МЕНЮ Высокія тэхналогіі для лепшага жыцця
BY
Выбраць мову
CN RU EN
20 В с изоляцией p-n переходом “Bp30-20”

20 В с изоляцией p-n переходом “Bp30-20”

Параметр Значэнне
Характеристика процесса Количество фотолитографий, шт.     8-13
Проектная норма, мкм        2.0
Подложка:                         460КДБ10 (111)
Скрытые слои:  6.0КЭС20/1.95КДБ210
Эпитаксиальный слой:                9КЭФ2.0
Изоляция:                                  p-n переход
Глубина p-базы, мкм                             2.2
Глубина N+эмиттера, мкм                   1.7
Размер эмиттера, мкм                         9*9
Расстояние между 
транзисторами, мкм                                 4
Коммутация:
контакты 1, мкм                                     3*3
шаг 1 металл, мкм                                  9.0
контакты 2, мкм                                      4*4
шаг 2 металл, мкм                                12.0
Применение, элементная база Цифроаналоговые ИС малой и средней степени интеграции с Еп до 18 В
Вертикальный NPN транзистор:
Вn=150 Uce=28 В
Горизонтальный РNP транзистор:
Вр=35 Uсе=45 В
Вертикальный РNP транзистор:
Вр=35 Uсе=45 В
I2L вентиль
Емкости: Э-Б; К-Б; Ме- n +;
Ме1-Ме2.
Резисторы в слоях:
Изоляция; База; Резистор.
Парадак, кошт і тэрміны выканання заказаў на пастаўку дробнасерыйных тавараў дадаткова ўзгадняюцца Спажыўцом са службамі маркетынгу і збыту ААТ «ІНТЭГРАЛ» - кіруючай кампаніі холдынга «ІНТЭГРАЛ»

Маркетынг , Аддзел продажаў
Тэл.: .....(+375 17) 272 3729
       ......(+375 17) 353 2257
Факс:......(+375 17) 353 2257
Адрас электроннай пошты: export@integral.by

Задать вопрос