• Характеристика процесса: Эпитаксиальная структура 
  Подложка:                                      КЭС 0,01 (111)
  Толщина эпитаксиального слоя, мкм      35,50
  Удельное сопротивление, Ом-см                  23 
  7-8 фотолитографий (контактная)
  База:  ионная имплантация,
  глубина, мкм                                                 2,8-4,6
  Эмиттер: диффузия,
  глубина, мкм                                                 1,4-2,8
  Защита p-n перехода коллектор-база SiPOS
  Металлизация: Al 1,4 мкм
  Обр. сторона: Ti-Ni-Ag(Sn-Pb-Sn)
  Пассивация:  НТФСС(ПХО)
• Применение, элементная база: Uкб=(160-300) B
  Uкэ=(160-300) В
  Iк=(0,1-1,5) А
  h21э>25