• Характеристика процесса: Количество фотолитографий, шт.     8-13
  Проектная норма, мкм        2.0
  Подложка:                         460КДБ10 (111)
  Скрытые слои:  6.0КЭС20/1.95КДБ210
  Эпитаксиальный слой:                9КЭФ2.0
  Изоляция:                                  p-n переход
  Глубина p-базы, мкм                             2.2
  Глубина N+эмиттера, мкм                   1.7
  Размер эмиттера, мкм                         9*9
  Расстояние между 
  транзисторами, мкм                                 4
  Коммутация:
  контакты 1, мкм                                     3*3
  шаг 1 металл, мкм                                  9.0
  контакты 2, мкм                                      4*4
  шаг 2 металл, мкм                                12.0
• Применение, элементная база: Цифроаналоговые ИС малой и средней степени интеграции с Еп до 18 В
  Вертикальный NPN транзистор:
  Вn=150 Uce=28 В
  Горизонтальный РNP транзистор:
  Вр=35 Uсе=45 В
  Вертикальный РNP транзистор:
  Вр=35 Uсе=45 В
  I2L вентиль
  Емкости: Э-Б; К-Б; Ме- n +;
  Ме1-Ме2.
  Резисторы в слоях:
  Изоляция; База; Резистор.