Биполярная технология изготовления npn-транзисторов с областью рабочих напряжений (160-300) В

Галоўная

Прадукцыя

Тэхналогіі

Біпалярныя

Биполярная технология изготовления npn-транзисторов с областью рабочих напряжений (160-300) В

Тэхнічныя характарыстыкі
Набыццё і тэхнічная падтрымка

Параметр	Значэнне
Характеристика процесса	Эпитаксиальная структура Подложка: КЭС 0,01 (111) Толщина эпитаксиального слоя, мкм 35,50 Удельное сопротивление, Ом-см 23 7-8 фотолитографий (контактная) База: ионная имплантация, глубина, мкм 2,8-4,6 Эмиттер: диффузия, глубина, мкм 1,4-2,8 Защита p-n перехода коллектор-база SiPOS Металлизация: Al 1,4 мкм Обр. сторона: Ti-Ni-Ag(Sn-Pb-Sn) Пассивация: НТФСС(ПХО)
Применение, элементная база	Uкб=(160-300) B Uкэ=(160-300) В Iк=(0,1-1,5) А h21э>25

Параметр

Значэнне

Характеристика процесса

Эпитаксиальная структура
Подложка:                                      КЭС 0,01 (111)
Толщина эпитаксиального слоя, мкм      35,50
Удельное сопротивление, Ом-см                 23
7-8 фотолитографий (контактная)
База: ионная имплантация,
глубина, мкм                                                2,8-4,6
Эмиттер: диффузия,
глубина, мкм                                                 1,4-2,8
Защита p-n перехода коллектор-база SiPOS
Металлизация: Al 1,4 мкм
Обр. сторона: Ti-Ni-Ag(Sn-Pb-Sn)
Пассивация: НТФСС(ПХО)

Применение, элементная база

Uкб=(160-300) B
Uкэ=(160-300) В
Iк=(0,1-1,5) А
h21э>25

Заказаць

Парадак, кошт і тэрміны выканання заказаў на пастаўку дробнасерыйных тавараў дадаткова ўзгадняюцца Спажыўцом са службамі маркетынгу і збыту ААТ «ІНТЭГРАЛ» - кіруючай кампаніі холдынга «ІНТЭГРАЛ»

Маркетынг , Аддзел продажаў
Тэл.: .....(+375 17) 272 3729
......(+375 17) 353 2257
Факс:......(+375 17) 353 2257
Адрас электроннай пошты: export@integral.by