Біпалярныя
60 В с изоляцией p-n переходом “Bp30-60”
-
Характеристика процесса:
Количество фотолитографий, шт 13-15
Проектная норма, мкм 2.0
Подложка: 460КДБ10 (111)
Скрытые слои: 7.5КЭС13/1.95КДБ210
Эпитаксиальный слой: 15.5КЭФ6.5
Изоляция: p-n переход
Глубина p-базы, мкм 2.0
Глубина N+эмиттера, мкм 1.7
Размер эмиттера, мкм 9*9
Расстояние между
транзисторами, мкм 4
Коммутация:
контакты 1, мкм 3*3
шаг 1 металл, мкм 9.0
контакты 2, мкм 4*4
шаг 2 металл, мкм 14.0 -
Применение, элементная база:
Цифроаналоговые ИС малой и средней степени интеграции с Еп до 60В
Вертикальный NPN транзистор:
Вn=150 Uce=70 В
Горизонтальный РNP транзистор:
Вр=65 Uсе=70 В
Вертикальный РNP транзистор:
Вр=60 Uсе=70 В
Емкости: Э-Б; К-Б; Ме-n+;
Ме1-Ме2.
Резисторы в слоях:
Изоляция; База; Резистор.
40 В комплементарный с изоляцией p-n переходом “Bp30С-40”
-
Характеристика процесса:
Количество фотолитографий, шт 11-17
Проектная норма, мкм 2.0
Подложка: 460КДБ10 (111)
Скрытые слои: 7.5КЭС13/1.95КДБ350
Эпитаксиальный слой: 14КЭФ4.0
Изоляция: p-n переход
Глубина p-базы, мкм 2.0
Глубина N+эмиттера, мкм 1.7
Размер эмиттера, мкм 9*9
Расстояние между
транзисторами, мкм 4
Коммутация:
контакты 1, мкм 3*3
шаг 1 металл, мкм 9.0
контакты 2, мкм 4*4
шаг 2 металл, мкм 14.0 -
Применение, элементная база:
Цифроаналоговые ИС малой и средней степени интеграции с Еп до 40В
Вертикальный NPN транзистор:
Вn=150 Uce=48 В
Горизонтальный РNP транзистор:
Вр=65 Uсе=60 В
Вертикальный РNP транзистор:
Вр=60 Uсе=60 В
Вертикальный РNP с изолированным коллектором:
Вр=80 Uсе=50 В
Емкости: Э-Б; К-Б; Ме-n+;
Ме1-Ме2.
Резисторы в слоях: Изоляция; База; Резистор.
20 В с изоляцией p-n переходом
-
Характеристика процесса:
Количество фотолитографий, шт. 13
Проектная норма, мкм 2.0
Подложка: 460КДБ10 (111)
Скрытые слои: 5КЭС17/1.6КДБ510
Эпитаксиальный слой: 10КЭФ1,25
Изоляция: p-n переход
Глубина p-базы, мкм 2.4
Глубина N+эмиттера, мкм 1.7
Размер эмиттера, мкм 6
Расстояние между транзисторами, мкм 6
Коммутация: контакты 1, мкм 4
шаг 1 металл, мкм 13.0
контакты 2, мкм 4*4
шаг 2 металл, мкм 12.0 -
Применение, элементная база:
Цифроаналоговые ИС малой и средней
степени интеграции с Еп до 18 В
Вертикальный NPN:
Вn=150 Uce=28 В
Горизонтальный РNP:
Вр=35 Uсе=45 В
Вертикальный РNP:
Вр=35 Uсе=45 В
I2L вентиль
Емкости: Э-Б; К-Б; Ме-+;
Ме1-Ме2.
Резисторы в слоях:
Изоляция; База; Резистор.
15 В с изоляцией p-n переходом
-
Характеристика процесса:
Количество фотолитографий, шт 10-13
Проектная норма, мкм 2.0
Подложка: 460КДБ10 (111)
Скрытые слои: 6КЭС20/1.95КДБ210
Эпитаксиальный слой: 8КЭФ4.5
Изоляция: p-n переход
Глубина p-базы, мкм 2.4
Глубина N+эмиттера, мкм 1.7
Размер эмиттера, мкм 6
Расстояние между транзисторами, мкм 6
Коммутация: контакты 1, мкм 4
шаг 1 металл, мкм 13 -
Применение, элементная база:
Цифроаналоговые ИС малой и средней степени интеграции с Еп до 18 В
Вертикальный NPN:
Вn=150 Uce=28 В
Горизонтальный РNP:
Вр=35 Uсе=45 В
Вертикальный РNP:
Вр=35 Uсе=45 В
Конденсатор: Ме-n+эмиттер.
