BY
CN
RU
EN
Технология изготовления тиристоров, триаков
| Параметр | Значэнне |
|---|---|
| Характеристика процесса | Подложка КОФ35, 10 фотолитографий (контактная, двухсторонняя) База: диффузия бора, глубина, мкм 35-45 Катод: диффузия фосфора, глубина, мкм 15-18 Защита p-n переходов: SiPOS, Si3N4, СТФСС Металлизация:Al 2,0 мкм Пассивация: НТФСС+ПХО Обр. сторона: Ti-Ni-Ag |
| Применение, элементная база | Iос=2,0 А Uпроб=(600-800) В |
Парадак, кошт і тэрміны выканання заказаў на пастаўку дробнасерыйных тавараў дадаткова ўзгадняюцца Спажыўцом са службамі маркетынгу і збыту ААТ «ІНТЭГРАЛ» - кіруючай кампаніі холдынга «ІНТЭГРАЛ»
Маркетынг , Аддзел продажаў
Тэл.: .....(+375 17) 272 3729
......(+375 17) 353 2257
Факс:......(+375 17) 353 2257
Адрас электроннай пошты: export@integral.by
Тэл.: .....(+375 17) 272 3729
......(+375 17) 353 2257
Факс:......(+375 17) 353 2257
Адрас электроннай пошты: export@integral.by