BY
CN
RU
EN
20 В с изоляцией p-n переходом “Bp30-20”
| Параметр | Значэнне |
|---|---|
| Характеристика процесса | Количество фотолитографий, шт. 8-13 Проектная норма, мкм 2.0 Подложка: 460КДБ10 (111) Скрытые слои: 6.0КЭС20/1.95КДБ210 Эпитаксиальный слой: 9КЭФ2.0 Изоляция: p-n переход Глубина p-базы, мкм 2.2 Глубина N+эмиттера, мкм 1.7 Размер эмиттера, мкм 9*9 Расстояние между транзисторами, мкм 4 Коммутация: контакты 1, мкм 3*3 шаг 1 металл, мкм 9.0 контакты 2, мкм 4*4 шаг 2 металл, мкм 12.0 |
| Применение, элементная база | Цифроаналоговые ИС малой и средней степени интеграции с Еп до 18 В Вертикальный NPN транзистор: Вn=150 Uce=28 В Горизонтальный РNP транзистор: Вр=35 Uсе=45 В Вертикальный РNP транзистор: Вр=35 Uсе=45 В I2L вентиль Емкости: Э-Б; К-Б; Ме- n +; Ме1-Ме2. Резисторы в слоях: Изоляция; База; Резистор. |
Парадак, кошт і тэрміны выканання заказаў на пастаўку дробнасерыйных тавараў дадаткова ўзгадняюцца Спажыўцом са службамі маркетынгу і збыту ААТ «ІНТЭГРАЛ» - кіруючай кампаніі холдынга «ІНТЭГРАЛ»
Маркетынг , Аддзел продажаў
Тэл.: .....(+375 17) 272 3729
......(+375 17) 353 2257
Факс:......(+375 17) 353 2257
Адрас электроннай пошты: export@integral.by
Тэл.: .....(+375 17) 272 3729
......(+375 17) 353 2257
Факс:......(+375 17) 353 2257
Адрас электроннай пошты: export@integral.by