Диоды Шоттки с Мо барьером
Параметр | Значэнне |
---|---|
Характеристика процесса | Количество фотолитографий, шт. 4 размер мм 1 0. 76х0.76 - 4х4 Подложка: 460КЭМ0.0035 (111) Эпитаксиальный слой: 4.5КЭФ(0.6-0.8) Изоляция: p-n переход с полевым окислом Металлизация Аl + Mo-Ti-Ni-Ag |
Применение, элементная база | Кремниевые быстро действующие диоды для импульсных источников питания. U обр.В 40 – 150 I обр.мка < 250 Iпр. мах. А 1 - 30 |
Парадак, кошт і тэрміны выканання заказаў на пастаўку дробнасерыйных тавараў дадаткова ўзгадняюцца Спажыўцом са службамі маркетынгу і збыту ААТ «ІНТЭГРАЛ» - кіруючай кампаніі холдынга «ІНТЭГРАЛ»
Маркетынг , Аддзел продажаў
Тэл.: .....(+375 17) 272 3729
......(+375 17) 353 2257
Факс:......(+375 17) 353 2257
Адрас электроннай пошты: export@integral.by
Тэл.: .....(+375 17) 272 3729
......(+375 17) 353 2257
Факс:......(+375 17) 353 2257
Адрас электроннай пошты: export@integral.by