Резисторы в слое ПКК
Диоды Шоттки с Мо барьером
-
Характеристика процесса:
Количество фотолитографий, шт. 4
размер мм 1 0. 76х0.76 - 4х4
Подложка: 460КЭМ0.0035 (111)
Эпитаксиальный слой: 4.5КЭФ(0.6-0.8)
Изоляция: p-n переход с полевым окислом
Металлизация Аl + Mo-Ti-Ni-Ag -
Применение, элементная база:
Кремниевые быстро действующие
диоды для импульсных
источников питания.
U обр.В 40 – 150
I обр.мка < 250
Iпр. мах. А 1 - 30
Технология изготовления тиристоров, триаков
-
Характеристика процесса:
Подложка КОФ35,
10 фотолитографий (контактная, двухсторонняя)
База: диффузия бора,
глубина, мкм 35-45
Катод: диффузия фосфора,
глубина, мкм 15-18
Защита p-n переходов: SiPOS, Si3N4, СТФСС
Металлизация:Al 2,0 мкм
Пассивация: НТФСС+ПХО
Обр. сторона: Ti-Ni-Ag -
Применение, элементная база:
Iос=2,0 А
Uпроб=(600-800) В
Биполярная технология изготовления мощных pnp-транзисторов Дарлингтона
-
Характеристика процесса:
Эпитаксиальная структура
Подложка КДБ 0,05 (111):
Толщина слоя, мкм 25-33
Удельное сопротивление, Ом x см 10-18
6,7 фотолитографий (контактная)
База: ионная имплантация фосфора,
глубина, мкм 6-8
Эмиттер: диффузия бора, глубина, мкм 2,5-5,5
Защита p-n переходов: SiO2,Ta2O5
Металлизация: Al 4,5 мкм
Обр. сторона: Ti-Ni-Ag -
Применение, элементная база:
Uкб=(60-70) B
Uкэ=(60-70) В
Iк=(2,0-12) А
h21э>500
Биполярная технология изготовления pnp-транзисторов с токами коллектора (7,5÷16) А
-
Характеристика процесса:
Эпитаксиальная структура
Подложка КДБ 0,05 (111)
Толщина эпитаксиального слоя, мкм 25-28
Удельное сопротивление, Ом x см 8-11
7 фотолитографий (контактная)
База: ионная имплантация фосфора,
глубина, мкм 4,5-7,5
Эмиттер: диффузия бора,
глубина, мкм 1,4-2,5
Защита p-n переходов: SiO2,Ta2O5
Металлизация: Al 4,0 мкм
Обр. сторона: Ti-Ni-Ag -
Применение, элементная база:
Uкб=(80-160) B
Uкэ=(30-90) В
Iк=(7,5-16) А
h21э>15
Биполярная технология изготовления pnp-транзисторов с областью рабочих напряжений (200-300) В
-
Характеристика процесса:
питаксиальная структура
Подложка КДБ 0,03 (111)
Толщина эпитаксиального слоя, мкм 40-45
Удельное сопротивление, Ом x см 40-50
7 фотолитографий (контактная)
База: ионная имплантация фосфора,
глубина, мкм 3-5,5
Эмиттер: диффузия бора
Защита p-n перехода коллектор-база SiPOS
Металлизация: Al 1,4 мкм
Обр. сторона: Ti-Ni-Ag-Sn-Pb-Sn -
Применение, элементная база:
Uкб=(250-300) B
Uкэ=(200-250) В
Iк=(0,4-0,5) А
h21э>40
Биполярная технология изготовления мощных npn-транзисторов Дарлингтона
-
Характеристика процесса:
Подложка КЭС 0,01 (111)
Толщина эпитаксиального слоя, мкм 27-38
Удельное сопротивление, Ом x см 8-21
6-7 фотолитографий (контактная)
База: ионная имплантация,
глубина, мкм 6-8
Эмиттер: диффузия,
глубина, мкм 2,5-5,5
Защита p-n перехода коллектор-база SiPOS
Металлизация: Al 4,5 мкм
Обр. сторона: Ti-Ni-Ag
Пассивация: НТФСС(ПХО) -
Применение, элементная база:
Uкб=(330-350) B
Uкэ=(150-350) В
Iк=(5-15) А
h21э>100
Биполярная технология изготовления npn-транзисторов с областью рабочих напряжений (300-700)В
-
Характеристика процесса:
Эпитаксиальная структура
