Технология изготовления тиристоров, триаков

Галоўная

Прадукцыя

Тэхналогіі

Біпалярныя

Технология изготовления тиристоров, триаков

Тэхнічныя характарыстыкі
Набыццё і тэхнічная падтрымка

Параметр	Значэнне
Характеристика процесса	Подложка КОФ35, 10 фотолитографий (контактная, двухсторонняя) База: диффузия бора, глубина, мкм 35-45 Катод: диффузия фосфора, глубина, мкм 15-18 Защита p-n переходов: SiPOS, Si3N4, СТФСС Металлизация:Al 2,0 мкм Пассивация: НТФСС+ПХО Обр. сторона: Ti-Ni-Ag
Применение, элементная база	Iос=2,0 А Uпроб=(600-800) В

Параметр

Значэнне

Характеристика процесса

Подложка                                                        КОФ35,
10 фотолитографий (контактная, двухсторонняя)
База: диффузия бора,
глубина, мкм                                                     35-45
Катод: диффузия фосфора,
глубина, мкм                                                    15-18
Защита p-n переходов: SiPOS, Si3N4, СТФСС
Металлизация:Al 2,0 мкм
Пассивация: НТФСС+ПХО
Обр. сторона: Ti-Ni-Ag

Применение, элементная база

Iос=2,0 А
Uпроб=(600-800) В

Заказаць

Парадак, кошт і тэрміны выканання заказаў на пастаўку дробнасерыйных тавараў дадаткова ўзгадняюцца Спажыўцом са службамі маркетынгу і збыту ААТ «ІНТЭГРАЛ» - кіруючай кампаніі холдынга «ІНТЭГРАЛ»

Маркетынг , Аддзел продажаў
Тэл.: .....(+375 17) 272 3729
......(+375 17) 353 2257
Факс:......(+375 17) 353 2257
Адрас электроннай пошты: export@integral.by