў
Тэл.: .....(+375 17) 272 3729
       ......(+375 17) 353 2257
Факс:......(+375 17) 353 2257
Адрас электроннай пошты: export@integral.by

Задать вопрос