МЕНЮ Высокія тэхналогіі для лепшага жыцця
BY
Выбраць мову
CN RU EN
40 В с изоляцией p-n переходом “Bp30-40”

40 В с изоляцией p-n переходом “Bp30-40”

Параметр Значэнне
Характеристика процесса Количество фотолитографий, шт 8-13
Проектная норма, мкм               2.0
Подложка:                   460КДБ10 (111)
Скрытые слои:  6.0КЭС20/1.95КДБ210
Эпитаксиальный слой:        13КЭФ3.5 
Изоляция:                 p-n переход
Глубина p-базы, мкм                        2.0
Глубина N+эмиттера, мкм               1.7
Размер эмиттера, мкм                     9*9
Расстояние между
транзисторами, мкм                            4
Коммутация:
контакты 1, мкм                                3*3
шаг 1 металл, мкм                            9.0
контакты 2, мкм                               4*4 
шаг 2 металл, мкм                          14.0
Применение, элементная база

Цифроаналоговые ИС малой степени интеграции с Еп до 40В

Вертикальный NPN транзистор:
Вn=150 Uce=48 В
Горизонтальный РNP транзистор:
Вр=65 Uсе=60 В
Вертикальный РNP транзистор:
Вр=60 Uсе=60 В
Емкости: Э-Б; К-Б; Ме-n+;
Ме1-Ме2.
Резисторы в слоях:
Изоляция; База; Резистор.
Поликремний

Парадак, кошт і тэрміны выканання заказаў на пастаўку дробнасерыйных тавараў дадаткова ўзгадняюцца Спажыўцом са службамі маркетынгу і збыту ААТ «ІНТЭГРАЛ» - кіруючай кампаніі холдынга «ІНТЭГРАЛ»

Маркетынг , Аддзел продажаў
Тэл.: .....(+375 17) 272 3729
       ......(+375 17) 353 2257
Факс:......(+375 17) 353 2257
Адрас электроннай пошты: export@integral.by

Задать вопрос