Подложка: КЭС 0,01 (111)
Толщина эпитаксиального слоя, мкм 50-80
Удельное сопротивление, Ом-см 40-50
7-8 фотолитографий (контактная)
База: ионная имплантация,
Глубина, мкм 2,8-4,6
Эмиттер: диффузия,
глубина, мкм 1,4-2,8
Защита p-n перехода коллектор-база SiPOS
Металлизация: Al 1,4; 4,5 мкм
Обр. сторона: Ti-Ni-Ag
Пассивация: НТФСС(ПХО) -
Применение, элементная база:
Uкб=(300-700) B
Uкэ=(300-400) В
Iк=(0,5-8,0) А
h21э=(8-40)
Биполярная технология изготовления npn-транзисторов с областью рабочих напряжений (160-300) В
-
Характеристика процесса:
Эпитаксиальная структура
Подложка: КЭС 0,01 (111)
Толщина эпитаксиального слоя, мкм 35,50
Удельное сопротивление, Ом-см 23
7-8 фотолитографий (контактная)
База: ионная имплантация,
глубина, мкм 2,8-4,6
Эмиттер: диффузия,
глубина, мкм 1,4-2,8
Защита p-n перехода коллектор-база SiPOS
Металлизация: Al 1,4 мкм
Обр. сторона: Ti-Ni-Ag(Sn-Pb-Sn)
Пассивация: НТФСС(ПХО) -
Применение, элементная база:
Uкб=(160-300) B
Uкэ=(160-300) В
Iк=(0,1-1,5) А
h21э>25
Биполярная технология изготовления мощных npn-транзисторов с рабочим напряжениям 1500В
-
Характеристика процесса:
Подложка: КОФ 102-90
8 фотолитографий (контактная):
База: ионная имплантация глубина, мкм 20-26
Эмиттер: диффузия,
глубина, мкм 10-15
Защита p-n перехода коллектор – база: SiPOS
Металлизация: алюминий 4,5 мкм
Радиационная обработка для обеспечения динамики.
Матирование обратной стороны
Обратная сторона: напыление Ti-Ni-Ag -
Применение, элементная база:
Uкэ=1500 B
Uкэ=(700-800) В
Iк=(5-12) А
Биполярная технология изготовления стабилизаторов напряжения положительной и отрицательной полярности с двумя уровнями металлизации
-
Характеристика процесса:
Количество фотолитографий, шт. 11-14
Проектная норма, мкм 4
Подложка: 460КДБ10 (111)
Скрытые cлои: 5КЭС17/(1.6-1,95) КДБ (210-510)
Эпитаксиальный лой: 10-14 КЭФ1,25-4,5
Изоляция: p-n переход
Слои глубокий коллектор, разделение, эмиттер выполнены методом диффузия.
Слои база, резистор – методом ионной имплантации
Диэлектрик емкости: окисел кремния или нитрид кремния.
Глубина p-базы, мкм 1,8-2,8
Глубина N+эмиттера, мкм 0,9-2,2
1-ый межслойный диэлектрик: СТФСС+Si3N4
2-ой межслойной диэлектрик: НТФСС
1-ый уровень металлизации: AlSiCuTi 0,55 мкм
2-ой уровень металлизации: AlSi, Al- (1,4 – 3,0) мкм
Пассивация: ПХО 1,2 мкм -
Применение, элементная база:
Вертикальный NPN:
h21э=(80-200)
Uкэ≥18 В
Горизонтальный РNP:
h21э≥ 20
Uкэ≥20 В
Емкость:n+ - Al
Резисторы в слоях:
База; эмиттер, контакты.
Биполярная технология изготовления стабилизаторов напряжения положительной и отрицательной полярности с одним уровнем металлизации
-
Характеристика процесса:
Количество фотолитографий, шт. 7-12
Проектная норма, мкм 4
Подложка: 460КДБ10 (111)
Скрытые слои: 5-6 КЭС 20-25/(1.6-1,95) КДБ (210-510)
Эпитаксиальный слой: (13,3 – 14,5) КЭФ (3,6 – 4,5)
Изоляция: p-n переход
Глубина p-базы, мкм 1,8-2,8
Глубина N+эмиттера, мкм 0,9-2,2
Слои глубокий коллектор, разделение, эмиттер выполнены методом диффузия.
Поликремневый резистор
Диэлектрик емкости: окисел кремния или нитрид кремния.
