Биполярная технология изготовления стабилизаторов напряжения положительной и отрицательной полярности с одним уровнем металлизации
Биполярная технология изготовления стабилизаторов напряжения положительной и отрицательной полярности с одним уровнем металлизации
Параметр | Значэнне |
---|---|
Характеристика процесса | Количество фотолитографий, шт. 7-12 Проектная норма, мкм 4 Подложка: 460КДБ10 (111) Скрытые слои: 5-6 КЭС 20-25/(1.6-1,95) КДБ (210-510) Эпитаксиальный слой: (13,3 – 14,5) КЭФ (3,6 – 4,5) Изоляция: p-n переход Глубина p-базы, мкм 1,8-2,8 Глубина N+эмиттера, мкм 0,9-2,2 Слои глубокий коллектор, разделение, эмиттер выполнены методом диффузия. Поликремневый резистор Диэлектрик емкости: окисел кремния или нитрид кремния. Межслойный диэлектрик СТФСС Металлизация: алюминий 1,4 мкм Пассивация: ПХО 1,2 мкм |
Применение, элементная база | Вертикальный NPN: h21э=(100-300) Uкэ≥38 В Горизонтальный РNP: h21э≥20 Uкэ≥38 В Емкость:n+ - Al Резисторы в слоях: База; резистор, поликремний |
Парадак, кошт і тэрміны выканання заказаў на пастаўку дробнасерыйных тавараў дадаткова ўзгадняюцца Спажыўцом са службамі маркетынгу і збыту ААТ «ІНТЭГРАЛ» - кіруючай кампаніі холдынга «ІНТЭГРАЛ»
Маркетынг , Аддзел продажаў
Тэл.: .....(+375 17) 272 3729
......(+375 17) 353 2257
Факс:......(+375 17) 353 2257
Адрас электроннай пошты: export@integral.by
Тэл.: .....(+375 17) 272 3729
......(+375 17) 353 2257
Факс:......(+375 17) 353 2257
Адрас электроннай пошты: export@integral.by