МЕНЮ Высокія тэхналогіі для лепшага жыцця
BY
Выбраць мову
CN RU EN
Биполярная технология изготовления стабилизаторов напряжения положительной и отрицательной полярности с одним уровнем металлизации

Биполярная технология изготовления стабилизаторов напряжения положительной и отрицательной полярности с одним уровнем металлизации

Параметр Значэнне
Характеристика процесса Количество фотолитографий, шт.    7-12
Проектная норма, мкм          4
Подложка:                         460КДБ10 (111)
Скрытые слои:            5-6 КЭС 20-25/(1.6-1,95) КДБ (210-510)
Эпитаксиальный слой:  (13,3 – 14,5) КЭФ (3,6 – 4,5)
Изоляция:                 p-n переход
Глубина p-базы, мкм                        1,8-2,8
Глубина N+эмиттера, мкм                0,9-2,2
Слои глубокий коллектор, разделение, эмиттер выполнены методом диффузия.
Поликремневый резистор
Диэлектрик емкости: окисел кремния или нитрид кремния.
Межслойный диэлектрик СТФСС
Металлизация: алюминий 1,4 мкм
Пассивация: ПХО  1,2 мкм
Применение, элементная база Вертикальный NPN:
h21э=(100-300)
Uкэ≥38 В
Горизонтальный РNP:
h21э≥20
Uкэ≥38 В
Емкость:n+ - Al
Резисторы в слоях:
База; резистор, поликремний
Парадак, кошт і тэрміны выканання заказаў на пастаўку дробнасерыйных тавараў дадаткова ўзгадняюцца Спажыўцом са службамі маркетынгу і збыту ААТ «ІНТЭГРАЛ» - кіруючай кампаніі холдынга «ІНТЭГРАЛ»

Маркетынг , Аддзел продажаў
Тэл.: .....(+375 17) 272 3729
       ......(+375 17) 353 2257
Факс:......(+375 17) 353 2257
Адрас электроннай пошты: export@integral.by

Задать вопрос