Биполярная технология изготовления pnp-транзисторов с областью рабочих напряжений (200-300) В

Галоўная

Прадукцыя

Тэхналогіі

Біпалярныя

Биполярная технология изготовления pnp-транзисторов с областью рабочих напряжений (200-300) В

Тэхнічныя характарыстыкі
Набыццё і тэхнічная падтрымка

Параметр	Значэнне
Характеристика процесса	питаксиальная структура Подложка КДБ 0,03 (111) Толщина эпитаксиального слоя, мкм 40-45 Удельное сопротивление, Ом x см 40-50 7 фотолитографий (контактная) База: ионная имплантация фосфора, глубина, мкм 3-5,5 Эмиттер: диффузия бора Защита p-n перехода коллектор-база SiPOS Металлизация: Al 1,4 мкм Обр. сторона: Ti-Ni-Ag-Sn-Pb-Sn
Применение, элементная база	Uкб=(250-300) B Uкэ=(200-250) В Iк=(0,4-0,5) А h21э>40

Параметр

Значэнне

Характеристика процесса

питаксиальная структура
Подложка                                     КДБ 0,03 (111)
Толщина эпитаксиального слоя, мкм    40-45
Удельное сопротивление, Ом x см         40-50
7 фотолитографий (контактная)
База: ионная имплантация фосфора,
глубина, мкм                                                   3-5,5
Эмиттер: диффузия бора
Защита p-n перехода коллектор-база SiPOS
Металлизация: Al 1,4 мкм
Обр. сторона: Ti-Ni-Ag-Sn-Pb-Sn

Применение, элементная база

Uкб=(250-300) B
Uкэ=(200-250) В
Iк=(0,4-0,5) А
h21э>40

Заказаць

Парадак, кошт і тэрміны выканання заказаў на пастаўку дробнасерыйных тавараў дадаткова ўзгадняюцца Спажыўцом са службамі маркетынгу і збыту ААТ «ІНТЭГРАЛ» - кіруючай кампаніі холдынга «ІНТЭГРАЛ»

Маркетынг , Аддзел продажаў
Тэл.: .....(+375 17) 272 3729
......(+375 17) 353 2257
Факс:......(+375 17) 353 2257
Адрас электроннай пошты: export@integral.by