Биполярная технология изготовления стабилизаторов напряжения положительной и отрицательной полярности с двумя уровнями металлизации

Биполярная технология изготовления стабилизаторов напряжения положительной и отрицательной полярности с двумя уровнями металлизации

Тэхнічныя характарыстыкі
Набыццё і тэхнічная падтрымка

Параметр	Значэнне
Характеристика процесса	Количество фотолитографий, шт. 11-14 Проектная норма, мкм 4 Подложка: 460КДБ10 (111) Скрытые cлои: 5КЭС17/(1.6-1,95) КДБ (210-510) Эпитаксиальный лой: 10-14 КЭФ1,25-4,5 Изоляция: p-n переход Слои глубокий коллектор, разделение, эмиттер выполнены методом диффузия. Слои база, резистор – методом ионной имплантации Диэлектрик емкости: окисел кремния или нитрид кремния. Глубина p-базы, мкм 1,8-2,8 Глубина N+эмиттера, мкм 0,9-2,2 1-ый межслойный диэлектрик: СТФСС+Si3N4 2-ой межслойной диэлектрик: НТФСС 1-ый уровень металлизации: AlSiCuTi 0,55 мкм 2-ой уровень металлизации: AlSi, Al- (1,4 – 3,0) мкм Пассивация: ПХО 1,2 мкм
Применение, элементная база	Вертикальный NPN: h21э=(80-200) Uкэ≥18 В Горизонтальный РNP: h21э≥ 20 Uкэ≥20 В Емкость:n+ - Al Резисторы в слоях: База; эмиттер, контакты.

Параметр

Значэнне

Характеристика процесса

Количество фотолитографий, шт.              11-14
Проектная норма, мкм                      4
Подложка:                                  460КДБ10 (111)
Скрытые cлои:                     5КЭС17/(1.6-1,95) КДБ (210-510)
Эпитаксиальный лой:              10-14 КЭФ1,25-4,5
Изоляция:                     p-n переход
Слои глубокий коллектор, разделение, эмиттер выполнены методом диффузия.
Слои база, резистор – методом ионной имплантации
Диэлектрик емкости: окисел кремния или нитрид кремния.
Глубина p-базы, мкм                                 1,8-2,8
Глубина N+эмиттера, мкм                        0,9-2,2
1-ый межслойный диэлектрик: СТФСС+Si3N4
2-ой межслойной диэлектрик:               НТФСС
1-ый уровень металлизации: AlSiCuTi 0,55 мкм
2-ой уровень металлизации: AlSi, Al- (1,4 – 3,0) мкм
Пассивация: ПХО 1,2 мкм

Применение, элементная база

Вертикальный NPN:
h21э=(80-200)
Uкэ≥18 В
Горизонтальный РNP:
h21э≥ 20
Uкэ≥20 В
Емкость:n+ - Al
Резисторы в слоях:
База; эмиттер, контакты.

Заказаць

Парадак, кошт і тэрміны выканання заказаў на пастаўку дробнасерыйных тавараў дадаткова ўзгадняюцца Спажыўцом са службамі маркетынгу і збыту ААТ «ІНТЭГРАЛ» - кіруючай кампаніі холдынга «ІНТЭГРАЛ»

Маркетынг , Аддзел продажаў
Тэл.: .....(+375 17) 272 3729
......(+375 17) 353 2257
Факс:......(+375 17) 353 2257
Адрас электроннай пошты: export@integral.by