Межслойный диэлектрик СТФСС
Металлизация: алюминий 1,4 мкм
Пассивация: ПХО 1,2 мкм -
Применение, элементная база:
Вертикальный NPN:
h21э=(100-300)
Uкэ≥38 В
Горизонтальный РNP:
h21э≥20
Uкэ≥38 В
Емкость:n+ - Al
Резисторы в слоях:
База; резистор, поликремний
5 В «Изопланар – 1» “BpI-30-5”
-
Характеристика процесса:
Количество фотолитографий, шт 15
Проектная норма, мкм 2.0
Подложка: 460КДБ10 (111)
Скрытые слои: 2,5КЭС35/1,95КДБ210
Эпитаксиальный слой: 1.5КЭФ0.3
Изоляция: LOCOS + p+ - охранные кольца
Глубина p-базы, мкм 0.854
Глубина N+эмиттера, мкм 0.55
Размер эмиттера, мкм 2*3
Расстояние между
транзисторами, мкм 2
Коммутация:
контакты 1, мкм 2*3
шаг 1 металл, мкм 6.5
контакты 2, мкм 4*4
шаг 2 металл, мкм 10.0 -
Применение, элементная база:
Цифроаналоговые ИС малой и средней степени интеграции с Еп до 5 В
Вертикальный NPN транзистор:
Вп=100 Uсе=8 В
Горизонтальный PNP транзистор:
Вр=25 Uce=20 ВРезисторы в слое: База
40 В с изоляцией p-n переходом “Bp30-40”
-
Характеристика процесса:
Количество фотолитографий, шт 8-13
Проектная норма, мкм 2.0
Подложка: 460КДБ10 (111)
Скрытые слои: 6.0КЭС20/1.95КДБ210
Эпитаксиальный слой: 13КЭФ3.5
Изоляция: p-n переход
Глубина p-базы, мкм 2.0
Глубина N+эмиттера, мкм 1.7
Размер эмиттера, мкм 9*9
Расстояние между
транзисторами, мкм 4
Коммутация:
контакты 1, мкм 3*3
шаг 1 металл, мкм 9.0
контакты 2, мкм 4*4
шаг 2 металл, мкм 14.0 -
Применение, элементная база:
Цифроаналоговые ИС малой степени интеграции с Еп до 40В
Вертикальный NPN транзистор:
Вn=150 Uce=48 В
Горизонтальный РNP транзистор:
Вр=65 Uсе=60 В
Вертикальный РNP транзистор:
Вр=60 Uсе=60 В
Емкости: Э-Б; К-Б; Ме-n+;
Ме1-Ме2.
Резисторы в слоях:
Изоляция; База; Резистор.
Поликремний
20 В комплементарный c изоляцией p-n переходом “Bp30С-20”
-
Характеристика процесса:
Количество
фотолитографий, шт. 12-14
Проектная норма, мкм 2.0
Подложка: 460КДБ10 (111)
Скрытые слои: 6.0КЭС20/1.95КДБ210
Эпитаксиальный слой: 8КЭФ1.5
Изоляция: p-n переход
Глубина p-базы, мкм 2.0
Глубина N+эмиттера, мкм 1.7
Размер эмиттера, мкм 7*7
Расстояние между
транзисторами, мкм 4
Коммутация:
контакты 1, мкм 3*3
шаг 1 металл, мкм 9.0
контакты 2, мкм 4*4
шаг 2 металл, мкм 12.0 -
Применение, элементная база:
Цифроаналоговые ИС малой и средней степени интеграции с Еп до 18 В
Вертикальный NPN транзистор:
Вn=150 Uce=27 В
Горизонтальный РNP транзистор:
Вр=30 Uсе=35 В
Вертикальный РNP транзистор:
Вр=45 Uсе=35 В
Вертикальный РNP с изолированным коллектором:
Вр=80 Uсе=30 В
Емкости: Э-Б; К-Б; Ме-n+;
Ме1-Ме2.
Резисторы в слоях:
Изоляция; База; Резистор.
20 В с изоляцией p-n переходом “Bp30-20”
-
Характеристика процесса:
Количество фотолитографий, шт. 8-13
Проектная норма, мкм 2.0
Подложка: 460КДБ10 (111)
Скрытые слои: 6.0КЭС20/1.95КДБ210
Эпитаксиальный слой: 9КЭФ2.0
Изоляция: p-n переход
Глубина p-базы, мкм 2.2
Глубина N+эмиттера, мкм 1.7
Размер эмиттера, мкм 9*9
Расстояние между
транзисторами, мкм 4
Коммутация:
контакты 1, мкм 3*3
шаг 1 металл, мкм 9.0
контакты 2, мкм 4*4
шаг 2 металл, мкм 12.0 -
Применение, элементная база:
Цифроаналоговые ИС малой и средней степени интеграции с Еп до 18 В
Вертикальный NPN транзистор:
Вn=150 Uce=28 В
Горизонтальный РNP транзистор:
Вр=35 Uсе=45 В
Вертикальный РNP транзистор:
Вр=35 Uсе=45 В
I2L вентиль
Емкости: Э-Б; К-Б; Ме- n +;
Ме1-Ме2.
Резисторы в слоях:
Изоляция; База; Резистор.