0,35 мкм; 2 ПКК; 2 металла; КМОП, ЭСППЗУ; пл. 200 мм

Галоўная

Прадукцыя

Тэхналогіі

КМАП

0,35 мкм; 2 ПКК; 2 металла; КМОП, ЭСППЗУ; пл. 200 мм

Тэхнічныя характарыстыкі
Набыццё і тэхнічная падтрымка

Параметр	Значэнне
Характеристика процесса	Количество фотолитографий, шт. 27 (с метками) Проектная норма, мкм 1.2 Подложка: : Эпитаксиальная структура КДБ(6-15) на КДБ 0,007-0,020(100) 2 кармана Глубина N/P-кармана, мкм 3,0/1,3 Подзатворный SiO2: низковольтные транзисторы, Å 120 высоковольтные транзисторы, Å 250 Туннельный SiO2, Å 75 Межсл. диэлектрик-1:Si3N4, Å 250 Длина канала: низковольтные NMOS/PMOS, мкм 0.5/0.5 высоковольтные NMOS/PMOS, мкм 2.1/1.0 N и P LDD- стоки, Встроенные транзисторы, шаг ПКК1, мкм 2.5 шаг по ПКК2 без контакта, мкм 1.1 Силицид контакты 1 (заполнены W), мкм 0.5 Межслойный диэлектрик 2: SACVD SiO2 + ПХ ТЭОС, мкм 1,05 металл I Ti/AlCu / Ti /TiN шаг по металлу 1, мкм 1.0 Межуровневый диэлектрик SACVD SiO2+ПХО ТЭОС, мкм 0.95 контакты 2 (заполнены W), мкмø 0.5 металл 2 Ti/AlCu шаг по металлу 2, мкм 1.1
Применение, элементная база	ЭСППЗУ большой степени интеграции с Еп 5 В LV NMOS: Vtn=(0.5-0,7)В Usd³12 В LV PMOS: Vtр=-(0.6-0,8)В Usd ≤-12 В HV- NMOS: Vtn=(0,4-0,7)В Usd³17 В HV- РMOS: Vtр=-(0,6-0,9)В Usd ≤-15 В

Параметр

Значэнне

Характеристика процесса

Количество фотолитографий, шт.         27
(с метками)

Проектная норма, мкм                           1.2

Подложка: : Эпитаксиальная структура
КДБ(6-15) на КДБ 0,007-0,020(100)
2 кармана

Глубина N/P-кармана, мкм                  3,0/1,3

Подзатворный SiO2:

низковольтные транзисторы, Å          120

высоковольтные транзисторы, Å        250

Туннельный SiO2, Å                               75

Межсл. диэлектрик-1:Si3N4, Å              250

Длина канала:

низковольтные NMOS/PMOS, мкм   0.5/0.5

высоковольтные NMOS/PMOS, мкм 2.1/1.0

N и P LDD- стоки, Встроенные транзисторы,

шаг ПКК1, мкм                                 2.5

шаг по ПКК2 без контакта, мкм            1.1

Силицид

контакты 1 (заполнены W), мкм      0.5

Межслойный диэлектрик 2:

SACVD SiO2 + ПХ ТЭОС, мкм              1,05

металл I                       Ti/AlCu / Ti /TiN

шаг по металлу 1, мкм                           1.0

Межуровневый диэлектрик SACVD SiO2+ПХО ТЭОС, мкм 0.95

контакты 2 (заполнены W), мкмø     0.5

металл 2                       Ti/AlCu

шаг по металлу 2, мкм                  1.1

Применение, элементная база

ЭСППЗУ большой степени интеграции с Еп 5 В

LV NMOS: Vtn=(0.5-0,7)В Usd³12 В
LV PMOS: Vtр=-(0.6-0,8)В Usd ≤-12 В
HV- NMOS: Vtn=(0,4-0,7)В Usd³17 В
HV- РMOS: Vtр=-(0,6-0,9)В Usd ≤-15 В

Заказаць

Парадак, кошт і тэрміны выканання заказаў на пастаўку дробнасерыйных тавараў дадаткова ўзгадняюцца Спажыўцом са службамі маркетынгу і збыту ААТ «ІНТЭГРАЛ» - кіруючай кампаніі холдынга «ІНТЭГРАЛ»

Маркетынг , Аддзел продажаў
Тэл.: .....(+375 17) 272 3729
......(+375 17) 353 2257
Факс:......(+375 17) 353 2257
Адрас электроннай пошты: export@integral.by